电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2008年第03期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

电畴尺寸研究进展1-4

摘要：铁电体是一类重要的功能材料，电畴是其物理基础。综述了电畴尺寸的影响因素、晶粒临界尺寸（包括单畴临界尺寸和铁电临界尺寸）、厚度临界尺寸等方面的研究进展，提出了研究中需要解决的问题。

电子元件与材料杂志综合性息

MLCC生产形成规范化 核心技术仍待突破4-4

摘要：在电子信息产业迅猛发展的今天，我们震惊于各种电子信息产品，如笔记本电脑、手机、液晶电视机、数码相机和摄影机、MP4等给我们生活带来极大便利的同时，更感觉到现在的电器产品较以前越来越小，且功能越来越完备、功耗越来越小，价格越来越便宜。这一切都归功于电器产品核心——半导体元器件和众多的被动贴片元件越来越小型化、高精度、低功耗化，使得家用电器类等信息产品小型化成为可能。

电子元件与材料杂志研究与试制

十二烷基苯磺酸掺杂聚苯胺的气敏性能研究5-8

摘要：以苯胺为单体，过硫酸铵为氧化剂，采用化学氧化聚合法分别在十二烷基苯磺酸（DBSA）和盐酸中合成了聚苯胺（PAn），并用傅里叶红外光谱和TGA-DTA技术对聚苯胺掺杂前后的结构变化和热稳定性进行了分析。研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的影响。结果表明：十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺，比普通盐酸掺杂的聚苯胺对目标气体具有更好的灵敏性。当r（S：N）为0．4～0．5时，在室温下其对1000x10^-6NH3的灵敏度达到了10．43，响应时间为30s，恢复时间为3min。且与盐酸相比，十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺具有更好的环境稳定性。

CdTeO_3纳米颗粒的制备及其气敏性能9-11

摘要：以CdCl2·2．5H20和碲粉为主要原料，在水相中反应制备CdTe前驱体，将其于500℃煅烧1h得到CdTe03纳米颗粒。通过XRD、SEM和TEM对其物相和形貌进行了分析；并将其制成了气敏元件，进行气敏性能测试。结果表明：成功合成了单斜晶相的、平均粒径为100nm的CdTe03纳米颗粒。以该材料制备的气敏元件对体积分数为50xlO^-6的乙醇有较高的灵敏度（15．1）和选择性。

电子元件与材料杂志综合性息

高分子PTC产品的技术发展趋势及新的应用11-11

摘要：过流线路防护的元件，从20世纪80年代在技术上实现应用化至今虽然只有二十多年时问，但在技术和应用上已经有了长足的进步和广泛的应用。随着电子线路的复杂化和元器件的密集化，对PPTC元件在技术上也提出了更高的要求，PPTC未来在技术发展上有如下趋势：

电子元件与材料杂志研究与试制

介孔SnO2的制备及气敏性能研究12-14

摘要：采用CTAB模板法制备了具有介孔结构的Sn02。通过小角X射线衍射，BET法对其进行了表征。采用静态配气法对介孔Sn02的气敏性能进行了研究。结果表明：随着煅烧温度的升高，介孔Sn02的比表面积从105.54m^2／g降到38．11m^2／g。通过延长陈化时间和进一步水热处理可以增加介孔SnO2材料的比表面积。气敏测试表明：在4．5V加热电压下，气敏元件对体积分数为50x10^-6酒精蒸气有较好的气敏性能，灵敏度为9．4，响应一恢复时间均为8s。

电子组装用高温无铅钎料的研制15-18

摘要：Bi-Ag合金是一种替代高铅钎料的芯片封装无铅焊料。研制了Bi-2．5Ag、Bi-2．5Ag-0．1RE、Bi-5Ag-0．1RE、Bi-7．5Ag-0．1RE、Bi-10Ag、Bi-10Ag-0．1RE钎料。结果表明，该合金系钎料的熔化温度范围随Ag含量的增加而增大，而且其润湿性能良好，润湿角都处于30^。-40^。。不同Ag含量的Bi-Ag／Cu接头在界面处发生断裂，剪切强度差别不大，都略大于30MPa。Bi．Ag／Cu界面没有金属间化合物形成，结合强度较弱。

La2O3-SnO2材料乙醇气敏性能与催化活性间关系19-21

摘要：通过测量La203-Sn02的气敏性能和催化活性，考察了La203对Sn02气敏性能和催化性能的影响，同时讨论了该材料对甲烷（CH4）和乙醇（C2H50H）的灵敏度与其催化氧化反应间的关系。结果表明：300℃时，掺杂w（La203）为3％时，可使乙醇的转化率从84．5％提高到100％，对体积分数为lxl0^-4的乙醇的灵敏度由11．06提高到53．22。说明目标气体的反应活性越高，其灵敏度也越高。掺杂La203提高乙醇气体的灵敏度的原因是因为增加了Sn02表面乙醇反应中的耗氧率。

掺铝二氧化锡气敏材料的制备与性能研究22-24

摘要：用so1-gel法制备了8种掺铝Sn02气敏材料，并用XRD分析其结构和晶粒度，用自组装仪器测定其气敏性能。结果表明：铝的掺入未改变Sn02的四方晶系结构，样品晶粒度为31．46～50．89nm；烧结温度600℃、掺铝量为5％（摩尔分数）的样品对C4Hl0的灵敏度为22．7；烧结温度600℃、掺x（A1）为1％的样品对H2S比较敏感，灵敏度为87．5；烧结温度700℃、掺x（A1）为5％的样品对C4H10灵敏度为45．5，对H2S灵敏度为100。

芯片贴装用银浆料的热物理与力学性能25-28

摘要：针对集成电路半导体芯片贴装，替代金一硅共熔焊或导电胶类粘结剂，研制了一种由银粉．玻璃粉和有机载体组成的低温烧结型银基浆料，其烧结温度峰值为430℃。研究了浆料的成分配比、工艺及其芯片贴装烧结工艺对浆料烧结体的微观组织、吼、五、芯片组装的剪切力和热循环对芯片剪切力的影响规律。结果表明，当ζ（银粉：玻璃粉）=7：3，ζ（固体混合粉末：有机载体）=8：2时，芯片贴装后的综合性能最佳，冷热循环500次后其剪切力仅下降15％。

高介电性纳米复合氧化膜的研究29-31

摘要：首次在溴的丙酮溶液中，以钽作阳极，多孔型氧化铝为阴极，通过直流电沉积方法制备Ta／AI2O3复合章叫匕膜。结果表明：阳极钽在阴极氧化铝的表面和多孔结构内部均有沉积，并以纳米结构与多孔氧化铝结合生成复合氧化膜。

多弧离子镀制备高比电容铝箔的研究32-34

摘要：通过控制乙炔与氮气流量比和冷却方式，采用多弧等离子体辅助物理气相沉积法（PVD），制备了不同比电容的TiCN涂层铝箔，借助比容测试仪、发射扫描电镜、X射线衍射分析仪及电子探针等，检测其比电容及显微形貌、晶体结构和化学成分。结果表明，PVD法可以获得高比电容铝箔（1674×10^-6F／cm^2）；采用液氮快速冷却方式可以获得非晶态的TiCN纳米涂层，比电容比随炉冷却的约提高两倍；乙炔和氮气体积流量比为1：1较之1：0．5时，铝箔的比电容提高1,5～2．5倍。

阳极处理改善聚吡咯片式叠层铝电容器漏电流35-38

摘要：分析了聚吡咯固体片式叠层铝电解电容器的结构及制作难点，采用了隔离法、官能团高分子修复法、电解修复法、循环高温处理修复法、钝化法等多种阳极处理方法，研究了降低漏电流的方法，结果显示：经过处理后，规格6．3V，47μF聚吡咯固体片式叠层铝电解电容器的漏电流水平为1μA以下，可靠性达到105℃，l000h。

掺杂对钽丝电性能影响的研究39-41

摘要：通过显微组织观察、直流漏电流测试，研究了掺杂元素种类（A、B两类）及其掺杂量在不同退火温度下对钽丝微观组织以及直流漏电流的影响。结果表明：随着掺杂量的增加，钽丝的再结晶温度升高，组织晶粒细化，其中掺B比掺A细化效果更加明显；掺A和B的钽丝比仅掺A的钽丝或纯钽丝直流漏电流性能要好，且掺400×10^-6（质量分数）的A与掺400×10^-6的A、400×10^-6的B钽丝的直流漏电流数值在同类钽丝中最低，可达到约0．007×10^-6 A·cm^-2。

960MHz同轴介质谐振器滤波器的研制42-43

摘要：研制了用四个高Q值介质同轴谐振器构成的带通滤波器，谐振器之间的耦合通过陶瓷基片上的电容实现，讨论了影响谐振器插入损耗的主要因素。结果表明，该四级式低损耗介质同轴谐振器滤波器中心频率，f0为960MHz，插入损耗小于3.0dB，能满足设计要求。

反射型聚苯胺基柔性电致变色器件的研制44-46

摘要：采用循环扫描伏安法在Au／Cr／PET复合基底上聚合出聚苯胺（PAN）膜，设计并制备了基于PAN的反射型柔性电致变色器件（ECD）。研究了该ECD反射光谱的电压响应特性。结果显示，所得PAN具有晶体结构，微观上呈直径约60nm的纤维网形态，与Au／Cr／PET基底结合良好；该ECD的反射光谱曲线的波长选择性，在-0．4～＋1．8V电压范围内随电压增加而逐渐明显，反射率峰值出现的位置由476nm移至584nm，表现出良好的电致变色响应特性。

基于压电材料的振动能量获取技术的研究47-50

摘要：根据压电原理、力学理论及其电学等效模型，设计了能量收集电路，它由四倍压整流电路，3F超级电容器和微型电源管理芯片MAXl811组成。实验表明，电源管理芯片输出电压为4．17V时，PZT压电材料振动产生的电能，可通过该电路将电能储存于锂电池中。

电子元件与材料杂志综合性息

片式元件小型化低成本方向不变国内企业面临新一轮整合50-50

摘要：我国片式元件发展起步晚，技术水平和生产规模处于行业劣势地位，面临激烈竞争。国内企业纷纷表示要通过增加产品的技术含量扩大发展空间。