稀土掺杂BTO基纳米陶瓷的制备及介电性能
摘要：采用＂连续有序可控爆发式成核＂纳米粉体制备技术,以BaCl2、SrCl2.6H2O、TiCl4为原料制备了BaxSr1–xTiO3及BaxSr1–x–yGdyTiO3纳米粉体和陶瓷,研究了所制粉体和陶瓷的微观结构及性能。结果表明：所制纳米粉体分散性好,粒径分布范围窄,平均粒径小于40nm;BaxSr1–xTiO3介电常数随锶掺杂量的增加有增大的趋势,在1 325℃烧结得到的Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷的介电常数最大,达到30 000 F/m。BaxSr1–x–yGdyTiO3介电常数随Gd掺杂量的增加趋于减小,在1 325℃烧结得到的Ba0.8Sr0.18Gd0.02TiO3的介电常数最大,达到近25 000 F/m。Zr与稀土Nd复合掺杂对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响
摘要：在1 270℃的烧结温度下,采用固相反应法对BaTiO3粉体进行Nd2O3和ZrO2双施主复合掺杂,合成（Ba0.98Nd0.02）（Ti1–xZrx）O3（BTNZ）陶瓷,研究了Zr掺杂量对BTNZ陶瓷的显微结构及介电性能的影响。结果表明：随着Zr掺杂量的增加,BTNZ陶瓷的介电峰移向室温;加入适量的Zr离子替代BaTiO3中的Ti离子能很好地改善BTNZ陶瓷的介电性能,当Zr掺杂量为x=0.01时,BTNZ陶瓷的相对介电常数可达7 200。碳酸锰和纳米钛酸钡的添加对钛酸钡陶瓷的影响
摘要：以钛酸丁酯和乙酸钡为起始原料,采用液相法制备了纳米钛酸钡。研究了纳米钛酸钡和碳酸锰的掺杂对普通亚微米级钛酸钡的形貌及介电性能的影响。结果表明,在普通钛酸钡中加入一定量的纳米钛酸钡可以促进晶粒的生长,同时提高陶瓷的介电常数。而在普通钛酸钡中加入一定量的碳酸锰则可以抑制晶粒的生长。但同时添加碳酸锰和纳米钛酸钡,碳酸锰对晶粒生长的抑制作用将居于主导地位,并且此时钛酸钡陶瓷的介电常数温度特性曲线与单独添加锰离子时的走势基本相同,室温附近的介电常数峰将由于钛酸钡陶瓷的细晶效应而弥散。ZnO-B_2O_3玻璃对Mg_2TiO_4微波介质陶瓷结构和性能的影响
摘要：利用传统固相烧结法制备了ZnO-B2O3玻璃掺杂的Mg2TiO4微波介质陶瓷,研究了ZnO-B2O3玻璃掺杂对所制陶瓷相成分、微观形貌和微波介电性能的影响。结果表明：ZnO-B2O3玻璃掺杂能使Mg2TiO4陶瓷的致密化温度降低200℃左右。当Mg2TiO4中掺杂质量分数2%的ZnO-B2O3玻璃时,经1 300℃烧结所得陶瓷微波性能较好：εr=13.62、Q.f=101 275 GHz、τf=–51×10–6/℃。湖南仁海新研发的高温刚玉莫来石推板及承烧板通过国家质监中心检测
摘要：湖南仁海科技材料发展有限公司于近期新研发生产的高温刚玉莫来石推板及承烧板,通过国家耐用火材料质量监督检验中心检测已达到日本标准。主要服务于电子陶瓷、电子真空、电子基片、氧化锆、稀土材料等行业。最高使用温度达到1750℃以上，溶剂热法制备氧化亚铜纳米晶粒
摘要：以甘油和氧化铜为原料,采用溶剂热法制备了纳米氧化亚铜粉体。将甘油和氧化铜按一定的摩尔比混合并加入适量的分散剂（PVP＋SDBS）,然后快速搅拌、加热并在430～440 K反应一定时间,随后在继续搅拌情况下冷却至室温,然后静置抽滤,在把过滤产物用无水乙醇洗涤数次并400 K真空干燥4 h后,得到了红色纳米氧化亚铜粉体。XRD和SEM分析结果表明,所制纳米氧化亚铜粉体属立方晶系,粒子呈球形,粒径约40 nm。制备工艺对ITO薄膜的电阻率及沉积速率的影响
摘要：采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡[ITO,In2O3：SnO2=90：10（质量比）]薄膜,详细探讨了溅射气氛氧氩体积比、溅射功率及溅射气压对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响。结果表明：溅射工艺参数对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响十分明显。随着氧氩体积比的增大,样品的电阻率显著增大,沉积速率下降;随着溅射功率的增加,ITO薄膜的电阻率先减小后略微增大,沉积速率上升;随着溅射气压升高,ITO薄膜的电阻率先减小后增大,当溅射气压增大到较大值时,ITO薄膜的电阻率又开始减小,而沉积速率则先上升后下降。ZnO：Ag薄膜的制备及其光学性能研究
摘要：采用蒸镀与氧化二步法,以高纯混合金属Zn：Ag作蒸发源,在石英衬底上沉积Zn：Ag金属薄膜,经不同热氧化处理生长Ag掺杂ZnO薄膜。结果显示,以Ag含量为质量分数3%的蒸发源沉积的Zn：Ag薄膜经500℃氧化后,生成的ZnO：Ag薄膜在380 nm附近出现很强的近带边紫外发光峰,在438~470 nm附近出现较弱的深能级缺陷发光峰,该薄膜在360 nm有接近垂直的吸收边,其载流子浓度为1.810×1021cm–3,表现出p型导电特性和较好的光学质量。Au/STO/Pt三明治结构阻变存储器性质研究
摘要：采用脉冲激光沉积法（PLD）在Pt衬底（Pt/TiO2/SiO2/Si）上制备了SrTiO3（STO）薄膜,并对其表面特性,表面组成和结构进行了研究分析。在此基础上制备了具有三明治结构的Au/STO/Pt阻变器件,并测试了其I-V特性。结果显示：空间电荷限制电流（SCLC）机制对SrTiO3薄膜中氧空位的运输起了决定作用;薄膜界面缺陷对载流子的俘获与去俘获导致了SrTiO3薄膜I-V特性的产生。能同时利用多种环境能源的芯片问世
摘要：据物理学家组织网7月10日（北京时间）报道,美国麻省理工学院（MIT）的科学家首次研制出一款能同时利用自然光、热和环境中的波动等能源的新式芯片。该研究由电子工程和计算机科学系主任安桑娜.查达拉卡桑的实验团队实施。查达拉卡桑解释到,新型LiFePO_4/AC混合超级电容器的制备和性能研究
摘要：以橄榄石型磷酸亚铁锂（LiFePO4）为正极,活性炭（AC）为负极,制备了LiFePO4/AC混合超级电容器。通过充放电、倍率和漏电流测试,系统研究了所制混合超级电容器的电化学性能。结果表明,在正负极活性物质质量比为0.8∶1.0的条件下,混合超级电容器综合性能最佳：比容量为25.38 mAh.g–1,比能量为3.21 Wh.kg–1,分别是活性炭超级电容器的2.83倍和2.17倍,且在大倍率充放电下循环稳定性好、漏电流小,在1600 s后漏电流为0.25 mA。偏轴对圆柱形电容器耐压能力的影响
摘要：利用分式线性变换研究偏轴圆柱形电容器内的电场分布,分析偏轴对电容器耐压能力的影响,得到偏轴电容器的耐压能力随偏轴距增大而降低的结论,并给出理论数据用以指导偏轴距的控制,供电容器生产工艺中使用和参考。科学家首次用光改变人造超分子手性
摘要：据物理学家组织网7月11日（北京时间）报道，美国科学家首次研制出一种人造分子，可用一l束光改变其于性，这种分子可应用于包括生物医学研究、国土安全和超高速通讯在内的太赫兹技术领域，相关研究发表在《自然·通讯》杂志上。小型化SIR同轴腔体双通带滤波器研究
摘要：基于频率变换技术的双通带滤波器综合理论,应用阶跃阻抗谐振器（SIR）的基本原理,在双通带滤波器设计中引入λg/4型SIR同轴腔体谐振单元,设计了一种交叉耦合型拓扑结构的小型化同轴腔体双通带滤波器,相比于实际长度λg/4的传统滤波器,尺寸压缩了约50%。仿真结果显示,两个通带内回波损耗均大于20 dB,插入损耗小于0.1 dB,通带之间的阻带衰减特性良好。该滤波器的两个传输零点提高了阻带抑制度,满足了通信系统对滤波器小型化、低插损、高选择性的要求,能够广泛应用于双频带通信系统。基于铁电移相器的Ka波段低成本相控阵天线研究
摘要：为解决铁电体陶瓷移相器中高相对介电常数材料间的匹配问题,研制了一种可用于Ka波段低成本相控阵天线的新型铁电体陶瓷材料移相器,并用其设计制作了一种一维电扫低成本相控阵天线。结果表明：通过利用三级阻抗匹配技术,所制新型移相器中高相对介电常数材料间的匹配问题得到了有效解决。当外加偏置电压约为11 kV时,该移相器可在损耗小于2.2 dB的情况下实现360°相移。挠性板部分埋入制作刚挠结合板
摘要：介绍了一种刚挠结合板制作新技术,只在需要弯折的部位埋入挠性板,通过挠性板使各刚性板之间实现互连。详细分析了设计与材料对刚挠结合板的影响,研究了预压合保护膜、挠性板埋入层压等关键工艺,给出了工艺难点的具体解决办法。结果表明,该技术提高了挠性板材的使用率,简化了挠性板及刚挠结合板加工工艺,使刚挠结合板成品率提高至少8%。半柔性同轴电缆外导体整体镀锡专用助焊剂
摘要：经过对溶剂、活性成分和表面活性剂特性的分析,开发了一种半柔性同轴电缆外导体整体镀锡专用助焊剂。实验结果表明,所开发的#4助焊剂[w（己二酸）=1.0%、w（癸二酸）=1.0%、w（阳离子表面活性剂）=0.3%、w（非离子型表面活性剂）=0.1%、乙醇余量]在镀锡过程中气体释放量小,所获得的镀锡层表面连续、光滑,基本上消除了针孔缺陷,同时可以保证锡液能很好地渗透到编织网屏蔽层的内部,形成牢固的镀锡层。碳纳米管全晶片数字电路首次研制成功
摘要：据物理学家组织网6月15日（北京时间）报道,最近,美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法,首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路。碳纳米管在能效方面有望比硅基线路提高10倍。＂作为未来的密集型高能效集成电路,碳纳米晶体管极具吸引力。
