电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2007年第09期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志专题论坛·无源集成技术

BaCO3基低温共烧陶瓷基板工艺及性能分析1-3

摘要：对用于封装的BaCO3基低温共烧陶瓷基板LTCC材料进行了研究，包括组分配制以及陶瓷制备工艺研究。对烧结后陶瓷的部分热性能以及力学性能进行了测试。结果表明：BaCO3基低温共烧陶瓷较为致密的密度在3．8～4．2g／cm^3，在900℃烧结的陶瓷机械形变较小。

电子元件与材料杂志综合信息

我国内地网民达1．62亿 宽带网民达1．22亿3-3

摘要：中国互联网络信息中心（CNNIC）7月18日了《第20次中国互联网络发展状况统计报告》。报告显示，截止到2007年6月30日，我国内地网民总人数达到1．62亿，宽带网民数达1．22亿，手机网民数较去年翻了2．6倍，已有4430万人。

电子元件与材料杂志专题论坛·无源集成技术

微波介质陶瓷／铁氧体复合材料的低温共烧4-6

摘要：将MgTiO3微波介质陶瓷与Ni—Zn—Cu铁氧体进行低温共烧实验，研究了两种材料的低温烧结特性，结果表明，添加适量的Bi2O3能将复合材料的烧结温度降至900～920℃，并且使得烧结更加致密化。实验证明两种材料之间没有发生化学反应，各自保持了原有的物相，二者具有良好的化学相容性。该复合材料既具有铁电性又具有铁磁性，并且能满足低温共烧工艺的要求，有很好的应用前景。

电子元件与材料杂志综合信息

韩确定“下下一代”半导体研究四大重点领域6-6

摘要：韩国下下一代半导体策略技术的四大重点研发领域已确定为：系统设计、纳米集成工程、下一代存储器、系统统合。此次的推进策略与以往不同，要采取“共同研发”和设备材料需求企业之间的协作体系。

电子元件与材料杂志专题论坛·无源集成技术

无机介质集成薄膜电容的制备研究7-9

摘要：以Cr／Ag／Cr金属膜系为电极，电子束蒸发镁橄榄石（2MgO·SiO2）膜为绝缘介质，在陶瓷基片（表面较粗糙）上制备了MIM结构无机集成薄膜电容。光学显微镜和扫描电镜分析显示，电容的绝缘强度和介电性能主要取决于介质膜致密程度。沉积后适当的热处理有助于改善电容性能，但过度的热处理却可能导致由晶化和扩散引起的负面作用。所得电容击穿场强达到了10^7V／m以上，5MHz频率tanδ为0．01。

下期要目9-9

多芯片组件的热三维有限元模拟与分析10-13

摘要：以ATMEL公司生产的MCM的内部结构、尺寸和材料为基础，在有限元分析软件ANSYS的环境下建立了该MCM的三维模型。对该MCM在典型工作模式下内部和封装表面温度场分布情况进行了模拟，并分析了该MCM工作时各部分散热比例情况和MCM各部分材料的热导率对内部温度的影响。MCM表面温度的模拟结果和用红外热像仪测得的结果基本一致，有限元模型和分析方法能够比较精确地反映MCM温度场分布。

MAS系陶瓷生带的烧结特性研究14-17

摘要：采用乳化机将MAS（MgO-A12O3-SiO2）系微晶玻璃粉与有机组分均匀混合制成浆料，用流延法制成生带。研究了陶瓷生带的配比对生带叠层板烧结特性的影响。结果表明：粘结剂含量对生带叠层板烧结特性影响最大；粉体粒径以及增塑剂与粘结剂体积比值R的影响次之。生带叠层板的烧结致密度越大，其抗弯强度越高。

电子元件与材料杂志综合信息

2006年彩管行业发展大事记17-17

摘要：2006年1月11日，欧盟委员会在其官方公报上公告，称对中国、韩国、马来西亚和泰国输欧彩色阴极显像管进行反倾销立案调查。中国内地的涉案企业包括北京松下彩色显像管有限公司、深圳赛格三星股份有限公司、深圳三星彩管公司、深圳赛格日立彩管公司、南京华飞彩色显像管有限公司等十几家公司。

电子元件与材料杂志研究与试制

工艺条件对KNNT陶瓷性能的影响18-20

摘要：采用传统固相反应法制备了（K0.5Na0.5）（Nb0.7Ta0.3）O3（KNNT）无铅压电陶瓷。通过XRD、SEM分析方法分别研究了预烧后粉体和烧结后样品的晶体结构和微观形貌，以及预烧、烧结条件对样品性能的影响。结果表明，预烧后的粉体和烧结后的样品的晶体结构分别为四方相和斜方相；在860～920℃预烧，选择合适的烧结温度均可获得性能优异的陶瓷样品。较佳工艺条件为900℃预烧、1180℃烧结，样品d33可达到205pC／N，kp、K33分别为45．9％、60．5％。

水溶性助焊剂焊接技术及水清洗工艺21-23

摘要：以混合醇、有机酸、活性剂、高温润湿剂等与异丙醇混合配制成水溶性助焊剂。在电容器生产中使用了这种助焊剂替代松香酒精助焊剂，焊接后采用纯水替代三氯乙烯溶剂进行清洗。测试结果表明，产品介质损耗小于0．03，绝缘电阻大于10000MΩ，均达到国家产品标准。实现了绿色化生产且降低了生产成本。

In2O3基气敏材料的催化性能及敏感机理研究24-26

摘要：采用微反应器一气相色谱联用装置和气敏性能测试设备，评价了不同掺杂的In2O3材料对异丁烷的催化及气敏性能。研究表明：掺杂责金属（Pd、Pt、Au等）可大幅度提高材料对异丁烷的催化活性，灵敏度也由2．99提高到4以上；而掺杂碱性金属氧化物则降低了材料的催化活性和灵敏度。材料的气敏性能和催化性能存在密切的关系。并浅析了材料的敏感机理。

电子元件与材料杂志综合信息

一批具有国际先进水平电子仪器开发成功26-26

摘要：近几年在调整产品结构，提高产品档次，开发出具有自主知识产权、具有国际先进水平的电子测量仪器新产品呼声的引导下，我国的电子测量仪器企业开发出一批具有国际先进水平的同类产品。

电子元件与材料杂志研究与试制

溶剂热法制备纳米SnO2及其气敏性能研究27-29

摘要：以SnCl2·2H2O为原料，采用溶剂热法，分别在体积分数为95％的乙醇及95％乙醇一油酸体系中制备了单分散的SnO2纳米粉。利用XRD和TEM等手段，对产物进行了表征，并对其气敏性能进行了测定。结果表明：在95％乙醇-油酸体系中制备的SnO2，粒径约为15nm，在4V的工作电压下，对体积分数为100×10^6的氯气灵敏度为370，响应-恢复时间仅为1s。

废旧电池水热法制备镍掺杂纳米晶锰锌铁氧体30-32

摘要：以废旧碱性锌锰电池为原料，采用水热法制备了镍掺杂的纳米晶锰锌铁氧体。用XRD、TEM和VSM，就镍掺杂量对锰锌铁氧体的相结构和磁性能的影响进行了研究。结果表明：镍掺杂的摩尔分数为0～2％时，均可制得具有尖晶石结构的纳米晶锰锌铁氧体。最佳x（Ni^2＋）为1．5％，此时镍掺杂锰锌铁氧体的Ms、Mr和Hc分别为3.643×10^5A/m,2.508×10^4A/m和2.388×10^3A/m。

Cr对钙钛矿型氧敏材料性能的影响33-35

摘要：利用固相合成法制备了不同Cr含量的氧敏陶瓷样品，研究了添加剂Cr对钙钛矿型氧敏材料性能的影响，测量了不同氧分压下的阻一温特性和氧敏特性。结果表明：在SrTiO3中Cr离子替钛位可使SrTiO3实现P型掺杂；Cr掺杂促进了氧空位的产生，加强环境氧与晶格氧的交换，提高了氧灵敏度，使其达到9；Cr离子变价增加了空穴载流子浓度，提高了材料的电导率，使电阻值降低到几千欧。

电子元件与材料杂志综合信息

中国首次明确十一五期间八大重点高技术产业35-35

摘要：国家发展和改革委员会日前《高技术产业发展“十一五”规划》，首次明确“十一五”期间中国需要重点发展的八大高技术产业——电子信息产业、生物产业、航空航天产业、新材料产业、高技术服务业、新能源产业、海洋产业以及用高新技术改造提升传统产业。

电子元件与材料杂志研究与试制

聚苯胺／复合钒钼酸纳米复合材料的制备与表征36-38

摘要：采用原位氧化聚合法制备了聚苯胺／复合钒钼酸纳米复合材料，并对其进行了XRD、FT-IR、SEM表征和复阻抗谱分析。结果表明，聚苯胺以单层方式插入复合钒钼酸层间，由于层间缝隙限制以较伸展的链构相存在。随着苯胺（An）含量的增加，复合材料的电导率增大，当m（An）：m（H2V10Mo2O31±y）为4：1时，复阻抗Z′小于0．2MQ，Z″小于0．1MQ。