电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2016年第06期杂志 文档列表

Sn-Bi系电子互连材料研究进展1-7

摘要：简述了近十年来国内外对Sn-Bi系无铅钎料的研究,着重研究Cu、Zn、Al、Ag、Ga、In、Sb、稀土等元素对Sn-Bi系低温无铅钎料的熔化特性、润湿性能、显微组织、力学性能和界面组织的影响,同时对Sn-Bi系无铅钎料研究过程中存在的问题进行了探讨并提出相应的解决方法.

超宽带天线的研究现状与展望8-15

摘要：对超宽带天线已有的研究方法进行了总结和分析,概述了相关拓宽频带的措施,总结了超宽带天线的设计思想,对近年来超宽带天线的研究现状进行了介绍,最后研究了天线的Q 因子,对未来利用Q 因子设计宽带天线进行了展望.

薄晶硅太阳电池的研究进展16-22

摘要：薄晶硅太阳电池减少硅材料厚度不仅能降低材料消耗和电池成本,还可以赋予其一定的柔韧性,拓展其在可穿戴设备、建筑光伏一体化等领域的潜在应用,成为目前太阳电池领域的研究热点.近年来的研究工作多集中在通过纳米图案化结构、等离激元效应等途径增强薄晶硅对太阳光,尤其是长波长太阳光的吸收,以弥补硅吸收层薄化后引起的吸光能力不足的问题.本文将侧重从图案化纳米结构、等离激元效应增强薄晶硅电池的光吸收性能、薄晶硅太阳电池电学性能的优化、新型薄晶硅太阳电池等方面,对薄晶硅太阳电池的发展现状进行阐述.

石墨烯基超级电容器复合电极材料的研究进展23-27

摘要：鉴于石墨烯基复合材料在超级电容器领域广阔的应用前景,综合国内外相关文献,同时结合所在课题组的研究成果,对石墨烯同金属氧化物、导电聚合物以及其他碳材料所形成的二元及三元复合材料的制备方法,及其用作超级电容器电极材料所表现出的优良性能等方面的研究进展进行了综述,最后对石墨烯基复合材料的未来发展方向进行了展望.

高g冲击载荷下多层陶瓷电容结构失效分析28-31

摘要：基于弹性力学和有限元方法对冲击载荷作用下多层陶瓷电容力学响应开展了理论和数值仿真计算.结果表明：由于自身结构特点,冲击载荷下电容易出现应力集中,基板变形对电容失效影响较大,分析了各工况下电容内部易失效位置及失效机理,其主要破坏特征为焊锡开裂造成脱焊.

贴片式中高压铝电解电容器的研究32-34

摘要：以适合小型化、集约型发展的贴片式铝电解电容器为研究对象,通过优化工作电解液成分,获得了电导率高、闪火电压高、高温稳定性好等性能良好的工作电解液;并针对贴片式铝电解电容器结构及安装过程中的特殊性,对制备工艺进行了优化,研制出的贴片式中高压铝电解电容器工作电压达450 V,寿命达10 000 h（105 ℃）.

三氟乙酸离子液体/四氟硼酸螺环季铵盐混合电解液的超级电容性质研究35-39

摘要：采用两步法合成功能化离子液体1-甲基-3-丁基咪唑三氟乙酸盐离子液体（[Bmim][CF3CO2]）,并将其与有机电解质四氟硼酸螺环季铵盐（[（C4H8）2N][BF4]）组成不同浓度配比的新型混合电解液.采用活性炭为电极,组装成超级电容器,通过循环伏安、恒流充放电、交流阻抗等方法对其电化学性能进行了研究.结果显示：混合电解液的浓度为2.06 mol/L 时的性能最优,这种新型的混合电解液25 ℃时电导率为3.99×10–3 S/cm,电化学窗口可达2.7 V,内阻0.96 Ω,经过1 000 次充、放电循环后仍可保留98%的初始比电容,说明该混合电解液具有突出的电化学性能和巨大的市场应用潜力.

Si、Cu、Ti添加对MnAl基合金微波吸收性能的影响40-43

摘要：采用真空电弧熔炼和高能球磨工艺制备了MnAl 基合金粉体,使用SEM、XRD 和网络矢量分析仪研究Si、Cu、Ti 元素添加对MnAl 合金粉体组织结构和微波性能的影响.结果表明：加入Cu、Ti 不改变Al8Mn5 合金粉体的相组成,均为Al8Mn5 单相粉体,加入Si 的Al8Mn5 合金粉体相组成除有Al8Mn5 相外,还有少量的Si 和MnSi相.加入Si、Cu、Ti 均可使Al8Mn5 粉体开始出现反射损耗峰的频率向低频方向移动.当涂层厚度为2.0 mm 时,（Al8Mn5）0.96Cu0.04 合金粉体的反射率最小值达到约–29.9 dB,并具有很好的频宽效果.

有源层厚度对氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的影响44-47

摘要：使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响.实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大.此外,还研究了有源层厚度对器件偏压稳定性的影响.有源层厚度越大的器件,其阈值电压漂移也会越大.这主要与半导体层中所增加的缺陷态密度有关.

脉冲激光沉积法制备ZnSnO3薄膜48-51

摘要：采用脉冲激光沉积法（PLD）,在Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备LiNbO3 型ZnSnO3 薄膜.通过改变生长过程中的氧气压、生长温度等实验条件,研究制备薄膜的最佳工艺参数.利用X 射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜进行分析.研究表明,在Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备ZnSnO3 薄膜优化条件是氧气压30 Pa、沉积温度600 ℃,并使用ZnO 作为缓冲层.优化条件下制备的ZnSnO3 薄膜有良好的（006）取向,与ZnSnO3单晶衍射峰位置一致.

《厚膜电子浆料论文集》内容简介51-51

摘要：《厚膜电子浆料论文集》收录了原昆明贵金属研究所研究员、厚膜电子浆料专家谭富彬先生的已23篇、未9篇、国家发明专利说明书10项（已授权9项）.共计265页,大约四十多万字.本论文集是作者从参加工作至今致力于贵金属和贱金属电子浆料研发工作的总结,多种贵金属粉末不同规格的制备,含铅玻璃无铅玻璃的熔制,热塑性有机载体及热固性有机载体的配制与合成,无论室温烘干（或固化）,直至950℃高温烧结浆料,都收入论文集中.还有各种金属粉末、电子浆料及在电子元件中应用性能考核、测试方法,都一一有叙述.作者对电子浆料的另一贡献,建立了贱金属电子浆料添加优先氧化元素的空气烧结及表面处理理论,并付诸实践,从而简化工艺,节约成本,代替部分贵金属,使贱金属电子浆料获得广泛应用.以上在发明专利中有详细叙述.作者在国内首先研发具有欧姆接触特性电子浆料,改进了过去曾用的工艺复杂、成本高、难实现规模生产的蒸镀金属膜方法,金属膜与半导体间要消除肖特基势垒,形成欧姆接触,获得良好电性能及其他物理性能.作者研发硅太阳能电池铝浆至今取代了进口浆料,研发的晶体硅太阳能电池正、背两面用银浆已投入生产.文集如愿在全国出版发行,它是电子材料学科的喜事,文集是作者的经验总结,总结了粉末、玻璃黏合剂、有机黏合剂以及无机或有机添加剂在电子浆料中的重要性及基本规律,它的发行对初涉、研发及应用电子浆料的同行有借鉴和参考价值.

多层结构氧化镍空心球的制备及形成机理52-55

摘要：以硝酸镍为镍源、尿素为沉淀剂、淀粉为结构导向剂,将三者一同混合后通过水热反应及煅烧过程制备了具有多层空心结构的氧化镍.实验结果表明,制备的氧化镍粉体由微米级球形颗粒构成,球体表面平整,内部为空心结构且还有一空心小球.同时,还提出了形成该特殊结构的可能机理,即水热过程形成具有由内向外为“碳-镍-碳-镍”多层结构的前驱体,再经煅烧脱碳后得到具有壳一核结构的氧化镍空心球.

锂氧电池复合电解质电化学性能研究56-63

摘要：将LiPF6 溶入EC/EMC/DMC 作为锂氧电池电解质主体,并分别加入[Emim]BF4 和[DEME]TFSI 离子液体制成复合电解质材料,组装成锂氧电池.通过循环伏安、交流阻抗、恒流充放电等方式研究复合电解质的电化学性能.结果表明,LiPF6 溶入EC/EMC/DMC-[Emim]BF4 体系复合电解质表现出较优的电化学性能,在0.025×10–3A·cm–2电流密度下电池首次放电比容量为2 672×10–3Ah·g–1,能量密度达6.468×10–3 Wh·cm–2.

后段无压力约束硫化工艺对导电橡胶性能的影响64-67

摘要：导电橡胶硫化工艺会影响其性能.为了进一步优化导电橡胶的性能,系统研究了后段无压力约束硫化工艺对导电橡胶导电性能、交联密度、电磁屏蔽效能和力学性能的影响.结果表明：后段无压力约束硫化工艺可明显增加导电橡胶交联密度,从而减缓硅橡胶基体的老化,由此提高其导电和电磁屏蔽的稳定性,使其电磁屏蔽效能在750 kHz~3 GHz 频段内较长时间保持在100 dB 以上;尽管该工艺会使导电橡胶的硬度明显增加,柔性降低,但其仍可满足使用要求.

无颗粒银导电墨水及高导电率银薄膜的制备及其性能研究68-73

摘要：以酒石酸银为原料、1, 2 丙二胺为络合剂、无水乙醇为溶剂制备了无颗粒银基导电墨水,将该墨水棒涂于玻璃、PET、PI 和相纸基板,在加热板上130 ℃固化5 min 获得银膜,通过XRD、FTIR、TG-DSC、FE-SEM 和四探针测电阻率方法对合成的酒石酸银粉体、导电墨水和银膜进行表征.结果表明：导电墨水的分解温度远低于银前驱体的分解温度;在不同基板上的银薄膜表现出不同的形貌和颗粒尺寸,其中相纸基板上的电阻率最低为6.7×10–6Ω·cm.喷墨打印银线条于PI 基板,130 ℃固化5 min 后,银线条宽度约100 μm,表面平整光滑且微观组织致密,在柔性印刷方向有良好的应用前景.

一种微波功率LDMOS器件非线性模型74-77

摘要：对微波功率LDMOS 器件进行测试,提出一种新的非线性模型,通过小信号参数提取,建立LDMOS 的小信号模型,对多偏置下本征电容的提取,建立LDMOS 本征电容的非线性模型,加入LDMOS 的直流IV 模型并以此为基础确立了微波功率LDMOS 的大信号模型,经过此模型的LoadPull 仿真及芯片测试对比,表明了该模型可以较准确地模拟LDMOS 的微波特性.采用该模型设计了一种功率管放大器,通过最终测试与仿真结果对比,证明了该模型的实用性.

宽频段直接上变频激励器的设计与实现78-81

摘要：针对射频前端宽频段、通用化、可重构等发展趋势,结合零中频架构所具有的易集成、小尺寸、低功耗、低成本等优势,提出了-种宽频段的直接上变频激励器设计方案.该方案选用滤波器芯片ADRF6510 作为可重构低通滤波器,对数模转换器（D/A）产生的模拟基带信号进行可调滤波及放大;以正交调制器HMC696 作为上变频器,将基带信号直接上变频为射频信号;而锁相环芯片PLL HMC832 则为上变频器提供本振信号.测试结果表明,该直接上变频激励器的性能良好,在30 ~ 2 700 MHz 范围内,其矢量误差幅度EVM 值小于4.5%;相位噪声在偏移10 MHz处优于–157.5 dBc/Hz,可灵活应用于多个频段.

一种应用于WLAN的单层宽频微带天线设计82-84

摘要：设计了一种应用于WLAN 的宽频微带天线,通过开槽技术及引入共面寄生贴片实现天线的三谐振,并在寄生贴片上加载短路销钉减小天线尺寸.利用电磁仿真软件HFSS13.0 对天线进行仿真,仿真结果表明,该天线的频带宽度为普通矩形微带天线的3 到4 倍,并且具有适中的增益.寄生贴片上加载短路销钉后,其面积减小为原来的一半.