电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2008年第07期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述
BaO-Ln2O3-TiO2系微波介质陶瓷的研究进展1-3

摘要:综述了BaO-Ln2O3-TiO2(BLT)系微波介质陶瓷的发展历程、掺杂改性、粉体的制备方法、添加烧结助剂,改变烧结工艺等方面的进展。指出了高纯超细原料粉体的制备,先进的烧结设备,高精度的测试仪器与微波器件的混合集成化,是其今后的研究方向。

磁性薄膜微波电磁参数测试方法研究进展4-6

摘要:Fe、Co基合金薄膜具有高磁导率、高损耗等特点,可实现微波的宽频带吸收,是一类具有很大发展潜力的新一代吸波材料。磁性膜的复磁导率对吸波性能有重大影响,因而在吸波材料研究中提出了磁谱测量的紧迫要求。综述了国内外磁性薄膜电磁参数微波测量方法,主要介绍了磁性薄膜电磁参数的谐振腔法、双线圈法和传输线法,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。

电子元件与材料杂志研究与试制
K^+掺杂量对BaBiO3基陶瓷NTC特性的影响7-10

摘要:用传统的固相法制备了具有NTC特性的K^+掺杂BaBiO3基陶瓷。研究了K^+掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的B25-85值和室温电阻率ρ25均随着x(K^+)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(K^+)为20%时,得到了具有较好NTC特性的陶瓷样品,其室温电阻率ρ25为1500Ω·cm,B25-85值为3176K。

Li-Zr共掺杂对Bi2(Zn(1/3)Nb(2/3))2O7陶瓷介电性能的影响11-13

摘要:采用固相反应法制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xZrx)O7陶瓷,研究了当Li^+替代量一定时,Zr^4+掺杂对陶瓷相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量0〈x≤0.2时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,εr随x的增加而减小,tanδ随x的增加而增加;在-30~+130℃,观察到tanδ出现明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分析了这一现象。x为0.05,0.10,0.15和0.20时,样品的弛豫峰值温度分别为43,68,47和59℃。

电子元件与材料杂志编读通信
下期要目13-13

电子元件与材料杂志研究与试制
钨掺杂CaBi4Ti4O(15)基陶瓷的介电和铁电性能研究14-16

摘要:用固相反应法制备了钨掺杂的铋层状结构铁电陶瓷Ca0.7La0.3Bi4(Ti1–xWx)4O15(x=0,0.025,0.100和0.200)。研究了钨掺杂对其介电、压电和铁电性能的影响。结果表明,当x〈0.1时掺钨陶瓷已形成单晶相。Ca0.7La0.3Bi4(Ti0.975W0.025)4O15陶瓷具有最佳性能,其εr为183.15,tanδ为0.00446,d33为14pC/N,2Pr为26.7×10^–6C/cm^2,2Ec为220×10^3V/cm。SEM显示CaBi4Ti4O15基陶瓷的晶粒为片状。

Fe2O3掺杂的BST/MgO铁电移相器材料17-19

摘要:采用传统陶瓷工艺制备了Fe2O3掺杂BST/MgO铁电陶瓷材料。研究了Fe2O3掺杂量对该复合体系εr、tanδ等参数的影响。结果表明,适量的掺杂能有效改善体系的电性能。控制掺杂量x(Fe2O3)为0.1%,陶瓷介质在微波频段(S波段)的εr为100.5;tanδ约为5.3×10^–3;4000V/mm偏压下的调谐性可达14.2%。采用极化理论对掺杂机理进行了探讨。

电解电容器脉冲老练法及电源的研制20-23

摘要:在氧化膜修补机制的基础上,分析了老练工序费时的根本原因,并据此研究了脉冲老练法,开发出脉冲老练电源。对比实验表明,可将高压老练时间从11.0h缩短到2.5h,能保证电容器具有同等的电性能与寿命,且对高温贮存寿命试验的漏电流回升有明显改善,可节约高压电容器的制造成本5%~10%。

电子元件与材料杂志综合信息
中国MLCC研发与制造技术跨越国际化新高度23-23

摘要:2008中国电子技术年会于4月18日在北京举行。

电子元件与材料杂志研究与试制
预烧工艺对MgTiO3系MLCC瓷料性能的影响24-26

摘要:以Mg(OH)2,TiO2,CaCO3和ZnO为主要原材料,采用不同预烧工艺合成了MgTiO3主晶相材料。研究发现,快速升温到高温区(1150℃),然后降低温度至1000℃并保温4h所得的MgTiO3主晶相材料,为结构均匀、近似球形的颗粒,用其制备的MLCC瓷料,比表面积为5.5~6.5m^2/g,分散性好。这种瓷料适合制造薄介质膜,制得的MLCC具有优良的介电性能,其绝缘强度E大于1.243V/m,tanδ小于1.3×10^–4,εr为15.0~15.5。

水热法合成金红石型TiO2微米花的研究27-29

摘要:采用水热法在玻璃基板上制备了TiO2微米花,研究了反应物TiCl3的起始浓度、反应温度和反应时间对生成产物的形貌与晶型影响,并对产物进行SEM和XRD表征。结果表明:生成的TiO2晶体为金红石型,TiO2微米花的直径约2μm,它由TiO2纳米棒自组装而成,TiO2纳米棒呈现长方体形,棒径约50nm,棒长大约1μm。

电子元件与材料杂志综合信息
2008年敏感元件及传感器产业将迎来新的春天29-29

摘要:近年来,通过技术引进与改造,中国大陆敏感元件及传感器产业已形成一定的基础与生产能力,MEMS等5项新型传感器已列入研究开发的重点。据一项统计显示:目前中国大陆有455家从事敏感元件及传感器生产的厂商,所涉及配套企业多达1400多家,呈现出良好的发展态势.但综合实力较强的骨干企业仍然较少。目前,能批量生产的产品涉及光敏、

电子元件与材料杂志研究与试制
用废旧锂离子电池制备镍掺杂钴铁氧体30-32

摘要:以废旧锂离子电池为原料,采用sol-gel法制备了镍掺杂的钴铁氧体。借助XRD、振动样品磁强计(VSM),就镍掺杂量对钴铁氧体结构和磁性能的影响进行了研究。结果表明:以酒石酸为凝胶剂,采用sol-gel法,用废旧锂离子电池可以制备出性能优良的尖晶石结构镍掺杂钴铁氧体;最佳的镍掺杂摩尔分数x(Ni^2+)为0.2。

电子元件与材料杂志综合信息
手机库存过高元器件过剩状况2008年第二季度将缓解32-32

摘要:今年,中国市场针对“双卡双待机”的需求仍将持续增温。以双模双待手机来看,中国市场可分为GSM+PHS及TD-SCDMA+GSM两种,在中国本地,PHS以“都会型”适用,长距离无法漫游,因此,以GSM为主流搭配PHS的双卡双待机是一重点。另外谈到TD-SCDMA+GSM手机,其发展仍有待观察,其市场成长机会尚不明朗。

电子元件与材料杂志研究与试制
Al2O3包覆纳米TiO2的制备及其性能研究33-35

摘要:采用并流中和法,以混晶纳米TiO2颗粒为载体,Al2(SO4)3为包覆剂,用NaOH调pH值,在纳米TiO2表面包覆致密的Al2O3膜。并用TEM、XRD、IR及X射线能谱对其进行了表征,测定了包覆改性前后纳米TiO2的ζ电位、黏度以及光催化性能。结果表明:该包覆方法可行,改性后的TiO2零电点pH值增大至8,亲油性能得到改善,紫外屏蔽能力提高和光催化活性降低。

电子元件与材料杂志综合信息
新设贴片电容器工厂应对SMT器件需求35-35

摘要:由于市场规模的扩大,在2008年度(2008年4月~2009年3月),与去年相比,TDK计划大幅度增加中国地区通信市场的销售。目前由于季节性因素,供需比较均衡。在夏季之后的需求旺盛期,预计手机、MP3播放器以及平板电视等产品的生产将会增加,SMT(表面贴装技术)微型零部件的订单也会增多。为此,本公司将新设贴片电容器工厂,实施增产策略。

电子元件与材料杂志研究与试制
内应力对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的影响36-39

摘要:通过测量玻璃包覆钴基非晶丝、去除玻璃包覆层非晶丝和经直流焦耳热退火后玻璃包覆非晶丝的磁阻抗值,研究了玻璃包覆层和直流退火对玻璃包覆钴基非晶丝内应力及巨磁阻抗效应的影响。结果表明:通过处理,玻璃包覆非晶丝的GMI最大值更容易在弱磁场出现;随着淬火残余内应力的改变,导致样品壳内畴的体积增加,引起应力感生横向各向异性,从而增强GMI效应;其中经90mA直流退火的样品GMI峰值最大可达144%。

电子元件与材料杂志综合信息
国外如何“应急”39-39

摘要:美国:“一架永不休息的机器” 美国庞大的应急管理体系,被人比喻成“一架永不休息的机器”,协调这架机器运转的,是法制、体制和机制。