电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2009年第05期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志专家论坛

半导体技术对无源电子元件发展的影响1-4

摘要：经过半个世纪的发展，半导体技术不仅在制造功能强大的IC及各式各样的半导体分立器件方面，对社会发展起到不可估量的推动作用，而且对其他技术领域也产生了深刻的影响。在当前世界经济衰退浪潮的冲击下，无源电子元件领域借鉴、融合半导体技术以提高自身创新能力，加快产品升级是抵御冲击的值得关注的措施之一。

电子元件与材料杂志编读通信

下期要目4-4

摘要：※ 新型Sb掺杂SnO2基NTC热敏材料的研制 ※sol-gel法制备Sr^2＋取代MnZn铁氧体 ※NiZn铁氧体粉料生产中喷雾造粒用料浆的研究

电子元件与材料杂志研究与试制

BaSnO3／BaBiO3复相陶瓷的显微结构及电性能5-7

摘要：以BaSnO3、SnO2和Bi2O3为原料，采用传统固相反应法制备了具有NTC特性的BaSnO3／BaBiO3复相陶瓷。借助XRD、SEM和R—t特性测试仪，研究了该陶瓷的相结构、断面形貌及n（BaBiO3）对其电性能的影响。结果表明：随着r（BaBiO3：BaSnO3）从0．1：1．0增大到0．9：1．0，样品的B25，85值从4400K降低到3000K，同时室温电阻率ρ25从10^6Ω·cm降低到10^3Ω·cm。

Na^＋掺杂量对BaBiO3基陶瓷NTC特性的影响8-10

摘要：以BaCO3、Bi2O3为原料，Na2C2O4为掺杂剂，用传统固相法制备了具有NTC特性的BaBi1-xNaxO3陶瓷。用XRD，SEM和ρ-t特性测量仪，研究了Na^＋掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明：BaBi1-xNaxO3陶瓷的B25／85值和室温电阻率P25均随着x（Na2C2O4）的增加呈现先减小后变大的趋势；当x（Na2C2O4）为0．050时，获得了具有较好NTC特性的试样，其P25为2200Ω·cm，B25／85值为3365K。

退火温度对FeSiAl合金微结构及电磁特性的影响11-13

摘要：对球磨后的FeSiAl合金粉末进行不同温度真空退火，并制备成软磁合金复合材料（SCM）。采用SEM、XRD和网络分析仪等分析手段，研究了退火后合金的相组成、超点阵结构有序度、平均晶粒尺寸和1MHz-1．5GHz的SCM的复磁导率，随退火温度变化的规律。结果表明：随着退火温度逐渐提高，DO3超点阵结构有序度由0．38增大到0．66、平均晶粒尺寸由36．93nm增大到71．41nm、SCM在同频率下的μ′和μ″均逐渐减小。

（Na0．5K0．5-xLix）NbO3高温无铅压电陶瓷性能研究14-16

摘要：为降低成本，采用传统电子陶瓷工艺制备了（Na0．5K0．5-xLix）NbO3（x=0．057-0．066）无铅压电陶瓷。Li取代K可以明显提高样品的居里温度（tc），x=0．066时样品的tc高达510℃，比纯（Na0．5K0.5）NbO3陶瓷高70℃左右。x=0．064时样品的d33高达212pC／N，kp为45．7％。x=0．063—0．066时样品的tanδ均低于0．020。特别是，x=0．066的样品经450℃退火24h，d33仍高达125pC／N。实验表明（Na0．500K0．434Li0．066）NbO3是高性能的高温无铅压电陶瓷。

SiO2对纳米CoFe2O4结构和磁性能的影响17-19

摘要：采用sol-gel法及经空气中热处理制备了CoFe2O4CoFe2O4／SiO2纳米材料。利用XRD、SEM和振动样品磁强计（VSM）对样品的结构、晶粒尺寸及磁性能进行了研究。结果表明：SiO2的加入有助于降低CoFe2O4的形成温度，有效抑制CoFe2O4晶粒的长大，并使CoFe2O4的鼠提高。经900℃热处理的CoFezO4/SiO2样品中已不存在杂相Fe2O3；CoFe2O4的晶粒尺寸从无SiO2时的78nm减小到15nm；样品的垃由41．1kA·m^-1提高到73．1kA·m^-1。

锐钛矿TiO2的水热法制备以及紫外光降解甲醛20-23

摘要：用硫酸钛水热法制备了纳米TiO2光催化剂，研究了纳米TiO2的形态结构特征及其光催化性能，并探讨了甲醛溶液的初始pH值和初始浓度、TiO2用量、降解温度和时间对光催化降解反应的影响。结果表明，制备的锐钛矿TiO2产物平整而密实，它由八面体结构的TiO2纳米晶大面积自组装而成。在35℃降解温度下采用254nm紫外光源照射1h后，锐钛矿TiO2对甲醛的降解率达到51．10％，2h后达68．42％。

电子元件与材料杂志综合信息

业内知名专家于凌宇解读电子信息产业发展新规律23-23

摘要：于凌宇认为，电子信息产业发展的规律之一是“逐级递增规律”。电子元件技术的每一次创新突破，不仅使电子元件产业本身产生一次跨越式发展，而且推动直接利用新型电子元件的电子整机更新换代，使这些直接相关的电子整机产业实现更大的发展，进而带动国家经济与世界经济走向繁荣。

电子元件与材料杂志研究与试制

CaCu3Ti4O12-ZnNb2O6复合材料的介电逾渗及固相反应24-26

摘要：以低εr的ZnNb2O6为基体，以高εr的CaCu3Ti4O12（CCTO）为增强体，研究了CCTO-ZnNb2O6复合材料体系的介电逾渗行为以及高温下的固相反应。结果表明：当CCTO体积分数超过51．0％时，εr突然跃迁，达到5600，表现为介电逾渗。CCTO与ZnNb2O6在900℃以上会发生固相反应，生成Cu0.5Ti0.5NbO4、CaNb2O6、Zn2TiO4及一种与CCTO衍射峰相似、晶格常数比CCTO略大的未知物质，分析认为该未知物质是Nb^5＋取代CCTO中部分Ti^4＋而形成的固溶体。

氧化铜纳米棒的水热合成及其气敏性能研究27-29

摘要：以Cu（NO3）2·3H2O为铜源，氢氧化钠为pH调节剂，CTAB为表面活性剂，在150℃下水热反应24h成功制备出氧化铜纳米棒。通过TEM，XRD对其进行了表征。结果表明：所制得的材料为具有单斜晶系的氧化铜纳米棒，其长度为300．500nm，直径为40～50nm。通过静态配气法，对其在不同工作温度下的气敏性能进行了研究。发现：采用p型氧化铜纳米棒所制得的元件在250℃下，对体积分数为50x10^-6的氯气有较好的气敏性能，灵敏度为4．5，响应，恢复时间为8s／40。

Li^＋对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响30-32

摘要：采用氧化物固相合成法，制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明：当x（Li2CO3）从0增加到0．50％时，压敏电位梯度从529V／mm增大到2170V／mm。XRD测试发现，掺Li2CO3并未出现新相结构。晶界势垒高度揭示，ZnO晶粒尺寸的迅速减小是压敏电位梯度急剧增高的主要原因。Li^＋置换Zn^2＋，将会在禁带中价带的顶部形成附加的受主能级，使能带发生畸变。

电子元件与材料杂志综合信息

多晶硅产能扩张势头正旺32-32

摘要：2008年12月，全球最大的多晶硅生产厂家-美国Hemlock公司宣布了将在田纳西州投资12亿美元建设多晶硅工厂的计划。根据该计划，Hemlock在田纳西州的新厂初期产能为1.3万吨，年，未来可将产能提高到2．1万吨，年，而总投资也将增至25亿美元。与此同时，该公司还将在美国密歇根州的工厂追加投资10亿美元，从而将该厂的产能从每年1．9万吨提升为每年2．9万吨。

电子元件与材料杂志研究与试制

SMT无铅电子焊膏活性剂的研究33-35

摘要：选择腐蚀性较低的有机酸作为制备无铅电子焊膏活丝剂的原料。对五种有机酸进行筛选和复合选取，并进行回流焊接模拟。按国家标准（GB／T9491-2002）对其铺展率、腐蚀性进行了测试。结果表明，选用w（己二酸）为60％和w（丁二酸）为40％的混合酸作为活性剂，具有良好的润湿性和助焊活性，铺展率在87％左右。焊后残留少，腐蚀性弱，焊点饱满光亮，焊层薄而明晰。

c轴择优取向AlN薄膜的制备研究36-38

摘要：采用MOCVD法在蓝宝石（0001）单晶衬底上生长AlN压电薄膜。用XRD和原子力显微（AFM）技术表征薄膜的微观结构。研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AIN薄膜织构特性的影响，并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化。结果表明：在优化条件下制备的AIN薄膜高度c轴择优取向，（0002）峰摇摆曲线半高宽仅为0．100，且薄膜表面平整，椭圆偏振法测出其折射率为2.0～2．4。

SnAgCu系钎料的合金组织和力学性能39-42

摘要：研究了Cu含量对SnAgCu系钎料合金显微组织及其与化学镀Ni基板钎焊接头力学性能的影响。结果表明：高Cu含量SnAgCu合金会产生较多的（CuxNi1-x）6Sn5金属间化合物，从而减少镀Ni层的消耗，进一步提高钎焊接头的剪切强度。与Sn-3．0Ag-0．3Cu相比，Sn-3．0Ag-1．0Cu钎焊接头剪切强度提高了6．78％。经过150℃时效1000h后，界面Ni3（P,Sn）层的增长率从Sn-3．0Ag-0．3Cu合金的约66％降低到Sn-3．0Ag-1．0Cu合金的约40％。

基于正交试验的板级电路模块热分析43-46

摘要：ANSYS的APDL参数化编程语言，建立了灌封电路模块的有限元模型。选取挠性印制电路板（FPCB）厚度、上、下灌封体厚度、空气对流系数和环境温度等7个参数作为关键因素，安排正交试验．结果表明：上、下灌封体厚度等因素都对灌封电路模块工作温度有显著影响，其中空气对流系数的影响最为显著。初始设计的灌封电路模块工作温度为460．94K，通过增加灌封体的厚度，选择高热导率的灌封材料，保证良好的通风散热，控制环境温度，可以将模块的工作温度降到329．11K。

CaO-B203-SiO2系玻璃形成区及性能研究47-49

摘要：采用XRD、SEM等手段，系统研究了CaO—B2O3-SiO2（CBS）系的玻璃形成范围，利用热分析结果计算了玻璃的析晶参数β。结果表明：纯CBS玻璃形成范围是x（B2O3）为10％-75％，x（SiO2）为0-45％，x（CaO）为25％-55％；整个玻璃形成区比较窄，并向B2O3方向伸展。添加x（Al2O3）为10％可以改善玻璃的失透，提高玻璃体的形成能力，使烧结后εr变化不大，由6．43变为6．31，tanδ显著增加，由0．0009增至0．0020。试样的主要晶相为CaB2O4、α-石英和CaSiO3。