电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2008年第01期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志专家论坛

PTC元件生产中废品形成的原因探讨1-7

摘要：从PTC元件电击穿及热破坏的机理，探讨了其产生废品的原因，主要有：（1）干压成型形成的密度分布不均匀；（2）瓷体内的组成不均匀；（3）瓷体内玻璃相分布不均匀；（4）沿片子截面中心部位的强内应力等。据此提出了预防废品发生的措施。

电子元件与材料杂志综述

玻璃包覆磁性合金微丝性能研究进展8-12

摘要：综述了玻璃包覆磁性合金微丝复合材料的制备、磁性能及高频电磁性能的研究进展。分析了玻璃包覆磁性合金微丝的特点及成为研究热点的原因。归纳了不同磁致伸缩系教微丝的磁结构研究，尺寸、长度、热处理及含量等对玻璃包覆磁性合金微丝的磁性能及高频电磁性能的影响，展望了它在传感器、微波与吸波方面的应用前景。

诚聘英才12-12

全钽全密封液体钽电解电容器13-15

摘要：叙述了全钽全密封液体钽电解电容器的结构和特点，较之银外壳液体钽电解电容器，它克服了漏液、瞬时开路、电参数恶化与银离子迁移等缺点，因而具有性能稳定、承受纹波电流能力强、可靠性高等优点，享有“永不失效”的电容器之称。

电子元件与材料杂志研究与试制

无铅钎料用无VOC助焊剂活化组分研究16-19

摘要：对无铅钎料免清洗助焊剂用各类活化剂性能及机理进行了分析，通过润湿力研究选择出活化性能较好的丁二酸和戊二酸以及一种羟基酸。以此活化组分为基础配制了两种无挥发性有机化合物（VOC）免清洗助焊剂，并且根据SJ／T11273-2002《免清洗液态助焊剂》的规定对该助焊剂进行了性能检测。结果表明，两种助焊剂无松香无卤素，固体含量低，润湿力大，腐蚀性小，扩展率达75％，助焊性能良好，可应用到无铅波峰焊中。

高频等离子体法制备微细球形镍粉的研究20-22

摘要：用羰基镍粉为原料，制备微细球形镍粉（包括细化和粗化过程），研究了载气量和加料量对产品镍粉形貌和粒度的影响。结果表明，等离子体处理后产品仍为纯金属镍粉，形状由不规则变为球形，颗粒平均粒径由原料的3-5μm减小至100nm左右，振实密度由2.44g／cm^3提高到3.72g／cm^3。高频等离子体法是制备电极用高振实密度微细球形粉体的有效技术。

AlN-TiC复相微波衰减材料性能的研究23-25

摘要：采用热压烧结工艺制备了AlN-TiC复相微波衰减材料。通过XRD、SEM和网络分析仪，研究了TiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明，当w（YiC）低于10％时，材料呈选频衰减且衰减非常小；当w（TiC）为25％-50％时，材料呈现良好的多点选频衰减，且其衰减量随w（TiC）的增加而增加，最大达-18dB。中心谐振频率有向高频漂移的趋势。初步探讨了AlN-TiC复相材料微波衰减曲线的频谱特性与衰减机理。

电子元件与材料杂志综合信息

陶瓷电容器的发展方向25-25

摘要：陶瓷电容器仍将在世界电容器市场上居主导地位，而片式电容器将主宰陶瓷电容器和钽电容器市场。小型化、大容量、高电压、高频率、抗干扰和阵列化仍将是陶瓷电容器发展的方向。1005型片式陶瓷电容器已流行，但0603型产品已上市，且0402型产品已在开发。目前，利用薄层和多层化（600-800层）技术以及内电极贱金属技术，

电子元件与材料杂志研究与试制

电子元器件引脚的前处理及Cr^6＋的测定26-28

摘要：采用湿消解法，即用氧化性的混酸（3mL质量分数为15％硝酸、1mL浓盐酸）溶解电子元器件引脚，以保证样品中铬的价态不变。此样品处理方法简单、分解速度快、不引入其它阳离子且多余的酸易于除去。消除基体干扰后，用分光光度法测定了样品中的六价铬，加标回收率为98.7％-102％。

热输入及掺Ni对Sn-Ag钎料强度的影响29-31

摘要：Sn-Ag共晶钎料中添加Ni颗粒，在钎料内部形成强化相，达到强化效果。研究了Ni颗粒的添加配比对强化效果的影响，并提出了热输入概念，通过调节热输入量控制钎料的强度。结果表明，φ（Ni）为5％是最佳配比，当热输入量为5.07时，其强度值最高，达60.71MPa。比未添加Ni的钎料提高50％以上。

电子元件与材料杂志综合信息

印度电子市场火爆全新印度电子展引业内瞩目31-31

摘要：2007年8月11日，印度新德里：励展博览集团宣布在印度成功收购Componex印度电子展，并与其世界领先的系列电子展Nepcon合并为印度田际电子元器件、材料及生产设备展览会（Coaponex Nepcon India2008）。原Componex印度电子展拥有15年的历史，由印度《今日电子》杂志所有，收购后的印度电子展仍将得到原主办方的大力支持和协助，

电子元件与材料杂志研究与试制

Sn^4＋替代Nb^5＋对Bi2（Zn1／3Nb2／3）2O7陶瓷性能的影响32-34

摘要：采用固相反应法制备了Bi2（Zn1／3Nb2／3）2O7（BZN）微波陶瓷，并借助XRD、SEM及LCR4284测试仪，研究了Sn^4＋取代Nb^5＋对BZN陶瓷显微结构和介电性能的影响。结果表明：随着Sn^4＋替代量的增加，微观形貌中出现棒晶；选取20-80℃，100kHz时的Er计算，介电常数温度系数由205×10^-6/℃逐渐减小到-240×10^-6/℃；当替代量x（Sn^4＋）为0.16时，样品出现介电弛豫现象；随着测试频率的增加，介电弛豫峰向高温移动。

Mn在HDDR各向异性NdFeCoB磁粉中的作用35-37

摘要：采用HDDR（氢化-歧化-脱氢-再复合）技术制备NdFeCoB合金磁各向异性磁粉。研究了元素Mn对NdFeCoB合金HDDR磁粉的磁性能和磁各向异性的影响。结果表明：加入x（Mn）为2％以下的Mn元素没有改变NdFeCoB合金的相组成，但可提高NdFeCoB合金各相在氢气中的稳定性：当加入x（Mn）从0增加到2％时，NdFeCoB磁粉的内禀矫顽力也Hcj从700kA／m降低到450kA／m，而NdFeCoB磁粉的磁各向异性DOA值从0.22增加到0.45。

基于双负材料的宽频带微带天线设计38-40

摘要：采用空腔模型法设计了以双负材料（ε、μ为负值）为介质衬底的新型微带天线。实物测试表明-新型天线比普通材料微带天线明显展宽带宽。在未对天线贴片作优化处理的情况下，新型天线-10dB反射系数带宽达1.50GHz，比普通材料的天线展宽约70％，相对带宽达16.3％，E面辐射方向图较前者偏转了约40°，而H面方向图则与普通材料天线相似。

前驱体法制备BaNd2Ti4O12微波介质陶瓷的研究41-44

摘要：以EDTA为络合剂，EG为酯化剂，得到多孔的BaNd2Ti4O12树脂前驱体，在950-1000℃内预烧，可直接合成BaNd2Ti4O12而不出现中间相。聚合物前驱体法制备BaNd2Ti4O12在1140-1180℃的内可以烧结得到致密的陶瓷，较传统固相法烧结温度低200℃左右,1140℃烧结的样品介电性能良好，εr为87.6，Qf为7692。

电子元件与材料杂志综合信息

中国电子信息产业进入知识产权多元时代44-44

摘要：1.知识产权可以带来巨大利益 知识产权的问题越来越受到各个方面的重视，尤其是电子信息产业的知识产权问题。这有两个原因：第一，信息产业是知识产权密集型产业，技术密集型产业，围绕知识产权的竞争已经成为企业竞争的核心。第二，知识产权在市场中可以发挥核心竞争力的作用，而且可以带来巨大的经济利益，

电子元件与材料杂志研究与试制

TiCN对钛酸钡基PTC热敏陶瓷性能的影响45-47

摘要：采用固相反应法制备了TiCN掺杂的（Ba0.85Sr0.11Pb0.04）TiO3 PTC热敏陶瓷。研究了TiCN加入量对其显微结构和PTC性能的影响。结果表明：添加x（TiCN）为0.006时，可使晶粒结构均匀，PTC性能得到改善。所获样品的体积电阻率Pv为31.2Ω·cm，电阻温度系数αR为21％℃^-1，升阻比1g（Rmax／Rmin）为5.7，居里温度tc为97℃，耐电压强度Vb为280V·mm^-1。

SnO2厚膜NO2新型气敏元件的研制48-50

摘要：根据霍耳效应，用真空镀膜法制备之SnO2厚膜，制备了NO2新型气敏元件，并对其气敏性能进行了测试。结果表明：在一定的温度和湿度下，即使没有加热，元件对体积分数为20×10^-6的NO2气体的灵敏度可达5.94，响应时间为36s，恢复时间为22s。因此，利用霍耳效应来制作气敏元件是一条可行的新思路。