电子元件与材料杂志社
分享到:

电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》杂志在全国影响力巨大,创刊于1982年,公开发行的月刊杂志。创刊以来,办刊质量和水平不断提高,主要栏目设置有:研究与试制、科技动态、专家论坛、企业之窗、博士论文、会议消息、新品介绍、产品导购等。
  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.43
  • 综合影响因子:0.338
相关期刊
服务介绍

电子元件与材料 2014年第09期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志专家论坛

钛酸钡基介电调谐材料制备与性能研究进展

摘要:结合当前国内外介电调谐材料的研究进展,提出考虑各性能指标协调问题,从材料的配比、制备的工艺、性能的测试等因素着手,来获得性能优良的移相器用介电调谐材料。对钛酸钡(BaTi03)基材料可通过取代、复合及流延工艺等改性技术,综合提高其性能,满足实际相控阵雷达应用需求。
1-5
电子元件与材料杂志综述

非水系锂空气电池的研究进展

摘要:综述了近年来非水系锂空气电池的电解液、空气电极和催化剂的最新研究进展,重点介绍了非水系锂空气电池电解液的分解和空气电极的结构设计,总结了多孔碳催化剂、金属氧化物催化剂和金属催化剂在空气电极上的电催化作用以及非水系锂空气电池未来的发展方向。
6-10

石墨烯基材料在超级电容器中的应用

摘要:石墨烯具有高电导率、超大比表面积、高化学稳定性等优异的物理和化学特性,这些特性使其成为应用在电化学储能领域中的理想材料。从专利统计分析的角度,综述了目前石墨烯基材料在超级电容器中应用的情况,并展望了其未来的发展前景。
11-13

中美学者携手发现全硼富勒烯团簇

摘要:“硼化学和类富勒烯研究取得重大突破!”13日上午,山西大学分子科学研究所翟华金教授兴奋地向记者介绍说,山西大学、清华大学、美国布朗大学及复旦大学化学家密切合作,首次发现了全硼富勒烯B40团簇(A11.Boron Fullerene),并将其命名为硼球烯(Borospherene)。该研究成果于13日在国际权威学术期刊《自然·化学》在线发表。
13-13
电子元件与材料杂志研究与试制

PMS对PBSZT压电陶瓷结构与性能的影响

摘要:采用传统固相合成法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)O3掺杂的(1-x)(Pb0.92Ba0.02Sr0.06)(Zr0.52Ti0.48)O3-xPb(Mn1/3sb2/3)O3[xPMS-(1-x)PBSZT]压电陶瓷。通过XRD、SEM和准静态d33仪等手段探讨了PMS掺杂量对xPMS-(1-x)PBSZT陶瓷样品的相结构、显微结构和电性能的影响。结果表明:适量的PMS掺杂有助于降低陶瓷样品的烧结温度,x=0.01的样品在1230℃烧结具有最大体积密度7.83g/cm^2。当x=0.02时,其具有最佳综合电性能,主要参数为:d33=349pC/N,κp=0.592,εr=1587,tanδ=0.46%。
14-17

Cu2O微晶的晶面可控制备及表征

摘要:以氯化铜和NaOH为原料,葡萄糖为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂,液相还原可控制备出Cu2O微晶。利用SEM、XRD等表征手段对其形貌及物相进行分析,研究反应温度、反应时间以及PVP加入量对Cu2O微晶形貌结构的影响机理。得出80℃为最佳反应温度,3h为最佳反应时间,且随着PVP与铜盐的摩尔比增加,{111}晶面与{100}晶面面积比逐步增大,Cu2O微晶的形貌也呈现出立方体、削角立方体到削角八面体的演化规律。
18-21

Pb^2+掺杂对Ce:YAG微晶玻璃光谱性能的影响

摘要:采用高温固相熔融法制备了Ce^4+,Pb^2+掺杂的Ce,Pb:YAG微晶玻璃。通过XRD、SEM和荧光光谱测试表征了微晶玻璃的晶相、微观形貌及光谱性能,研究了Pb^2+掺杂对Ce:YAG微晶玻璃发光性能的影响。结果表明,Pb^2+的掺杂并未影响Ce:YAG的结构,且明显提高了微晶玻璃的发光强度。当PbO掺杂量为质量分数0.5%时,发光强度达到最大,且此时微晶玻璃晶粒间的分散性好于未掺杂PbO的微晶玻璃样品。
22-24

纤维素对光伏电池电极铝浆流变性能的影响

摘要:研究了太阳能电池铝电极浆料中乙基纤维素(EC)的相对分子质量对浆料流变特性的影响,对比了含有不同相对分子质量的EC的铝浆的丝网印刷效果。结果表明,随着EC相对分子质量的增大,一方面,浆料的触变性大幅度提高,高剪切速率下的黏度下降,有利于丝网印刷时浆料通过网孔;另一方面,印刷线条高宽比逐渐提高,线条断面形状趋于矩形。由此可见含有相对分子质量较大的EC的铝浆的流变性能更满足太阳能电池电极的高精度印刷要求,有利于太阳能电池效率的提高。
25-29

纳米银粉在低温银浆中的烧结工艺研究

摘要:为了在柔性基材上获得导电性良好的导电线路,以直流电弧等离子体蒸发凝聚法制备了纳米银粉,并以其作为导电功能相制备了低温银浆,对其烧结工艺展开了研究。结果表明所制的银粉为一种球形度高、结晶性良好、不同大小纳米颗粒复合的粉体,以其制备的银浆在250~300℃烧结即可形成导电性膜层,且烧结温度越高,所得膜层方阻越低。但烧结温度较高时,需缩短烧结时间,以避免膜层剧烈收缩产生的裂纹降低膜层的导电性。所制银浆经300℃烧结30min所得膜层的导电性最好,方阻可低至8.8mΩ/囗。
30-33

硝酸介质对铝箔直流脉冲电蚀电流密度的影响

摘要:通过在硫酸一盐酸混合电解质中加入硝酸,研究了在直流脉冲电蚀铝箔的过程中,硝酸介质对电蚀电流密度的影响。结果表明:在硫酸和盐酸电解质体系中,直流脉冲的峰值电流密度需大于0.8A·cm^-2。才能在铝箔表面生成隧道孔,但在加入0.2~0.3mol/L硝酸后可将生成隧道孔所需的电流密度降至0.3A·cm^-2。在3mol/L硫酸及1mol/L盐酸的混合溶液实验条件下,电解质中适宜的硝酸浓度为0.2mol/L。
34-37

SnO2厚膜与基板附着强度及气敏性能研究

摘要:通过溶胶一凝胶法制备了SnO2纳米粉末,用丝网印刷法制备了以氧化铝陶瓷为基板的SnO2厚膜。分别采用SEM、XRD及电化学工作站表征了SnO2的结构与形貌并测试了其气敏性能。结果表明,所制备的SnO2平均颗粒粒径约为60nm,为四方相结构。与SnO2直接附着在氧化铝基板的厚膜(样品A)相比,以玻璃粉作为SnO2和氧化铝基板粘结剂的厚膜(样品B)附着强度更高,解决了SnO2与氧化铝基板附着强度差的问题;以玻璃粉为粘结剂制备的厚膜对H2具有稳定的气敏性能。
38-40

二氧化锡对H2响应值与气体浓度关系的定量研究

摘要:为了得出不同焙烧温度、工作温度及Pt负载条件下SnO2材料对H2的响应值与H2浓度间的定量关系。通过溶胶.凝胶法制备了Sn02纳米粉末,用丝网印刷制备以氧化铝陶瓷为基板的Sn02厚膜。分别用SEM、XRD及电化学工作站表征了SnO2的结构与形貌并测试了其气敏性能。结果表明,所制备的纯SnO2平均颗粒粒径约为60nm,为四方相结构。焙烧温度越高,材料对H2的响应值越低,当焙烧温度为600~800℃时”值(响应值的对数与气体浓度的对数作图的斜率)不变;工作温度在200~400℃时,随着工作温度的升高”值降低;Pt负载SnO2与纯SnO2相比,Pt负载SnO2对H2的响应.恢复时间缩短,响应值提高,n值无明显变化。
41-44

T型薄膜热电偶灵敏度与薄膜电阻率的关系

摘要:在优化薄膜制备工艺的基础上,通过实验对Cu、CuNi薄膜的电阻率与T型薄膜热电偶(TFTC)灵敏度之间的关系进行了研究。首先,通过设计正交试验,以Cu、CuNi薄膜电阻率为考察指标,得到了影响电阻率的主次因素以及各工艺参数对薄膜电阻率的影响规律。然后根据实验结果确定工艺参数条件,制备出了薄膜电阻率不同的3个T型薄膜热电偶,并对其灵敏度进行了实验标定。标定结果表明:T型薄膜热电偶的薄膜电阻率越小,其灵敏度越大。
45-49

微气体传感器微热板电极结构的设计与优化

摘要:设计了一种微气体传感器微热板的电极结构,利用有限元分析工具ANSYS对该微热板的温度场和磁场分布进行了分析和优化,研究了微热板加热电极的宽度和间距对温度分布的影响,并对测量电极的结构进行了优化。结果表明:当微热板加热电极的宽度和间距分别为20μm和10μm且测量电极为无叉指结构时,微热板中心区域能获得高且均匀的温度分布,并且磁场强度最小且分布均匀,这种电板结构有助于消除磁场对测量信号的干扰,提高传感器的整体性能。
50-53

可调节纳米天线能改变光性质

摘要:最近,美国伊利诺斯大学厄本那一香槟分校一个研究小组开发出一种新奇的可调节纳米天线,利用电子扫描显微镜操控的等离子场增强产生机械运动,改变纳米天线间隙,使之重新排列组合。这也为将来开发新型等离子光机系统铺平了道路。相关在最近的《自然·通讯》上。
53-53

一种新型亚波长光栅结构透射增强特性及机理研究

摘要:通过引入谐振腔,设计了一种具有较强透射特性的亚波长金属光栅。引入有耗Drude色散媒质模型,采用时域有限差分算法(Finite-Difference Time-Domain,FDTD),研究金属光栅的透射增强特性并分析了光栅几何参数对透射特性的影响。计算结果表明,所设计内壁刻有谐振腔的三层光栅比单层光栅具有更好的滤波效果,其透射光谱峰值可达84%,为带通滤波器的设计提供了参考。并利用波导Fabry-Perot(F-P)腔谐振效应分析了透射峰的漂移现象。
54-57

一种带曲率补偿的低功耗带隙基准源设计

摘要:基于UMC 0.25μmBCD工艺,设计了一种带二阶曲率补偿的低温漂带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个与热力学温度的平方成正比的电流叠加到基准的核心部分,达到二阶曲率补偿的效果。仿真结果表明,在4.5V供电电压下,-40~+150℃内,基准电压的波动范围为1.2134~1.2153V,温度系数为1×10^-5V/℃;供电电压在2.5~5.0V变化时,基准输出电压VREF的线性调整率LR为0.00695%,低频时电路电源抑制比为-70dB,整体静态电流仅为20.1μA。
58-61

基于方形环谐振器的双模宽带滤波器设计

摘要:基于微带方形环谐振器,采用一种新的微扰方式来实现奇偶模分裂,并对其模式分裂机制进行分析。采用阶梯阻抗微带线结构实现输入/输出与双模谐振器之间的强耦合,构成了宽带带通滤波器。测试结果表明,该滤波器中心频率为4.97GHz,通带内最小插损为1.33dB,3dB相对带宽为24.75%,并且具有准椭圆函数响应,改善了阻带抑制特性。
62-65