电子元件与材料杂志

发表咨询:400-808-1731

订阅咨询:400-808-1751

电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2011年第02期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试剂
稀土元素Pr替位改性的高温CaBi2Nb2O9压电陶瓷1-3

摘要:采用普通陶瓷工艺制备了由稀土元素Pr替位改性的高温Ca1-xPrxBi2Nb2O9(x=0~0.100)无铅压电陶瓷,研究了Pr含量对CaBi2Nb2O9(CBNO)压电陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:Pr对Ca的替换明显提高了CBNO压电陶瓷的压电性能。其中,Pr含量x为0.050的Ca0.95Pr0.05Bi2Nb2O9压电陶瓷表现出最好的压电性能,其压电常数d33高达14pC/N,且在800℃以下表现出良好的温度稳定性。

0.8Na0.5Bi0.5TiO3-0.2K0.5Bi0.5TiO3复合掺杂铌酸钾钠压电陶瓷的结构及性能4-7

摘要:采用液相包覆法制备了(1-x)(0.5NaNbO3-0.5KNbO3)-x(0.8Na0.5Bi0.5TiO3-0.2K0.5Bi0.5TiO3)(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)(KNN-BNKT)无铅压电陶瓷。研究了BNKT掺杂量x对KNN陶瓷的结构、介电、压电性能的影响。结果表明,制备的KNN陶瓷均为单一的钙钛矿结构,其介电、压电性能受BNKT掺杂量的影响显著,热稳定性良好。x=0.03时,室温εr达到最大值991,且tanδ较小,为0.033;此时,d33和kp达到最大,分别为205pC/N和41.2%。

电子元件与材料杂志综合信息
工商联科技进步奖颁发 超级电容项目位列二等奖7-7

摘要:2010年度中华全国工商业联合会科学技术奖的评审工作日前已经结束。经专家评审程序并由全国工商联主席办公会议审定,共评选出科技进步奖一等奖14项、二等奖33项、优秀奖64项,科技创新企业家奖23位。上海奥威科技开发有限公司的新能源汽车用超级电容器研制项目荣获二等奖。2010上海世博会期间,世博园区采用的世博公交车就由奥威科技提供的超级电容器作为动力源。

电子元件与材料杂志研究与试剂
Mg2SiO4-SiC复相材料的常压烧结及性能研究8-10

摘要:在1500~1600℃氢气气氛下常压保温1h制备了Mg2SiO4-SiC复相材料,研究了烧结助剂[Al2O3+Y2O3](r(Al2O3:Y2O3)=5:3)添加量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明:Mg2SiO4-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4、6H-SiC、Y3Al5O12,最佳烧结温度为1550℃,当[Al2O3+Y2O3]质量分数从0到7%逐渐增加时,该复相材料的显气孔率明显减小并趋于平稳;w(Al2O3+Y2O3)=5%时显气孔率最低达到0.36%。

电子元件与材料杂志综合信息
美研制石墨烯超级电容器 储能打破世界纪录10-10

摘要:美国俄亥俄州代顿市Nanotek Instruments公司新研制的石墨烯超级电容器,单位质量可储存的能量相当于镍氢电池,打破了世界纪录,而且充电或放电只需要短短几分钟、甚至几秒钟,有望取代电池。相关研究在Nano Letter上。

电子元件与材料杂志研究与试剂
ZnO-CuO掺杂对Mn-Co-O系NTC热敏电阻微观结构与电性能的影响11-14

摘要:以Mn3O4和Co3O4为原料,ZnO和CuO为掺杂剂,采用固相反应法制备了Mn2.3Co3.7-x-yZnxCuyO(4x=0,0.03和0.06;y=0,0.05,0.08,0.10和0.20)单层片式NTC热敏电阻材料。研究了该材料的微观结构和电性能。结果表明:通过掺杂ZnO和CuO,可以制备低阻高B型Mn-Co-O系NTC热敏电阻材料。随着ZnO掺杂量的增加,其电阻率先减小后增大,B25/50值一直增大;而随着CuO掺杂量的增加,电阻率和B25/50值都迅速减小,同时部分Cu2O在晶界发生偏析。当x=0.03,y=0.05时,该材料具有较好的NTC特性:其ρ25为719.34Ω·cm,B25/50值为3954.9K。

电子元件与材料杂志综合信息
中国超级电容炭材料公司成功登陆纳斯达克OTCBB市场14-14

摘要:近日,富来森中竹科技股份有限公司与美国中国富来森能源公司签订换股协议,富来森中竹科技股份有限公司拥有美国中国富来森能源公司的全部股权,至此,富来森中竹科技股份有限公司完成了借壳进入境外资本市场的最后一步,成功登陆美国纳斯达克(NASDAQ)OTCBB市场,股票交易代码为CFEC。

电子元件与材料杂志研究与试剂
Pr系ZnO压敏陶瓷的sol-gel法制备及电性能研究15-17

摘要:以Zn(NO3)2和NaOH为原料,采用sol-gel法制备了Pr系ZnO压敏陶瓷。研究了所制压敏粉体和压敏陶瓷的性能。结果表明:干凝胶在700℃下煅烧2h,得到球状Pr系ZnO粉体颗粒,平均粒径为200nm。1220℃烧结制备的Pr系ZnO压敏陶瓷性能优异:晶粒大小约为3.2μm,压敏电压为910V/mm,非线性系数为40.2,漏电流为0.3μA,比传统固相合成工艺的烧结温度降低了约80℃。

CBS系LTCC材料组分对其性能的影响及其金属化匹配18-20

摘要:研究了组分变化对CaO-B2O3-SiO2(CBS)系多元微晶玻璃微观结构、介电性能及相组成的影响。以CBS系微晶玻璃为基础配制生料带,并借助LTCC技术制备了多层微电路基片。探讨了影响LTCC多层微电路低温共烧金属化匹配的相关因素。结果表明:添加不同形态的SiO2均可有效降低微晶玻璃的相对介电常数εr,添加高硅氧玻璃则可增加微晶玻璃的介质损耗。经850℃烧结获得的w(SiO2)为15%的微晶玻璃的εr为6.0且在1~10MHz范围内随频率变化不大,介质损耗为1.2×10^-3。CBS系微晶玻璃与金、银浆料能形成匹配良好的LTCC多层微电路。

热处理工艺对钙硼硅微晶玻璃性能影响21-24

摘要:在CaO-B2O3-SiO2(CBS)系微晶玻璃中,添加P2O5和ZnO两种晶核剂制成试样,采用XRD和SEM分析了试样相组成和微观形貌。研究了热处理工艺对试样烧成性能、力学性能和电学性能的影响。结果表明:试样主晶相为CaSiO3和CaB2O4,随着晶化时间的延长,介稳态的Ca2SiO4相逐渐减少,主晶相增加,核化温度升高,试样的抗弯强度增加。核化温度高于700℃,晶化时间超过2h,试样的析晶能力降低,密度降低。690℃核化1h,875℃晶化15min所得试样的性能较佳:密度为2.43g/cm^3,εr为6.24,tanδ为1.2×10^-3(10kHz)。

混合稀土对Sn-0.70Cu-0.05Ni钎料组织与性能的影响25-28

摘要:向Sn-0.70Cu-0.05Ni无铅钎料中添加微量混合稀土元素RE(主要是La和Ce),研究了RE添加量对该钎料合金显微组织及性能的影响。结果表明,添加微量的RE能显著细化该钎料合金组织,抑制金属间化合物的生长,改善合金的组织分布,提高钎料的润湿性及力学性能。当w(RE)为0.10%时,钎料的润湿力、拉伸强度分别为3.02mN和31.3MPa。但随着RE的增加,钎料的溶铜速率会逐渐增大,抗氧化性变差。综合考虑,该钎料中w(RE)应控制在0.05%~0.10%。

电迁移对Sn3.0Ag0.5Cu无铅焊点剪切强度的影响29-31

摘要:通过热风回流焊制备了Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu对接互连焊点,测试了未通电及6.5A直流电下通电36h和48h后焊点的剪切强度。结果表明,电迁移显著地降低了焊点的剪切强度,电迁移36h使剪切抗力降低约30%,电迁移48h降低约50%。SEM观察断口和界面形貌表明,界面金属间化合物增厚使断裂由韧性向脆性转变。

(Sn-9Zn)-xBi钎料组织性能研究32-35

摘要:运用莱卡显微镜、X射线衍射仪及电化学测试系统等仪器设备,对(Sn-9Zn)-xBi(x=0,1,3和5)钎料组织性能进行研究。结果表明:当x小于5时,Bi可明显影响(Sn-9Zn)-xBi钎料中富Zn相尺寸及分布,钎料的熔化温度随Bi含量的增加而降低至188℃;钎料的润湿性随Bi含量增加而得到改善,其中以x在1~3为最明显;与Sn-9Zn钎料相比,当x为3时,钎料显微硬度提高了31%,达到最大值22.3HV;钎料腐蚀电位随x变化不大,但x为5时腐蚀电流密度却减小至未添加Bi的Sn-9Zn钎料的25%。

SnAgCu无铅焊膏用溶剂的优化研究36-38

摘要:以SnAgCu无铅焊膏铺展性能和焊点形貌作为评价的主要指标,通过回流焊接实验,对常用于焊膏的10种溶剂进行了单一溶剂优选,并对两种性能较好的溶剂进行复配优化研究。结果表明:A醇、二缩三乙二醇和B醚作为单一溶剂时焊膏的润湿性较好、焊点外形较饱满,铺展率都大于83%;A醇和B醚按质量比3:2复配时得到的焊膏铺展率达到93%以上,抗塌落性好,且焊点外观规则、光亮饱满、表面氧化物较少。

一种醇基低固含量免清洗助焊剂的研制39-42

摘要:通过无铅焊料的焊点铺展及润湿力实验考察了活性剂对助焊剂润湿性能的影响,并据此研制出了一种以乙醇为溶剂、以有机酸和有机胺为活性剂并使用复合表面活性剂的免清洗助焊剂。结果表明:使用复合表面活性剂的助焊剂的润湿效果要好于使用单一表面活性剂的助焊剂。其中,以使用Op—4与壬基酚聚氧乙烯醚质量比为8:1的复合表面活性剂的助焊剂的润湿效果最好,最大润湿力可达6.14mN。制备的免清洗助焊剂无色透明,无刺激性气味,残留物少,润湿性能好,w(不挥发物)小于2%,得到的焊点饱满。

电子元件与材料杂志综合信息
《节能与新能源汽车产业发展规划》有望近期正式颁布42-42

摘要:权威人士透露,由工业和信息化部牵头制定的《节能与新能源汽车产业发展规划》目前正在各大部委会签,有望近期正式颁布,最迟会在"两会"后公布;与之配套的《电动汽车科技发展"十二五"专项规划》制订完毕,部分项目已通过专家的论证评审;此外,有关电动车的相关标准也将陆续出台。

电子元件与材料杂志研究与试剂
脉冲电泳沉积制备电致变色WO3薄膜43-46

摘要:采用正交设计法优化了脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的工艺参数,并通过分析薄膜的微观结构、透射光谱和循环伏安曲线等研究了最佳工艺条件下制备的WO3薄膜的电致变色性能。结果表明,脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的最佳工艺参数为平均电流密度0.2×10^-3A/cm^2,沉积时间6min,占空比75%,脉冲周期10ms。最佳工艺条件下制备的WO3薄膜厚度约为251nm,呈非晶态;在可见光区(550~800nm),光调制幅度(△T)可达76%~80%;表现出良好的电化学活性,离子存储能力达27.8×10^-3C/cm^2;着色/褪色响应不对称,可逆性稍低(75.1%)。

热处理对TaN薄膜电性能的影响47-49

摘要:采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12Ω/□增加到24Ω/□,TCR从15×10^-6/℃下降到-80×10^-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。