电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2017年第01期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

化学助剂作用下银纳米线生长机制与尺寸控制的研究进展1-7

摘要：介绍了液相法制备银纳米线（AgNW）过程中常用的阳离子型控制剂、阴离子型控制剂和分子型控制剂三类化学控制剂对银纳米线尺寸的影响；阐述了不同种类化学控制剂的作用机理，总结了化学控制剂作用下银纳米线的形成机制，分别是：多孪晶颗粒单轴生长机制、溶解平衡机制、定向附着机制以及自组装机制；对液相法制备银纳米线过程中常用的高分子包覆剂的种类及作用机制进行了归纳；最后结合实际问题，分别指出化学控制剂与包覆剂在制备银纳米线时的优点与不足。

BiScO3-PbTiO3基高温压电陶瓷研究进展8-13

摘要：兼具优异压电性能和高居里温度（tC）的压电陶瓷在高温极端环境条件下具有非常重要的用途，是当今压电铁电材料研究热点之一。简要总结了压电陶瓷的居里温度、压电介电性能等的影响因素，重点介绍钙钛矿结构BiScO3-PbTiO3（BSPT）二元体系，从离子取代、化合物复合、氧化物掺杂等方面归纳总结该体系的改性研究进展。

电子元件与材料杂志研究与试制

B位Ta/Zr共掺对无铅BNKT-ST-TaxZry陶瓷的储能特性和14-20

摘要：采用固相合成法制备了B位Ta/Zr共掺杂的0.96[Bi1/2(Na0.84K0.16)1/2(Ti1–x–yTaxZry)O3]-0.04SrTiO3（简称BNKT-ST-TaxZry）(x=0~0.025,y=0~0.20)无铅陶瓷。研究了B位Ta/Zr共掺对BNKT-ST-TaxZry无铅三元陶瓷微观结构、电性能和储能密度的影响。结果表明：随着Ta和Zr含量的增加，陶瓷的压电常数d33减小，陶瓷向先兆性压电体转变；饱和极化强度、剩余极化和矫顽场降低，陶瓷的弛豫特性增加；储能密度先增加后降低，并且储能密度在x=0.01，y=0.05时达到最大值(1.005J/cm3)，储能效率持续增加。

Ce添加对Mn-Al基合金微波吸收性能的影响21-26

摘要：采用真空悬浮熔炼和高能球磨工艺制备Mn-Al基合金粉体，使用XRD、SEM和网络矢量分析仪研究Ce含量对MnAl粉体组织结构和微波吸收特性的影响。结果表明：随着加入Ce含量的增加，AlMnCe粉体Al8Mn4Ce相随着增多，同时AlMnCe合金粉体复数介电常数虚部ε″和复数磁导率虚部μ″的共振峰频率及反射损耗峰频率均向低频移动；当涂层厚度为1.8mm时，Al8Mn4Ce粉体的反射率最小值达到约–26.9dB。

石墨烯声子平均自由程随温度变化规律研究27-32

一种新型石墨烯/多孔氮化硅复合材料的制备及性能研究33-37

摘要：基于等离子体增强化学气相沉积法、干法刻蚀技术、化学气相沉积法及腐蚀基底法，制备了一种新型石墨烯与多孔氮化硅复合材料；该结构的氮化硅衬底具有不同的形貌结构（孔阵列及沟道阵列）。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱仪对石墨烯/多孔氮化硅复合材料进行表征和表面应力特性研究。结果表明：不同形貌结构的氮化硅与石墨烯复合后的表面应力不同。表面粗糙度、表面形貌及表面面积是影响复合材料表面应力的主要因素。其中，氮化硅多孔形貌结构（应变0.1%~0.12%）与氮化硅沟道形貌结构（应变0.16%~0.27%）相比，更有利于缓解石墨烯/多孔氮化硅复合材料的表面应力集中问题。

具有平坦群时延特性的小型高温超导滤波器设计38-43

摘要：为制作小型化线性相位高温超导滤波器，提出了一种新型开环分形谐振器，谐振器间耦合小且衰减快，可减小滤波器尺寸与不必要的寄生耦合。再者，使用相邻CQ单元共用谐振器的设计方法减少谐振器的数目进一步减小滤波器的尺寸。最后在MgO基底上设计出一个拥有三对传输零点的十阶高温超导滤波器，其带宽60%范围内群时延的波动在1ns以内，版图大小仅有20mm×10mm，达到了相位均衡与小型化的目的。其边带陡峭度达到2dB/MHz，带外抑制达到40dB，回波损耗最高为23.92dB，插入损耗小于0.1dB。

基于MATLAB的腔体滤波器耦合矩阵诊断调试44-47

摘要：根据柯西法提取耦合系数，结合遗传优化算法构建滤波器耦合矩阵的诊断模型，并在Matlab中编程实现了腔体带通滤波器的诊断。通过诊断即从仿真或测试的滤波器S参数中提取的耦合矩阵，与综合的理想耦合矩阵进行比较，对滤波器下一步调谐的方向和幅度进行指导。以一个七阶交叉耦合腔体滤波器的研制为例，通过Matlab与HFSS联合仿真，诊断优化后的回波损耗满足预期指标，验证了该诊断方法的有效性。

陶瓷基交指微带带通滤波器的设计48-50

摘要：设计制作了一款小型化、温度稳定性高的交指微带带通滤波器。该滤波器选择高相对介电常数的MgxZnyCazLauTiO3陶瓷材料做基板（εr=25，tanδ=0.00001，τf=0/℃，基板厚度0.381mm），利用HFSS仿真软件，对该滤波器在3.92~4.52GHz通带内进行了仿真。仿真结果显示，该滤波器中心频率为4.2GHz，相对带宽14%，带内插损小，带外抑制良好。按照仿真尺寸进行实物加工并测试，实测结果与仿真吻合良好。

有源层表面性质对晶硅电池暗I-V特性的影响51-56

摘要：利用有限差分法求解半导体器件基本方程，研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明：当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷，且三者起施主型和受主型陷阱作用时，正向偏压下的晶硅电池暗I-V特性曲线与理想二极管I-V特性曲线相同，但当正向偏压大于PN开启电压0.59V，晶硅电池暗I-V特性曲线将偏离理想二极管I-V特性曲线，且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大；当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时，晶硅电池暗I-V特性曲线将偏离理想二极管I-V特性曲线；就对暗I-V特性曲线的影响而言，复合中心最大，施主型次之，受主型最小。

直流溅射法制备SnO2纳米颗粒的机理及工艺研究57-61

摘要：采用直流溅射法成功制备出了SnO2纳米颗粒，分析了SnO2纳米颗粒的形成机理，研究了不同溅射时间、不同衬底材质对SnO2纳米颗粒形成的影响规律。结果表明，溅射时间对SnO2纳米颗粒的尺寸有显著影响。随溅射时间延长，颗粒尺寸呈线性增长，从约20nm(1min)增长到约80nm(10min)。衬底材质则对SnO2纳米颗粒的形态及分布有显著影响。对比单晶硅、载玻片、喷金载玻片三种不同衬底材质，发现以单晶硅为衬底的纳米颗粒分布均匀，而以载玻片为衬底的纳米颗粒分布不均，并且随溅射时间延长，以载玻片为衬底的纳米颗粒发生团聚生长，颗粒粗大。载玻片衬底喷金处理后可使纳米颗粒的形貌及分布得到改善。

基于CRLH传输线的微带漏波天线的研究与设计62-67

摘要：提出了一种基于谐振频率的等效电路参数提取方法，该方法可以精确地描述多节复合左右手传输线结构，并通过仿真软件研究了其物理模型及等效电路模型的一致性，从而验证了这种新的参数提取方法。根据此种新的等效模型设计制作了复合左右手传输线型微带漏波天线，并利用网络分析仪对它的S参数进行了测量。结果表明，所设计的平衡状态下的微带漏波天线波束方向随着频率的变化而变化，并且改变传统漏波天线仅能实现前半空间扫描的局限性，并拓展漏波天线扫描范围至全空间，同时在各个波束方向上的能量也较为均匀，相比于传统漏波天线，尺寸缩小接近50%。

基于HFSS和神经网络的RFID读写器天线设计68-71

摘要：提出了一款超高频频段（UltraHighFrequency，UHF）（912~935MHz）和ISM频段（2.415~2.465GHz）的RFID读写器圆极化单层结构微带天线，采用FR4板材为基板、辐射贴片采用切四角的缝隙贴片的结构，实现了天线的小型化设计，满足了天线的设计要求。通过HFSS三维电磁仿真软件和神经网络（NeuralNetwork，NN）对天线模型进行了仿真分析。结果表明：回波损耗小于–10dB的阻抗带宽为23MHz（912~935MHz）和50MHz（2.415~2.465GHz）；在UHF频段与ISM频段内，读写器天线的最大增益为–3.6dB和1.857dB，能满足我国射频识别读写器的应用要求。

一种新型V型槽圆极化微带贴片天线72-75

摘要：提出了一种基于非对称V型槽加载的探针馈电圆极化单层钻石形微带贴片天线。通过调节V型槽的槽宽、槽长、开槽倾角及馈电点位置可实现微带贴片天线的圆极化辐射。研究了V型槽尺寸对微带贴片天线性能的影响。结果表明：介质厚度为0.051λ0（λ0为中心工作波长）时，天线的阻抗带宽大于9%（VSWR≤2），圆极化带宽为3%（AR≤3），最大增益可达6.29dBi，最小轴比小于0.5dB。

混合磁芯脉冲电压耦合器的宽频带电路仿真模型76-79

摘要：采用阻抗不同的AB两种磁芯，提出了两种混合AB磁芯的脉冲电压耦合器模型，即AA+BB和A+B两种混合磁芯设计方案，然后建立了电路仿真模型进行分析；最后，制作试验电路对该耦合器进行高压电容器放电试验。高压试验结果表明，混合磁芯耦合器的仿真电压和电流波形与试验波形基本吻合，从而验证了电路仿真模型的正确性。

铝基覆铜板导热系数测试方法改进分析80-84

摘要：为方便准确地测量铝基覆铜板的导热系数，设计了一种改进的导热系数测试方法。该方法用样本试件作为参照，利用两试件随环境变化导热系数比值近似不变的原理，求出待测试件的导热系数。经过理论分析与仿真验证后，搭建了一种新的铝基覆铜板导热系数测试平台。实验结果显示，该平台有效减少了测量误差，简化了操作流程，节约了实验成本。

电子元件与材料杂志理事论坛

石墨烯应用技术年终盘点85-86

摘要：基于中国石墨烯产业技术创新联盟、中关村石墨烯产业联盟等多家石墨烯研发组织的资料，整理概括了截止2016年底石墨烯应用技术在发展规模、技术成熟度、重点技术领域、标准、专利以及政策支持等信息，汇聚了多方观点，显示了石墨烯应用技术的发展方向。