电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2016年第12期杂志 文档列表

Sn-Cu-Ni系电子封装互连材料的研究进展简1-6

摘要：本文综述了近年来对Sn-Cu-Ni系无铅钎料的研究成果,着重阐述稀土元素Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、La-Ce混合稀土以及金属Ge、Ag、Bi元素对Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性能、熔化特性、力学性能等的影响,在此过程中也指出了存在的问题并提出解决的办法。

偶联剂处理对吸波材料电磁特性影响的研究进展简7-11

摘要：偶联剂是常见的表面改性剂,广泛应用在复合材料表面改性处理领域,其应用于吸波材料表面改性的技术也是吸波材料的研究热点之一。首先总结了制备方法、偶联剂的种类和添加量这些因素对偶联剂改性吸波材料电磁特性影响的研究现状,然后分析了这些因素对吸波材料的电磁参量调控的重要作用,最后展望了偶联剂处理技术改善吸波材料吸波性能的未来前景。

毫米波化合物半导体材料研究进展简12-16

摘要：毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点。本文对以砷化镓、磷化铟、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望。

不同底层对CoFeB/Pt多层膜垂直磁各向异性的影响研究简17-20

摘要：采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了以Ru,Cu,Pt和Ta为底层的Co Fe B/Pt多层膜样品,研究了各底层对Co Fe B/Pt多层膜的反常霍尔效应的影响。发现Ru和Cu作为Co Fe B/Pt多层膜的底层在保持样品的垂直磁各向异性方面的作用远不如Pt和Ta底层,而且样品的霍尔电阻比Pt和Ta做底层要小。Ta作为Co Fe B/Pt多层膜的底层与Pt作为底层相比能够更好地和多层膜晶格匹配,并且在400℃退火后反常霍尔效应得到增强。霍尔电阻提高近80%,矫顽力达到了5.7×103 A·m–1,有望作为垂直自由层应用到磁隧道结构中。

ZnAl2O4纳米颗粒的固相合成及其机理研究简21-25

摘要：结合机械力化学与声化学反应,固相合成尖晶石型Zn Al2O4纳米颗粒。借助于X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）,分析样品的表面形貌、晶体结构、化学成分及反应过程。研究结果表明:振动研磨2 h后,Al颗粒尺寸大约为0.5μm,颗粒内部存在大量的位错缺陷,有利于机械力化学反应。将研磨后的Al颗粒超声水解3 h制备出Al（OH）3白色乳胶液,经干燥、焙烧后得到多孔、片状、活性γ-Al2O3纳米颗粒,颗粒尺寸分布在30150 nm之间。将Zn O/γ-Al2O3固相合成制备出尖晶石型Zn Al2O4纳米颗粒,在温度为200600℃范围内,Zn O/γ-Al2O3完成了晶核成型、晶体生长和颗粒成型过程,600℃时颗粒尺寸为3050 nm,且具有良好的分散性。随着温度升高,颗粒尺寸增大,结晶度提高。

玻璃/Al2O3系MLCI介质材料的微观结构与性能研究简26-30

摘要：采用烧结法制备了一种低温共烧（LTCC）K2O/Na2O-B2O3-SiO2玻璃/Al2O3介质材料。系统研究了玻璃/Al2O3比例和烧结温度对介质材料结构与性能的影响。结果表明,材料烧结后只有Al2O3晶相,材料烧结属于液相烧结机制。介质的相对介电常数εr随Al2O3含量的增加而升高,Al2O3质量分数为35%时,经860℃烧结材料的性能最优:εr=5.93,tanδ=3.1×10–3,收缩率为16%,抗弯强度为159 MPa。所制备的介质材料能够用于高频MLCI领域。

MIM测试结构表征介电薄膜高频特性的研究分析简31-35

摘要：采用金属-绝缘体-金属(MIM)测试结构表征薄膜高频特性时,差动法能有效地剥离测量过程中寄生效应对表征结果的消极影响。为此,借助仿真软件ADS深入探究了差动法中不同内径的结构组合,以及结构中底部电极的厚度和材料对表征结果的影响。结果表明:组合DM65-55(两个结构的内径分别为65μm和55μm)能较大限度剥离寄生效应的影响,其表征精度高达98.7%;底部电极厚度为0.1μm时,能得到较理想的表征结果;底部电极材料的改变对损耗角正切值的计算影响较大,其均值随着材料的电阻率减小而减小。

Ce掺杂对Mn-Co-O系热敏电阻材料性能的影响简36-39

摘要：采用共沉淀法制备了Mn1.5–xCo1.5O4（x=0,0.04,0.08,0.12,0.16,0.20）系列NTC热敏电阻样品,运用XRD、SEM和电学测试等手段,系统的研究了铈掺杂对样品相结构和电性能的影响。结果表明:随着Ce含量的增加,样品的主相仍是尖晶石结构,伴随着析出富Ce的岩盐相。随着Ce的掺杂量由0增加到0.20,Mn-Co-O系NTC热敏电阻的电阻率由627?·cm增加到948?·cm,材料常数由4 382 K降到4 140 K。

利用光栅提高红外非制冷热探测器效率的研究简40-44

摘要：非制冷探测器的制备,最常用的方法是通过微机械加工在CMOS读出电路上制作悬桥来实现。传感器将吸收的热量转化为电压信号或电流信号变化由检测电路检出,但该结构吸收效率偏低。本研究提出了一种基于表面等离子体谐振吸收的红外探测器结构。分析了光栅及器件结构参数对红外光学吸收的影响,采用COMSOL软件仿真,研究了金属-介质-金属三明治结构红外探测器的吸收效率,并通过结构参数的优化使吸收结构对特定红外波段的吸收率达到98%以上,在整个波长范围内平均吸收效率达30.5%。

纳米MOSFET器件电流噪声测试方法研究简45-48

摘要：针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统。在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大器,能有效抑制外界干扰。应用该系统对实际纳米MOSFET器件进行噪声测试得到其电流噪声,在测试基础上通过计算分别得到热噪声和散粒噪声,同时分析器件工作在亚阈区和反型区下的电流噪声随源漏电压和电流的变化关系。结果表明测试结果与理论分析吻合,验证了测试系统的准确性。

基于有限元法LED散热强化研究简49-53

摘要：为了解决大功率LED散热问题,构建了包括LED固体部件及外部流体空间的三维数学模型。基于有限元法,应用k-ε模型模拟自然对流换热条件下LED模组散热情况。模拟结果表明,LED模组温度场分布不均,芯片结温较高;受芯片功率密度及位置布设的影响,中心翅片的散热效果差。通过改变散热器结构,设计了两种翅片组合形式,虽然换热面积有所减少,但由于中心翅片的对流换热得到强化,达到了降低结温的效果,提高了散热性能。

交叉耦合微带带通滤波器简54-56

摘要：针对无线通信系统小型化的要求,设计了一种带有交叉耦合的带通滤波器,该滤波器采用带过孔的终端短路式耦合线为谐振单元,同时加入了交叉耦合线改善滤波特性;整个结构紧凑,具有插入损耗低、选择性高、带外抑制度佳等特点,实测结果与仿真吻合较好,中心频率为4.2 GHz,3 d B带宽为400 MHz,驻波比小于1.5,体积仅为8 mm×6 mm×0.7 mm。

基于粒子群隐式空间映射算法设计的双频滤波器简57-60

摘要：将粒子群算法(Particle Swarm Optimization,PSO)用在隐式空间映射(Implicit Space Mapping,ISM)的参数提取中,可以有效改善参数提取过程中算法的不收敛性。首次在参数提取中引入PSO,主要的研究内容是改进了ISM算法。通过改进ISM算法中粗糙模型(Coarse Model,CM)与精细模型(Fine Model,FM)之间的参数映射,可以明显减少迭代次数。以一个双模滤波器为例,利用粒子群ISM算法设计了一个可以工作在无线局域网(WLAN)频段的微带双频带滤波器,中心频率分别是2.45 GHz和5.25 GHz。滤波器经过3次迭代并进行微调后达到了设计指标。由此可见,引入PSO之后显著地减少了在FM中的仿真次数,有效地提高了滤波器的设计效率。

选择性穿透阳极氧化工艺的三维铝封装技术研究简61-66

摘要：针对微系统高可靠集成需求,提出了一种三维铝封装集成微系统多功能器件的结构和方法。通过铝基板选择性穿透阳极氧化试验、低应力低空洞灌封试验和激光侧边电路刻蚀试验,实现了32 G固态存储器集成。研究结果表明,通过致密性氧化可实现内埋布线氧化终点的控制,采用阶梯式固化可降低灌封应力,优化的激光参数可获得侧边电路互连。首批试制固态存储器读写性成品率达73%,与同类3D-plus存储器相比,体积减少约55%,质量减轻约40%。

BaTiO3复合硅胶对IGBT模块内部电场分布的影响简67-70

摘要：分析了IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)高压功率模块的内部电场绝缘问题。模块封装中使用的硅胶的电场承受能力直接影响了整个模块的绝缘表现,通过使用有限元分析方法,分析和确定了模块中最大电场存在的位置。结果表明,影响局部放电最关键的部分就是被硅胶覆盖的覆铜陶瓷基板,高的局部放电效应会使得硅胶绝缘失效,最终导致IGBT模块失效;最后提出了优化解决方案。

热压烧结纳米银图案显微组织和导电性能研究简71-74

摘要：利用金相显微镜（OM）、X射线衍射（XRD）、热重分析（TGA）、扫描电镜（SEM）以及四探针法对不同压力辅助烧结的纳米银直写导电图案显微组织和电学性能进行了研究。结果表明:导电墨水的导电颗粒为金属单质银。未经压力辅助烧结的直写导电图案呈深灰色;显微组织为高低不平的多层结构,颗粒排列松散,不具备导电性能。压力辅助烧结的电路呈现明显的金属光泽,显微组织结构平整,颗粒之间形成明显的烧结颈,具有较优良的导电性能。导电图案的电阻率随着烧结压力的增加而减小,烧结压力由5 MPa升高至30 MPa,电阻率由21×10–6?·cm减小为11.2×10–6?·cm。导电图案的导电机制为电子隧道效应。

基于模态分析的印制电路板抗振优化设计简75-80

摘要：在无人机内狭小空间和振动环境下,利用ANSYS有限元软件建立印制电路板模型,在四周固定边界条件下对印制电路板进行模态分析,获得印制电路板的4阶固有频率和振型。基于模态分析结果,对印制电路板进行优化抗振设计。结果表明,优化设计后电路板的一阶固有频率提高了近90 Hz,找到了适合狭小空间下的提高电路板稳定性的方法。

《电子元件与材料》索引简81-86