基于石墨烯及其衍生物的气敏传感器研究进展
摘要：石墨烯具备特殊能带结构、大比表面积、高载流子迁移率等众多极为特殊的物理和化学特性，为制作新型高灵敏度气敏传感器提供了全新的材料和制造方法。国内外研究学者相继开展石墨烯基气敏性能研究工作，诸如采用氧化石墨烯、还原氧化石墨烯及贵金属和金属氧化物掺杂修饰石墨烯作为敏感材料制造高性能气敏传感器，涌现出不少瞩目的成就。综述了基于石墨烯及其衍生物的气敏传感器最新研究进展及应用，并展望了其发展趋势。牺牲模板法制备多孔陶瓷材料的研究进展
摘要：多孔陶瓷材料因其特殊的性能，受到越来越多的关注。多孔陶瓷材料的制备方法也在不断完善和成熟，其中以牺牲模板为主要路线制备的多孔陶瓷能够遗传模板的形态结构。综述了对以牺牲模板为主要路线采用不同模板制备的多孔陶瓷的研究现状以及优缺点，介绍了多孔陶瓷在电子领域的几种应用，并对多孔陶瓷材料的制备方法的进一步发展提出展望。常压水热法制备BTZ粉体及其在Y5V瓷粉中的应用
摘要：采用常压水热法制备锆钛酸钡粉体，研究了工艺参数对锆钛酸钡粉体颗粒大小的影响，以及粉体颗粒、Ba/（Ti＋Zr）摩尔比对制成的Y5V瓷粉介电性能的影响。结果表明：选择改进的加料方式，再通过洗涤控制，可以得到粒度（D50）在0.4~0.5μm、Ba/（Ti＋Zr）摩尔比为1.0的粉体；其能与抗还原剂、助熔剂很好匹配，获得性能优良（εr≥15000，tanδ＜30×10^–4，–80%≤？C/C20≤＋30%）的镍内电极MLCC用Y5V瓷料。纳米In2O3：Er^3＋，Yb^3＋的燃烧法制备及上转换发光
摘要：采用燃烧法制备了Yb3＋和Er3＋共掺的In2O3纳米晶。用X射线衍射和透射电镜对样品的结构和形貌进行了分析，结果表明，该粉体为纯立方相In2O3结构，颗粒尺寸为80~100 nm；该粉体在980 nm近红外激发下发射出中心波长为525 nm和555 nm的绿光、662 nm的红光，分别对应于Er^3＋的2H11/2/4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2跃迁；研究了Er^3＋/Yb^3＋掺杂浓度、煅烧温度和煅烧时间等制备条件对In2O3：Er^3＋， Yb^3＋纳米晶的上转换发光强度的影响。Mg掺与GaN晶格匹配的InAlN特性研究
摘要：采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量和退火温度，研究其对p-InAlN的载流子浓度和晶体质量的影响。实验发现当Al源的流量为2.34μmol/min时，获得与GaN晶格匹配的In0.18Al0.82N，此结果下的样品晶体质量最高。同时发现随着Mg掺杂量的增加会使螺位错密度急剧上升，Mg的掺杂对于刃位错有显著影响。综合退火温度对空穴浓度影响，当Mg源的掺杂量为0.248μmol/min，且退火温度为550℃时，与GaN晶格匹配的p型In0.18Al0.82N样品载流子浓度达到最高值，为1.2×10^18 cm^–3。Co含量对Ni0.9-0.5xCo0.3＋1.5xMn1.8-xO4热敏电阻性能的影响
摘要：采用传统的固相反应法制备了Ni0.9–0.5xCo0.3＋1.5xMn1.8–xO4（Mn和Ni的摩尔比为2：1，x=0~0.7）陶瓷。并且采用XRD和SEM等手段，系统地分析了Co含量对该热敏陶瓷的相结构及显微形貌的影响。结果表明，所研究的陶瓷均为立方晶相，当x≥0.6时出现第二相CoO岩盐相。在–40~125℃的测试范围内，该陶瓷材料表现出明显的NTC特性。随着Co含量的增加，陶瓷的室温电阻率（2275~914Ω？cm）及β值（3718~3544 K）均逐渐减小，并且出现两个拐点。其导电机理与小极化子的跳跃电导模型相吻合，并且受CoO岩盐相的影响。Bi2O3掺杂对Mn-Cu-Ca系负温度系数热敏电阻性能的影响
摘要：通过在Mn-Cu-Ca系负温度系数热敏电阻器（NTCR）配方中掺杂质量分数x%的Bi2O3（x=0,0.5,1,2.4,4.8,7），采用传统固相反应法制备了单层圆片式热敏电阻元件，研究了该元件的微观结构和电性能。实验结果表明：Bi2O3存在于晶界处，Bi2O3的存在增大了元件的晶粒尺寸，同时影响元件的气孔率。Bi2O3的引入降低了元件的室温电阻率，拓宽了元件的使用温区。当Bi2O3的添加量为质量分数4.8%时，元件具有较低的室温电阻率（6Ω＆#183;cm）及较宽的使用温区（室温~240℃）。微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MIS-HEMT器件
摘要：近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队、西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。磁控溅射AZO透明导电薄膜及其光电性能的研究
摘要：采用磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备AZO薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪和透射光谱仪等手段研究了衬底温度对AZO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明，所有的AZO薄膜均为纤锌矿结构且具有较好的c轴取向。薄膜表面平整，晶粒约为55.56 nm。随着衬底温度升高，薄膜电阻率先降低而后升高，当衬底温度为350℃时，电阻率最小，约为1.41×10^–3Ω·cm，而且该薄膜具有较好的透光率，约为84%。应变补偿InGaN/AlGaN超晶格改善近紫外LED性能
摘要：通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变，实验生长了相应的样品，并通过双晶衍射（XRD）和拉曼（Raman）光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建，一是替代量子阱中的GaN垒层，二是作p型层的接触层。实验发现，该结构的应用不但可以减弱量子阱的Stark效应和抑制电子泄露，而且降低p型接触层的欧姆接触电阻。且发现不用电子阻挡层情况下，其输出功率、PL光谱和I-V特性等都得到极大改善。上海光机所二维半导体非线性光学研究取得多项突破
摘要：过渡金属硫化物二维纳米材料是继石墨烯后又一类重要的二维半导体纳米材料，特别是其可见到近红外波段的可调谐带隙特性在开发新型光电功能器件方面具有独特优势。然而，该类半导体带隙的层数依赖特性对其非线性光学响应的影响规律及物理机理目前尚不清楚，大大限制了该类材料在开发高性能超快光调制器等全光器件上的潜力。中国科学院上海光学精密机械研究所中科院强激光材料重点实验室研究员王俊课题组在国际学术期刊ACS Nano、Laser ＆amp; Photonics Reviews和Nanoscale上发表原创论文，系统揭示了MoS2等过渡金属硫化物二维半导体的光学非线性吸收特性及其物理机制，提出并验证了该类材料非线性功能切变和调控策略，并在大面积MoS 2光子功能材料制备上取得进展。栅控电势磁性隧道结的隧穿磁阻研究
摘要：基于Slonczewski理论模型和矩阵方法研究了由栅控制中间层电势高度的磁性隧道结的隧穿磁阻效应。数值计算了中间层势垒为0~3 V以及中间层势阱为0~3 V的磁性隧道结的隧穿磁阻随着中间层厚度改变的变化曲线。计算结果表明，当中间层为势垒时，隧穿磁阻随着中间层厚度单调下降；当中间层为势阱时，隧穿磁阻随着中间层厚度振荡，并且相比于势垒情况时明显提高。这说明栅控中间层磁性隧道结相比于传统磁性隧道结具有更好的可控性和提高隧穿磁阻效应的潜力。废旧镍氢电池在柠檬酸中的溶解条件及 Ni0.5Co0.5Fe2O4的制备研究
摘要：研究了废旧镍氢电池正极材料在柠檬酸中的溶解条件。采用单因素和正交试验相结合的方法分析柠檬酸初始浓度、液固比、溶解温度、溶解时间等对钴、镍的溶解率的影响。实验结果表明：当柠檬酸浓度为2 mol/L，液固比（质量比）8：1，溶解温度90℃，溶解时间50 min，镍钴的溶解率最高。在最佳溶解条件下，采用微波水热法制备出性能较好的球形纳米级Ni0.5Co0.5Fe2O4，其磁性参数为：饱和磁化强度为50.312 A·m2/kg，剩余磁化强度15.306 A·m2/kg，矫顽力为0.052726 T。基于富勒醇的单根碳纳米管分散液的制备及表征
摘要：采用4种改进的液相氧化法对多壁碳纳米管进行分步化学提纯，并使用富勒醇作为表面活性剂对纯化的碳纳米管进行分散。扫描电子显微镜、红外光谱、拉曼光谱表征结果表明使用NaOH和混酸溶液进行分步提纯的效果最佳，不但可以有效去除碳纳米管中的杂质，还可以在其表面官能化羟基、羧基等含氧基团；实验采用富勒醇作为表面活性剂制备了碳纳米管分散液，结果表明富勒醇可以有效提高碳纳米管的分散性，实验成功制备出均匀的单根多壁碳纳米管分散液。银粉含量及几何特征对银浆流变性能的影响
摘要：通过流变仪系统地研究了银粉体积分数、粒径、片银含量对浆料剪切黏度和回复性能的影响，应用Cross模型对剪切黏度曲线拟合得到浆料的零剪切黏度。结果表明：银粉体积分数为13%时，银粉粒径及形貌对浆料的零剪切黏度和回复性能影响较小；银粉体积分数分别增大到20%，46%时，浆料的零剪切黏度上升，回复性能下降，且零剪切黏度随着银粉粒径的减小而明显增大。流延成型用AlN无苯浆料的制备及其性能研究
摘要：氮化铝（AlN）陶瓷具有优良的热、电、力、光学性能，具有广阔的应用前景，已经引起了国内外研究者的广泛关注。以无水乙醇和异丙醇为混合溶剂，研究了分散剂添加量、Y值（表示粘结剂和增塑剂质量之比）、固含量及溶剂种类对AlN浆料性能的影响。在不添加二甲苯的前提下，当分散剂添加量为1.0%（质量分数）、Y值为0.75时，制备了固含量为39.5%（体积分数）的低黏度AlN浆料，并利用流延成型制备了AlN生坯，在氮气气氛中1825℃，保温4 h烧结后得到相对密度为99.8%、热导率为178 W·m^–1·K^–1的AlN陶瓷。In对Sn9Zn钎料润湿性能的影响
摘要：为了提高Sn9Zn共晶钎料的钎焊性能，通过合金化的方法添加了少量元素In，制备了Sn9Zn-xIn钎料。从钎料合金的熔化特性、润湿特性、界面显微结构和母材粗糙度这四个方面评价了不同In含量对Sn9Zn钎料润湿性能的影响。试验结果表明：少量元素In的添加可以降低钎料的熔点；随着In含量的增加，钎料的润湿力增大，润湿时间缩短，润湿性有明显提高；In 含量增加，润湿界面层中 Cu5Zn8化合物层厚度增加；对母材表面进行毛化处理，通过改变母材表面的微观几何结构，增大钎料与母材的相对接触面积，从而改善钎料的润湿性能。半导体所研制成功无源/半无源双模无线温湿度传感器
摘要：中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员吴南健团队研制出一种低功耗无源/半无源双模无线温湿度传感器。相关研究成果在传感器领域学术期刊IEEE SENSORS JOURNAL上发表，该论文在2015年2月和3月连续入选为该期刊的前50热点论文。
