电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2010年第04期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制
升温速率对Bi0.98La0.02FeO3-PbTiO3薄膜结构性能的影响1-4

摘要:采用sol-gel法在SiO2/Si(100)衬底上制备了0.68(Bi0.98La0.02)FeO3-0.32PbTiO3(BLFPT)薄膜。采用快速退火技术,以2~40℃/s速率升温、在700℃下保温100s对BLFPT薄膜进行了后续处理。研究了升温速率对BLFPT薄膜结构性能的影响。XRD测试结果显示BLFPT薄膜为赝立方结构。SEM和AFM结果表明,当升温速率为2℃/s时,BLFPT薄膜表面晶粒更为均匀致密,粗糙度最小。XPS分析显示,Bi、Fe和Ti分别主要以化合态Bi2O3、Fe2O3和TiO2的形式存在。

Sr(Zr0.1Ti0.9)O3缓冲层厚度对PZT薄膜结晶及性能的影响5-7

摘要:采用sol-gel法制备了具有Sr(Zr0.1Ti0.9)O3缓冲层的PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜,研究了缓冲层厚度对样品结晶和性能的影响。结果表明,较薄缓冲层会诱导PZT薄膜的(111)择优取向,添加单层缓冲层(约20nm)使其(111)取向度提高到90%;较厚缓冲层会抑制PZT薄膜的(111)择优取向,添加四层缓冲层(约80nm)使其(111)取向度降低到9%;缓冲层厚度对样品电性能有显著影响,其剩余极化强度由无缓冲层时的26.8×10–6C/cm2增加到缓冲层厚度约为20nm时的38.8×10–6C/cm2。

溶胶–凝胶法合成Nd:YAG粉体及透明陶瓷的制备8-11

摘要:以Y2O3和硝酸盐为原料,柠檬酸为络合剂,采用溶胶–凝胶法合成了Nd0.03Y2.97Al5O12(Nd:YAG)干凝胶,经不同温度焙烧后制得前驱粉体,然后将粉体经1700℃真空烧结制备了Nd:YAG透明陶瓷。对柠檬酸的络合作用进行了探讨,对粉体及透明陶瓷的结构、形貌和光学性能进行了研究。结果表明:柠檬酸与硝酸盐发生络合反应形成有机网络结构,有效减轻了粉体颗粒间的团聚;950℃焙烧后得到纯相Nd:YAG粉体,颗粒细小并呈片状;Nd:YAG透明陶瓷致密度高(理论密度的95%),晶粒尺寸约为10μm,在1060nm处的透射率为63%。

Sb2O3掺杂Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的结构与性能12-15

摘要:采用固相反应法制备了Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Sb2O3掺杂量(x(Sb2O3)为0.5%~5.0%)对陶瓷晶相结构及介电性能的影响,分析了陶瓷电滞回线变化的原因。结果表明:Sb3+进入了Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷晶格,引起晶格畸变,且无第二相出现。随着Sb2O3掺杂量的增加,陶瓷晶粒逐渐变小变均匀,tanδ减小。Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷为弥散相变铁电体,在x(Sb2O3)为3.0%处弥散程度最小。

电子元件与材料杂志综合信息
中科院化学所与过程所合作在空心纳米笼制备方面取得新进展15-15

摘要:在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下,最近,化学研究所光化学院重点实验室姚建年院土课题组与过程工程研究所袁方利副研究员合作在钴空心纳米笼制备方面取得了新进展。

电子元件与材料杂志研究与试制
Na和Ti掺杂对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷性能的影响16-18

摘要:采用传统固相反应法制备了Na-Ti掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷。研究了Na+替代Bi3+,Ti4+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、显微结构和介电性能的影响。结果表明,掺入Na+和Ti4+后,Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷的烧结温度从1000℃降到了860℃左右;在–30℃~+130℃的温度范围内,Na-Ti掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷表现出明显的、激活能约为0.3eV的介电弛豫现象。这主要是由缺陷偶极子和晶格畸变在陶瓷中的出现引起的。

不同分散剂对Al2O3浆料流变性的影响19-22

摘要:探讨了各种分散剂在Al2O3水系浆料中的分散作用及其相关机理。结果表明:分散剂的相对分子质量大小、构象和添加量对Al2O3浆料的流变性有着重要的影响。随着PAA(聚丙烯酸)类分散剂添加量的增加,Al2O3浆料的Zeta电位值整体下降,其等电点由8.3移动到4.7,PAA最佳添加量(质量分数)为0.5%~0.8%。相对分子质量较大的聚电解质分散剂对浆料的分散、稳定性较好;相对分子质量较小的聚电解质分散剂的最佳添加量范围更宽,为0.5%~2.0%(质量分数),且浆料黏度的变化随分散剂添加量的不同变化较小。

电子元件与材料杂志综合信息
电子行业的无铅焊料现状简介22-22

摘要:无铅焊接的全面导入需要解决很多问题,特别是无铅焊料的产业化。一些主要的电子产品生产国家,在无铅焊接的研究中有积极的行动。日本的无铅化焊接进程最快,美国也在加速无铅化焊接技术的开发与应用。

电子元件与材料杂志研究与试制
0.95MgTiO3-0.05CaTiO3微波介质陶瓷的低温烧结23-26

摘要:研究了BaCu(B2O5)(BCB)和ZnO复合掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)微波介质陶瓷烧结性能和介电性能的影响,并采用XRD和SEM观察其晶相结构及微观形貌。结果表明:复合掺杂BCB和ZnO能使95MCT陶瓷的烧结温度由1400℃降低至1050℃,可实现与Cu共烧,且ZnO掺杂能有效抑制MgTi2O5第二相的形成。复合掺杂质量分数为3.00%BCB和1.00%ZnO的95MCT陶瓷在1050℃烧结3h,获得较好的介电性能:εr=20.5,Q·f=21133GHz,τf=–10.1×10–6/℃(7GHz)。

电子元件与材料杂志综合信息
高导性碳纳米管可转换为半导体26-26

摘要:美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式,其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。

美用碳纳米管代替硅管制造出高效太阳能电池26-26

摘要:美国康奈尔大学研究人员利用碳纳米管代替传统硅管,制造出高效太阳能电池。这一技术的关键是用碳纳米管代替传统硅管制造出光电二极管,后者是太阳能电池的基本元件。研究人员利用不同颜色的激光对这种二极管进行研究发现,在将光能转化成电能的过程中,它可以使电流强度加倍。

电子元件与材料杂志研究与试制
钡铁氧体吸波涂层的制备及其影响因素研究27-30

摘要:用固相法制备了W-型钡铁氧体BaZn0.6Co1.4Fe16O27粉末并用其制备了吸波涂层。通过正交实验讨论了涂层厚度、搅拌时间和铁氧体含量对涂层吸波性能的影响,并用Statistica8.0软件对涂层的最佳制备条件进行了预测。根据正交试验结果,厚度为1.81mm、铁氧体质量分数为75%、搅拌时间为0.5h的吸波涂层具有最优的吸波性能,其微波吸收值在8.2~18.0GHz频段内均高于10dB,吸收峰值在15.3GHz左右更是达到了33dB。由软件预测得到的最佳制备条件与正交实验结果相符。

扁平化对FeSi吸波材料微波电磁性能的影响31-33

摘要:为阐明吸收剂颗粒形状与吸波材料微波电磁性能之间的关系,采用机械球磨工艺对气雾化球形FeSi合金粉末进行扁平化处理并制成FeSi吸波材料。借助SEM和矢量网络分析仪,研究了球磨时间对FeSi颗粒形貌及1~18GHz内吸波材料电磁参数与吸波性能的影响。结果表明:随着球磨时间的增加,FeSi颗粒的扁平率增大。与未球磨样品相比,球磨32h的FeSi合金吸波材料的ε'在整个频率范围内增大了0.5倍,μ'(在1GHz时)由1.24增大到1.94,μ"(在1GHz时)由1.00增大到1.30。扁平化处理明显改善了FeSi吸波材料的低频吸波性。

退火温度对NdFeO3微结构及酒敏性能的影响34-37

摘要:采用sol-gel法制备了具有单一斜方钙钛矿结构的NdFeO3样品,研究了退火温度对NdFeO3样品的晶格常数、微结构、电性能及酒敏特性的影响。结果表明:随着退火温度的提高,样品的晶胞体积减小,晶粒度变大,利用该样品制成的气敏元件的电导也随之增大。800℃退火的样品显示出最佳酒敏特性,元件对体积分数为5×10–4的乙醇的最大灵敏度高达151.69,不同退火温度的样品均显示出较好的低温(90℃左右)工作特性。

电子元件与材料杂志综合信息
超材料纳米镜头在美研制成功37-37

摘要:美国研究人员开发出一种新型纳米镜头,其打破了衍射极限,从而获得了现有技术尚无法达到的超高分辨率成像。该纳米镜头是由超材料纳米线阵列制成的。此项研究成果发表在最近出版的《应用物理快报》上。

电子元件与材料杂志研究与试制
银掺杂量对ZnO压敏电阻电性能的影响38-41

摘要:通过传统的固相反应法在920℃制备了银掺杂的ZnO压敏电阻样品,考察了银掺杂量对样品烧结特性和电性能的影响。结果表明,银掺杂不利于样品的致密,但对于ZnO压敏电阻的电性能有明显的影响。当银在ZnO基体中的质量分数由15%增加到25%时,样品的压敏电压由1900V/cm降到600V/cm,对应的非线性系数由15.4降到9.0。这为进一步控制ZnO压敏电阻的电性能提供了新的途径。

电子元件与材料杂志综合信息
一种掺杂的四足状微米结构氧化锌的制备方法41-41

摘要:一种掺杂的四足状微米结构的氧化锌的制备方法,氧化锌掺杂的元素可以为铁、镁、镍、铈、银、铋、镓中的一种或者两种,掺杂元素与锌元素的物质的质量分数为0.1%~5.0%;采用溶胶–凝胶法和高温热分解化学反应促使晶体生长相结合,其工艺简便,对设备要求不高,生产成本低,不需要特别的条件,容易实现。

电子元件与材料杂志研究与试制
氧化物掺杂ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷的制备及电性能研究42-45

摘要:采用固相法制备了氧化物掺杂ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷,并利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对其晶相及微观形貌进行了观测;另外,研究了氧化物掺杂对陶瓷介电性能及压敏性能的影响。结果表明,当掺杂摩尔分数为0.50%的Bi2O3和0.50%的Sb2O3时,陶瓷在室温下的εr为36402,tanδ为0.065;在此基础上继续掺入0.25%的MnO和0.35%的Cr2O3,陶瓷的非线性系数α为5.4,漏电流IL为1.5×10–6A/mm2,压敏电压为3.0V。Bi2O3、Sb2O3、MnO和Cr2O3掺杂使ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷的介电性能和压敏性能同时得到了有效提高。