电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2010年第10期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制
K(0.9)Mo6O(17)新型导电陶瓷的制备与导电性研究1-3

摘要:利用湿化学方法,以碳酸钾和钼酸为原料,聚乙二醇为分散剂和螯合剂,制备了K0.9Mo6O17前驱体。在碳粉保护环境及500℃温度下对所得前驱体进行煅烧后,获得了K0.9Mo6O17粉体。最后,利用此粉体制得了导电陶瓷。借助差示扫描量热仪、XRD、SEM、电化学测试系统等仪器研究了材料的相组成、微观结构及导电性。结果表明,K0.9Mo6O17粉体和陶瓷体均具有单斜晶系结构;该多晶K0.9Mo6O17陶瓷材料的室温电导率达到了0.1S/cm,且其电导率随着温度的升高而升高。利用电子跃迁和晶体场理论对K0.9Mo6O17陶瓷的导电机理进行了分析。

添加CuO对Ba(3.99)Sm(9.34)Ti(18)O(54)陶瓷烧结及微波介电性能的影响4-6

摘要:采用传统固相工艺制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54(BSTO)微波介质陶瓷,研究了烧结助剂CuO对BSTO的结构及介电性能的影响。结果表明,添加CuO能较好促进BSTO晶粒致密化,降低烧结温度约140℃。当添加质量分数1.0%的CuO时,1220℃保温3h烧结的BSTO样品的介电性能较好:εr=86.87,Q·f=5138GHz(f=4.95GHz),τf=–10.84×10–6℃–1。

Na掺杂Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷的性能7-10

摘要:采用固相反应法制备了(Bi2–xNax)(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷,研究了Na+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷烧结性能、显微结构和介电性能的影响。替代后样品的烧结温度从960℃降至约880℃;当替代量x≤0.20时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,随替代量进一步增加出现立方相;温度为–30~+130℃,替代后样品出现明显的介电弛豫现象,弛豫过程中的激活能约为0.40eV。用缺陷偶极子和晶格畸变对Na掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷的介电弛豫现象作出简要解释。

掺杂Sm2O3对BaSrTiO3介电陶瓷性能的影响11-13

摘要:以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷。利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能。结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm2O3掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位。在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4800;随着Sm2O3掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.0070。

CaO-MgO-SiO2-B2O3低温助烧BaZrO3微波介质陶瓷的性能14-16

摘要:以CaO-MgO-SiO2-B2O(3CMSB)玻璃为烧结助剂,低温烧结制备了BaZrO3微波介质陶瓷,研究了CMSB加入量对BaZrO3陶瓷的烧结温度、结构及性能的影响。结果表明,CMSB的加入大幅度降低了BaZrO3陶瓷的烧结温度,当CMSB质量分数为33%时,所制陶瓷烧结温度降低到910℃,瓷体致密,密度为4.32g/cm3。1MHz频率下,Q值达4000,该陶瓷已用于批量生产高Q值的微波陶瓷电容器。

双碱金属氧化物对钙硼硅微晶玻璃性能的影响17-20

摘要:向CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加双碱金属氧化物Na2O和Li2O。研究了Na2O和Li2O的总体质量分数和二者的质量比对玻璃试样性能的影响。采用DSC、XRD、SEM分析了玻璃的性能和微观形貌。结果表明:烧结后试样晶相主要为硅灰石;当w(双碱金属氧化物)为1.5%,ζ(Na2O∶Li2O)为2∶3时,试样能在950℃烧结,εr为6.16,tanδ为3.5×10–3(1MHz)。

低电阻率高透过率TAZO透明导电膜的制备及性能21-24

摘要:利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上制备了透过率高、电阻率相对较低的钛铝共掺杂ZnO(TAZO)透明导电膜。用XRD和SEM等研究其结构、应力和光电性能与靶基距之间的关系。结果表明:TAZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当靶基距为42mm时,薄膜样品晶格畸变最小,具有最小压应力(绝对值)0.270GPa,同时具有最小方块电阻4.21Ω/□;靶基距为48mm时,薄膜样品具有最小电阻率3.09×10–4Ω·cm。所有薄膜样品的可见光区平均透过率都超过了91%。

碳纳米管生物复合材料电驱动性能研究获重要进展24-24

摘要:据报道,最近,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈韦研究员课题组在碳纳米管和生物聚合物分子的复合材料的可控电驱动性能研究上取得新进展。研究人员采用简单的溶液超声混合、蒸发成膜的方法,制备了碳纳米管/壳聚糖复合物薄膜,其中,高导电的碳纳米管在不导电的壳聚糖体中形成了均匀的导电网络结构。当在悬空平放、两端固定的长条状薄膜上施加低压交流信号时,可观察到其发生上下振动,且复合物薄膜产生的电.振动位移(波形、频率)和所施加的电信号的波形和频率都保持一致。

我国成功合成新的碳同素异形体24-24

摘要:据报道,最近,中科院化学所的科研人员在石墨炔研究方面取得了重要突破。研究人员利用六炔基苯在铜片的催化作用下发生偶联反应,成功地在铜片表面上通过化学方法合成了大面积碳的新的同素异形体——石墨炔(graphdiyne)薄膜,研究结果还证实石墨炔是由1,3-二炔键将苯环共轭连接形成二维平面网络结构的全碳分子,具有丰富的碳化学键,大的共轭体系、宽面间距、优良的化学稳定性和半导体性能。

金属有机盐热分解法制备铌酸钾钠无铅压电薄膜25-27

摘要:选用乙醇铌、乙酸钾、乙酸钠为原料,通过金属有机盐热分解法制备了Na0.5K0.5NbO3(NKN)无铅压电薄膜。研究了不同退火温度对NKN薄膜的晶体结构和形貌的影响。结果表明:当退火温度低于500℃时,所制NKN薄膜为无定形结构。650℃制备的NKN薄膜具有(100)晶面生长的择优取向;该薄膜的表面致密,颗粒尺寸分布均匀,10kHz的相对介电常数为258,介电损耗为0.05。该薄膜具有铁电体典型的电滞回线,剩余极化强度(Pr)和矫顽场强(EC)分别为3.45×10–6C/cm2和160×103V/cm。

Ni添加量对FeCoNiB-SiO2薄膜电磁性能的影响28-31

摘要:采用RF溅射工艺制备了FeCoNiB-SiO2系薄膜。研究了Ni添加量对该种薄膜微结构和电磁性能的影响。结果表明,添加适量的Ni有利于FeCoNiB-SiO2薄膜获得优良的微波电磁性能。通过控制Ni的添加量,可以得到在GHz频段同时具有高磁导率和高损耗的薄膜样品,其磁导率实部μ'和虚部μ"在0.5-2.0GHz的宽频带范围内分别大于240和100,在2.1GHz处更是均大于400,其电阻率也达到了868×10–6Ω·cm。该薄膜可应用于微波吸收材料或抗电磁干扰的设计中。

La2O3掺杂对TiO2系压敏陶瓷结构和性能的影响32-35

摘要:采用传统的固相法制备了La2O3掺杂的TiO2系压敏陶瓷,通过XRD和SEM分析,测试其结构及压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:La2O3掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响,在1380℃烧结条件下,掺杂x(La2O3)为0.70%的陶瓷表现出优良的综合电性能,其压敏电压为7.6V/mm,非线性系数为5.2,相对介电常数εr为9.96×104,介电损耗tanδ为0.32,这与该陶瓷具有最高的晶界势垒高度相一致。

一种新型元件——锂离子电容器35-35

摘要:锂离子电容器作为本世纪初问世的一种新型高端电源元件,虽然推出时间不长,但发展势头迅猛,应用领域正在拓展,市场需求不断增长。其发展趋势主要表现在以下几个方面:

ZnO压敏电阻冲击电流寿命分布的试验研究36-38

摘要:对氧化锌压敏电阻(MOV)样品进行了最大放电电流下的冲击电流寿命试验,得出了每只样品在失效前所能承受的冲击次数;通过对大量样品冲击电流寿命的统计分析,证明了MOV在冲击电流作用下的失效率服从威布尔(weibull)分布,从而为确定MOV的失效前平均寿命和保证寿命提供了依据。

科学家发现新碳基超导物质38-38

摘要:据海外媒体近日报道,英国利物浦大学和杜伦大学的研究人员发现,通过施加一定的压力,改变C60的晶体结构,不同C60晶体结构下的Cs3C60能够从磁绝缘体转变为超导体,而其超导转化温度也从38K转化为35K。研究人员表示,新发现将有助于降低诸如磁共振成像扫描仪及其它依赖超导体的能源存储应用的成本。这一成果发表在近期的《自然》杂志上。

MnO2掺杂量对BaCo(0.05)Co(0.1)Bi(0.85)O3厚膜NTCR电性能影响39-41

摘要:以新型BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3材料为基体,掺杂不同摩尔分数x(MnO2),在840℃下烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和直流阻温特性测试仪,研究x(MnO2)对电阻相组成、微结构及电性能的影响。结果表明:所得的NTC厚膜热敏电阻主要物相为具有钙钛矿结构的BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3,且表面致密。当x(MnO2)超过5%时,有新相BaMnO3开始沿晶界析出,获得小尺寸晶粒;厚膜电阻的室温电阻率ρ25及B25/85值随x(MnO2)增加而升高;当x(MnO2)为10%时,ρ25从初始的13.5?·mm升高为810.0?·mm,B25/85值从600K升高到2049K。

Nb掺杂量对SrBiFeO基陶瓷NTC特性的影响42-44

摘要:采用传统固相法,按化学式Sr0.65Bi1-xFe0.35NbxO3(x=0.01,0.02,0.05,0.10和0.20)制备了具有NTC特性的Nb掺杂SrBiFeO基陶瓷试样。研究了Nb掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的ρ25和B25/85值随着Nb含量的增加都呈现增加趋势;在25~200℃的测试温区内,其电阻率–温度特性呈现近似的线性关系;当x为0.05时,线性关系较好,其中ρ25的值约为6700?·cm,B25/85值约为3540K。

乙二醇纳米硅溶胶的制备及应用45-48

摘要:将由离子交换法制备的SiO2水溶胶进行溶剂置换,得到了乙二醇纳米硅溶胶。借助纳米粒度分析仪、TGA-DSC、FT-IR对溶胶中粒子的粒度分布、溶胶的热稳定性和化学结构分别进行了表征。结果表明:所制乙二醇纳米硅溶胶的平均粒径为30nm,热稳定性非常好,化学结构为无定形的水合二氧化硅。另外,其含水量低于0.8%,稳定期超过一年半。添加该溶胶到铝电解电容器的工作电解液中,电解液的闪火电压提高了约50V,电导率提高了约90×10–6S/cm。