电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2009年第02期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制
两步烧结对锆酸钡-钙硼硅复合材料性能的影响1-4

摘要:以低软化点的CaO-B2O3-SiO2玻璃和BaZrO3为原料,采用两步烧结法制备了BaZrO3/CaO-B2O3-SiO2低温共烧复合材料。对比研究了两步烧结法与传统烧结法的不同,以及两步烧结法中各工艺阶段对复合材料结构与性能的影响。结果表明:两步烧结法能明显优化其微观结构,提高其介电性能;当复合材料快速升温到960℃(θ1)保温5min,再降温到920℃(θ2)保温5h两步烧结后,其εr约为15,tanδ约为1.5×10^-4,可望作为低温共烧多层陶瓷电容器(MLCC)材料应用。

电子元件与材料杂志编读通信
下期要目4-4

电子元件与材料杂志研究与试制
Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15-xTix]O3+δ陶瓷的微波介电性能5-7

摘要:研究了Zr和Ti复合取代Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15-xTix]O3+δ(0≤x≤0.15,CLNZT)陶瓷B位对其晶体结构及微波介电性能的影响,并分析了谐振频率温度系数τf随容忍因子t的变化关系。当0≤x≤0.15时,CLNZT陶瓷为单一斜方钙钛矿相,随x的增加,τf由-9.4×10^-6/℃变为-15.8×10^-6/℃,而品质因数与谐振频率乘积Q·f值先增大,x=0.10时又开始下降。当x=0.10时,陶瓷具有较好的微波介电性能:ετ为32.8,Q·f值为1.66×10^4 GHz,τf为一13.6×10^-6/℃。

电子元件与材料杂志综合信息
日科学家开发出新型复合光催化剂7-7

摘要:据悉,东京工业大学一研究小组研制出一种新型复合光催化剂,可利用太阳光将CO2高效转化为CO。CO2是公认的全球变暖的元凶,在工业上也很难被利用。日本科学家的这项发明不但可以大量减少CO2,而且还能将其转化为化学工业的重要原料和燃料——CO,为解决化石燃料枯竭问题打开了新的局面。

电子元件与材料杂志研究与试制
湿法流延制备(Na,K)0.5Bi0.5TiO3织构陶瓷8-11

摘要:以NaCl-KCl熔盐法合成的片状Bi4Ti3O12微晶为模板,采用反应模板生长技术(RTGG)和湿法流延工艺制备了织构度为0.70的(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3(NBT-KBT)织构陶瓷。研究了烧结温度对NBT-KBT织构陶瓷的相对密度、微观结构、织构度与电性能的影响。结果表明:其晶粒生长方向与电性能均表现出明显的各向异性,最佳烧结温度为1150℃,在此温度下陶瓷的如3最大为124pC/N,Pr为7.1×10^-5C/cm^2,Ec为3771kV/m。

熔盐法合成α-Al2O3粉体的研究12-15

摘要:以Al2(SO4)3·18H2O为原料,采用NaCl-KCl熔盐法合成了α-Al2O3粉体。研究了焙烧温度、熔盐含量、焙烧时间和添加晶种含量等对产物晶型和形貌的影响。结果表明:当熔盐与原料的摩尔比为3,在1000℃下焙烧3h,或添加质量分数5%的α-Al2O3晶种在900℃下焙烧3h,均可合成晶化程度高,团聚少,粒径分布均匀的α-Al2O3超细粉末。说明添加α-Al2O3晶种可明显促进Al2O3相变。

Ca掺杂(Bi0.5Na0.5)TiO3-BaTiO3压电陶瓷结构与性能16-19

摘要:采用传统电子陶瓷工艺制备了(Bi0.5Na0.5)0.93(Ba1-xCax)0.07TiO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08或0.10)陶瓷,研究了Ca掺杂量对陶瓷的结构、介电、压电性能的影响。结果表明,陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿结构固溶体。陶瓷的介电、压电性能受Ca掺杂量的影响显著。所有陶瓷样品均表现出弥散相变特征。x=0.04时,室温ετ达到最大值1451.7,且tanδ较小,为0.042;当x=0.06时,d33和kp达到最大,分别为140.5pC/N和19.7%。

Mg或Cd掺杂尖晶石型LiMn2O4的晶格畸变20-22

摘要:采用室温固相法,用Mg或Cd掺杂制备了LiMn2O4前驱体,经分步煅烧获得晶型良好的尖晶石型LiM0.2Mn1.8O4(M=Mg,Cd)。结果表明,不同元素掺杂会导致LiMn2O4产生不同程度的品格畸变。Mg掺杂引起晶格收缩,并导致Mn(Ⅳ)-O和Mn(Ⅲ)-O键能强度增加,对应的红外吸收峰波数增加17.59和2.16cm^-1而发生蓝移;Cd掺杂引起晶格膨胀及Mn(Ⅳ)-O和Mn(Ⅲ)-O键能强度降低,对应的红外吸收峰波数均减少2.13cm^-1而发生红移。

钡铝酸盐绿荧光粉化学组成对光谱特性的影响23-26

摘要:采用固相合成法制备了钡铝酸盐绿色荧光粉xBaO·6Al2O3:Mn2,研究了化学组成对晶体结构、VUV发光性能的影响。当0.7≤x≤1.5,随着Ba^2+的增加存在BaAl13.2O20.8→BaAl12O19→BaAl9.2O14.8的基质结构转化。Ba^2+含量较低时,存在与基质晶格共晶的BaMnAl10O17结构,并且随着Mn^2+含量的增加BaMnAl10O17结构的数量增加。Ba^2+含量对VUV激发光谱谱形有较大影响;Mn^2+含量增加使发射光谱略有增宽。当Ba^2+、Mn^2+的含量分别为x=1.0与z=0.10~0.12时,具有最优的发光效率。

电子元件与材料杂志综合信息
提高太阳能电池效率有新法可使光电转换率提高50%26-26

摘要:美国麻省理工学院研究人员通过计算机模拟和实验室测试,找到了能极大提高太阳能光电池效率的新途径。

日本制定扩大太阳能发电行动计划26-26

摘要:2008年11月11日,日本经产省、文部科学省、国土交通省和环境省四部门联合《为扩大导入太阳光发电的行动计划》。该行动计划是为落实日本政府2008年7月制定的《建设低碳社会行动计划》中提出的到2020年将太阳能发电提高到10倍、到2030年提高到40倍的目标而制定的。

电子元件与材料杂志研究与试制
C型环缺陷地结构带阻滤波器27-29

摘要:为了进一步提高微波滤波器的品质性能,增强其应用性,提出了一种新型的C型环缺陷地结构(DGS-Defected Ground Structure)单元,该单元几何图形简单,可减小滤波器尺寸。经过对C型环DGS单元带阻特性的分析仿真,得到了最佳性能的仿真模型。实验结果表明,C型环缺陷地结构单元可获得极窄的阻带(约1GHz),由C型环单元构成的滤波器Q值可达130.2。

电子元件与材料杂志综合信息
长春应化所化学纳米传感材料与分析仪器化集成研究获新成果29-29

摘要:中科院长春应化所牛利课题组经过五年的研究,在基于纳米结构复合材料的化学传感器件及其分析仪器化集成设计方面取得了一系列成果,日前被授予2008年吉林省科学技术进步二等奖。

日开发新型低成本荧光纳米粒子29-29

摘要:据悉,日本岛根大学的一个研究小组开发出一种新型的氧化锌纳米粒子,这种粒子与蛋白质结合后发光稳定,安全性好,而且价格低廉,可应用于尖端医疗领域。日本《每日新闻》对此进行了报道。

电子元件与材料杂志研究与试制
用于红外接收芯片的OTA-C带通滤波器30-31

摘要:设计了一种二阶带通连续时间滤波器(BPF),采用0.5μm n阱CMOS工艺设计,在Cadence Spectre环境下进行了电路仿真。结果表明:该滤波器的中心频率38kHz,带宽6kHz,通带增益16dB且均匀可调,可用于红外接收芯片中。

纳米晶FeCuNbSiB带材巨磁阻抗效应研究32-34

摘要:采用微机电系统(MEMS)技术,在玻璃基片上制备了单层结构500℃退火的FeCuNbSiB带材样品。在1-40MHz下,研究了带材的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场强度以及交流电流频率的变化关系。结果表明:纵向、横向巨磁阻抗效应变化率(GMI值)在5MHz、1.2kA/m和5MHz、8kA/m时,分别达到最大值15.6%和10.6%。

激励电流对CoFeSiB非晶带GMI效应的影响35-37

摘要:利用脉冲电流对Co基非晶带进行退火处理,研究了激励电流频率和幅值对非晶带巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明:该非晶带的特征频率为1.4MHz,磁场灵敏度Q在约1MHz下达到最大值1.46%/(A·m^-1)。激励电流幅值增加,可以提高GMI变化率的最大值(ZGMI)max,磁场灵敏度却在激励电流幅值为7mA左右时达到最大值2.13%/(A·m^-1)。

电极材料对集成式谐振器力敏特性的影响38-41

摘要:设计制作了同一晶片上的集成三电极的谐振器。研究了这种谐振器的力敏特性与加力方位、电极材料的关系。并对电极材料分别为Au、Al的谐振器进行了比较实验。结果表明,谐振器的力敏特性与加力方位密切相关,加力方位与x轴夹角ψ为0°时,力敏系数最大;电极材料通过对石英晶体谐振器有效机电耦合系数的影响,进而影响谐振器的力-频特性。集成式谐振器在相同加力方位时,镀Au电极比Al电极的力敏系数最大可高出189.8Hz/N。