随机振动下板级组件焊点可靠性研究进展
摘要：针对板级组件焊点在随机振动下的可靠性问题，对与之相关的实验研究成果和仿真结果进行了综述。首先介绍了球栅阵列（BGA）封装芯片焊点失效的位置，BGA焊点的材料以及BGA参数和印制电路板（PCB）参数对焊点可靠性的分析，并介绍了疲劳寿命预测方法和子模型法、特殊结构的随机振动分析。最后，提出了随机振动情况下的BGA结构的优化方法。基于背景材料磁导率各向异性实现全介质双曲线超材料
摘要：提出一种基于Mie谐振实现全介质双曲线超材料的新方法。首先设计了由介质颗粒组成的背景材料磁导率各向异性双曲线超材料，通过模拟计算出有效磁导率和有效介电常数张量的主对角分量，表明该材料具有双曲性质。最后，通过点源平面透镜聚焦成像现象直观地验证其双曲色散特性。Ca3Co3.9Cu0.1O9/Bi2Ca2Co2Oy复合热电材料的制备与性能
摘要：采用助熔剂法合成Ca3Co3.9Cu0.1O9粉体。添加Bi2O3作为助烧剂，通过直流快速热压获得块体，熔融的Bi2O3能够促进Ca3Co3.9Cu0.1O9片流动以完成致密化过程，再通过液相反应烧结制备出了Ca3Co3.9Cu0.1O9/Bi2Ca2Co2Oy复合热电材料，对其物相组成、微观结构和热电性能进行了表征。结果表明，添加Bi2O3提高了样品的密度，降低了材料的电阻率，复合材料的功率因子在973 K时达到4.12×10^–4W·m^–1·K^–2。水热法制备Al2O3@ZnO颗粒微观形貌及其对环氧树脂基复合材料导热性能的影响
摘要：采用水热法在Al2O3颗粒表面包覆ZnO制备Al2O3@ZnO颗粒，并通过控制合成条件在Al2O3颗粒表面制备出了具有不同微观形貌的ZnO包覆层。还探讨了水热合成中生长液的pH值对ZnO的包覆层生长过程以及对ZnO包覆层生长形貌的影响，研究了Al2O3@ZnO颗粒填充环氧树脂对环氧基复合材料导热性能的影响。研究结果表明：随着pH的升高，ZnO包覆层的均匀性和致密性越好，即包覆的效果越好。Al2O3@ZnO颗粒表面ZnO的形态从颗粒状到星状最后到刺球状转变，随之填充 Al2O3@ZnO 颗粒的环氧基复合材料的热导率也逐渐提高。采用pH=10时所制备的Al2O3@ZnO颗粒填充环氧树脂，其热导率相对于未处理Al2O3填充的环氧树脂提高了10.3%。Sm1-xMgxFeO3纳米材料的制备及气敏性能研究
摘要：采用溶胶-凝胶法制备了Sm1–xMgxFeO3（x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6）系列纳米粉体。利用XRD、TEM手段对产物进行表征，并对其酒敏性能进行了测试研究。结果表明：在800℃下热处理3 h所得的Sm1–xMgxFeO3粉体均为单一钙钛矿结构，粉体的晶胞体积和晶粒尺寸均随Mg^2＋含量的增大而减小。另外，在同等条件下，元件Sm0.7Mg0.3FeO3对乙醇的气敏性能最优，在工作温度为240℃时对体积分数为100×10^6的乙醇的灵敏度达到22.14，是SmFeO3元件的6.05倍。同时还具有较好的选择性、响应-恢复特性与稳定性，响应时间和恢复时间分别为31 s和50 s。弱有机酸在聚吡咯铝电解电容器中的应用研究
摘要：采用化学聚合和电化学聚合相结合的方法制备聚吡咯铝电解电容器，通过SEM表征、电性能测试和可靠性实验，研究了在电化学聚合溶液中添加弱有机酸对聚吡咯铝电解电容器性能的影响。结果表明，弱有机酸能够使聚合溶液的 pH 值稳定在2，改善聚吡咯层的均匀性与致密度，增大其在氧化铝表面的覆盖度，使得聚吡咯铝电解电容器的容量增大，ESR降低，并且高温下可靠性能改善。RCa2Mg2（VO4）3（R=Li，K，Na）荧光粉的制备及发光性能研究
摘要：采用高温固相法合成了RCa2Mg2（VO4）3（R=Li, K, Na）自激活系列荧光粉，并用X射线衍射仪和荧光分光光度计对合成样品的结构和发光性能进行了表征。结果表明：在750℃下煅烧得到的RCa2Mg2（VO4）3荧光粉具有较好的晶体结构。在331 nm的紫外光激发下，RCa2Mg2（VO4）3荧光粉在491 nm处具有较强的宽峰发射，其中NaCa2Mg2（VO4）3的发光强度最好。LiCa2Mg2（VO4）3、KCa2Mg2（VO4）3、NaCa2Mg2（VO4）3的色坐标分别为（0.245,0.392）、（0.265,0.425）、（0.211,0.326），位于蓝绿光区。Eu^3＋掺杂后，NaCa2Mg2（VO4）3：Eu^3＋样品光谱图中620 nm处出现Eu^3＋的发射峰，有效促使NaCa2Mg2（VO4）3色坐标从蓝绿区（0.211,0.326）移到近白光区（0.260,0.322）。衬底和退火温度对多晶硅薄膜结构及光学性质影响
摘要：通过射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术与退火处理制备多晶硅薄膜，研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得，考虑薄膜表面的质量，最佳的退火温度为635℃，衬底温度为225℃，在玻璃衬底形成的晶粒大于50 nm，光学带隙为1.5 eV。结果表明：衬底温度影响着薄膜中氢含量以及相关的缺陷。随着退火温度的升高，晶化率的提高，光学带隙先减小后增大。光通信用石墨烯基纳米复合材料的光电性能研究
摘要：采用湿化学法制备了性能良好的石墨烯（G）/氧化锌（ZnO）纳米复合材料，利用X射线衍射分析仪、扫描电镜及透射电镜对其物理结构和形貌分析可知成功地合成了石墨烯/氧化锌的纳米颗粒，氧化锌纳米颗粒大小约为50 nm。分别将石墨烯/氧化锌纳米复合材料、石墨烯和氧化锌均匀地分散到聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中通过浇铸法合成G/ZnO/PMMA有机玻璃、ZnO/PMMA和G/PMMA有机玻璃，对比可得，G/ZnO/PMMA的非线性光学散射特性、非线性光学吸收特性及紫外-可见光吸收特性较ZnO/PMMA和G/PMMA有机玻璃有了明显提高。一维铌酸钠纳米杆的合成及光催化性能
摘要：以Nb2O5、NaOH为起始物，NaOH为矿化剂，通过传统水热法并结合后期热处理，成功制备了高结晶度、生长完善的一维正交相NaNbO 3纳米结构。采用TG-DSC、XRD和SEM对不同阶段产物的组成、结晶结构、形貌进行了表征。将所制备的Na2Nb2O6·1.4H2O前驱样品在不同温度下热处理，当温度高于400℃时可以转变为一维的正交相NaNbO 3纳米杆。随着热处理温度的升高，产物的结晶性保持良好，但其形貌开始发生扭曲甚至出现裂纹。另外，对不同后处理的样品进行光催化产氢测试，结果表明随着热处理温度的增大，一维铌酸钠纳米材料的光催化活性先增大后降低，当后热处理温度为400℃时，平均的产氢率可达104.5μmol·h^–1。电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究
摘要：采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析，分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明，在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成；改变电流密度，可以有效调控孔径大小；在电阻率30~50Ω＆#183;cm、电流密度20×10^–3A/cm^2的条件下，可以得到最优化多孔硅结构。通过模板引导法制备了高度有序的多孔硅阵列，孔径2.5μm，周期4μm。在电解液中添加十六烷基三甲基氯化铵（CTAC），反应生成的气泡更容易逸出，有利于改善多孔硅阵列形貌。研究成果为基于硅孔洞填充的像素化X射线闪烁转换屏的研制提供了必要的基础。偏置靶材离子束沉积法制备硅锗薄膜的表面粗糙度研究
摘要：采用偏置靶材离子束沉积工艺，在相同的沉积参数条件下，在硅、玻璃以及蓝宝石三种不同的衬底上分别制备了相同厚度的纯硅和纯锗薄膜。利用原子力显微镜，研究了两种非晶薄膜在不同衬底上的二维、三维表面形貌和表面粗糙度。结果表明：纯锗薄膜具有较大的均方根粗糙度，均达到了8 nm以上，其中沉积在硅衬底上的纯锗薄膜的均方根粗糙度最大，达到了11.16 nm；而纯硅薄膜的均方根粗糙度较小，均在3 nm以下，其中沉积在硅衬底上的纯硅薄膜的均方根粗糙度最小，仅有0.47 nm。基于Abaqus的PDMS基底有限元分析
摘要：为了准确计算聚二甲基硅氧烷（PDMS）基底的可拉伸性，采用有限元的基本思想，利用Abaqus 6.14软件，对PDMS薄板在水平位移载荷下的应变模态进行仿真，得到其不同配比时的应力-应变变化关系。结果表明，在施加水平位移载荷的情况下，PDMS薄板的应变极大值点位于四个顶点和中间位置处；且减小柔性材料的弹性模量和泊松比，可以改良基底的大应变性能，使其变得更加柔软。一种月牙形缝隙多频微带天线分析与设计
摘要：提出了一种微带馈电式圆形微带天线设计方案，通过在辐射贴片表面加载月牙型缝隙，改变电流有效路径，实现多频特性。通过HFSS仿真分析缝隙形状对天线性能的影响。结果表明，天线工作的三个频段相对带宽分别为4.1%（2.39~2.49 GHz），3.98%（3.92~4.08 GHz）和3.75%（5.51~5.72 GHz）。其中低频和中频段的最高增益达到6.58 dB和5.01 dB。天线尺寸为35 mm×52 mm，具有小体积、高增益、全向性良好的特点，能够应用于无线通信系统中，并且这种结构简单、参数少、多频段的设计方法为天线设计提供了新的途径。相控阵天线裸阵面涂层的电磁性能研究
摘要：为了优选出适用于某相控阵天线裸阵面表面的防护涂层，分别测试了氟聚氨酯磁漆、丙烯酸聚氨酯漆、氟聚氨酯磁漆底漆及原子灰四种材料在2~18 GHz的相对介电常数和磁损耗。测试结果表明，氟聚氨酯磁漆、丙烯酸聚氨酯漆的相对介电常数值及稳定性明显优于氟聚氨酯磁漆底漆及原子灰；丙烯酸聚氨酯漆、原子灰的磁损耗及稳定性明显优于氟聚氨酯磁漆及氟聚氨酯磁漆底漆涂层。因而，丙烯酸聚氨酯漆最适用于作为某相控阵天线裸阵面表面的防护涂层。曲率补偿低温漂带隙基准电压源设计
摘要：设计了一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式，在电路中加入两种不同的分段曲率补偿电路，低温阶段，设计节点电流相减产生一段负温度系数补偿电流，高温阶段，控制晶体三极管导通产生一段正温度系数补偿电流，实现了对基准电压曲率补偿，同时采用共源共栅结构以提高电路的电源抑制比。在0.18μm的TSMC工艺下，使用Cadence Spectre对电路进行仿真，仿真结果表明，在3.3 V的电源电压下，基准输出电压为1.241 V，在–40~＋125℃范围内，基准电压的温度系数为3.02×10^–6/℃，低频时电源抑制比（PSRR）低于–57 dB。低压成套设备中铜铝复合母线温升的研究
摘要：铜铝复合母线（TLF bus bar）是一种新型铜包铝结构的复合导体材料，此材料既保持了铜母线（copper bus bar）表面抗氧化能力强的特点，又具有铝资源多，质量轻，价格低的优点，是替代铜母线的极佳材料。本文实验研究了相同电流规格下的铜母线及铜铝复合母线温升与截面积的关系，分析了低压成套设备中铜铝复合母线替换铜母线的技术参数。结果表明：铜铝复合母线宽度增加20%或厚度增加33%即可有效取代铜母线。采用叠层焊点的PBGA组件温度场模拟分析
摘要：运用有限元软件ANSYS建立了采用叠层焊点的塑料球栅阵列（Plastic Ball Grid Array，PBGA）结构有限元分析模型，基于该模型对PBGA结构在典型工作环境下的稳态温度场分布进行了模拟，对比传统单层焊点与叠层焊点对 PBGA结构温度场的影响，并分析了焊点高度和 PBGA结构各部分材料导热系数对内部温度的影响。结果表明：焊点结构形式（单层和叠层）和焊点高度对PBGA组件温度场影响不大；PCB的导热系数对PBGA组件温度场影响最大，其次是塑封和基板，粘结剂对PBGA组件温度场影响很小。
