电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2006年第04期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

Bi过量和Mn掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷1-3

摘要：采用传统电子陶瓷制备工艺制备（1-y）（Na0.5Bi0．5）TiO3-yBa（ZrxTi1-x）O3无铅压电陶瓷，获得了d33高达185pC／N的0．94（Na0.5Bi0．5）TiO3-0.06Ba（Zr0．055Ti0．945）O3压电陶瓷．对Bi的挥发进行了补偿，添加过量Bi2O3（摩尔分数z=0.08）的钛酸铋钠基压电陶瓷，d33高达218pC／N。研究了Mn掺杂对钛酸铋钠基陶瓷压电、介电性能和损耗的影响，获得了高性能的无铅压电陶瓷，其中如3为214pC／N，k1为0．44，如3为0.52。

中国电子学会七届六次常务理事会议在京召开3-3

摘要：中国电子学会七届六次常务理事会议于2005年12月26日在电子工业出版社会议室召开．吴基传理事长，朱高峰、刘洪昆、董韫美副理事长，迟惠生、冯正和、郭诚忠、来国柱、廖动鸣、欧阳忠谋、孙强南、王德炳（黄永勘代）、王志刚（袁苏泰代）、吴祈耀、徐步荣，杨义先、张晓林、张旭明等常务理事出席了会议．刘汝林秘书长，李志武、邵心楷、王玉生副秘书长列席了会议．电子工业出版社社长文宏武、常委书记王志刚、副社长王传臣等同志应邀参加了会议．

掺CeO2纳米MnO2非对称超级电容器的研究4-6

摘要：采用化学共沉淀法制备出超级电容器用掺CeO2的MnO2电极材料，通过XRD、SEM对样品进行了表征，研究了掺杂量对MnO2电极稳定性能的影响。结果表明，产物主相为α-MnO2，粒度分布较均匀，在50—100nm：在6mol／L的KOH电解液中，该掺杂MnO2电极材料具有优良的电容行为和循环稳定性能。当掺CeO2量为10％（与MnO2的质量比）时，在电流密度为250mA／g时，比电容量达257．68F／g；循环500次，容量仅衰减1．18％。

全国信息产业工作会议在北京召开6-6

摘要：全国信息产业工作会议2005年12月27日在北京召开。中共中央政治局常委、国务院副总理黄菊向大会致信，指出要进一步树立和落实科学发展观，围绕电信强国、电子强国建设作出新的贡献。

湿-干法合成超细颗粒PZT固溶体粉料及陶瓷7-9

摘要：提出了一种制备WZT粉料及陶瓷的新工艺，即采用湿-干法制备WZT固溶体粉料。首先用聚合物中间体方法合成了钙钛矿型WZT中的B位离子氧化物固溶体ZrxTi1—xO2（x=0．50～0．56），并以此作为B位先驱体，其物相为单相，组成超出固相反应可以合成的单相ZrxTi1-xO2固溶体的锆钛比范围；然后用该先驱体与碳酸铅通过固相反应合成WZT固溶体。固相反应温度可显著降低至725℃，WZT粉料颗粒的粒度达到130nm。常温下，WZT陶瓷岛的最大值达到1260。

BST薄膜的磁增强反应离子刻蚀研究10-13

摘要：分别以CF4／Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体，采用磁增强反应离子刻蚀（MERIE）技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刺蚀．结果表明，刺蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性．当CF4／Ar的气体流量比R（CF4：Ar）为10：40时，刻蚀速率达到极大值．当CF4/Ar/O2的气体流量比R（CF4：Ar：O2）为9：36：5时，刻蚀速率达到最大值，最大刻蚀速率为8．47nm／min．原子力显微镜（AFM）分析表明，刻蚀后的薄膜表面粗糙度变大。对刻蚀后的薄膜再进行适当的热处理，可以去除部分残留物。

铁电体、热释电体、压电体和介电体及其之间的关系13-13

摘要：某些晶体在一定的温度范围内具有自发极化，而且其自发极化方向可以因外电场而反向，晶体的这种特性即成为铁电性。具有铁电性的晶体成为铁电体，是因为它与铁磁体在许多物理性质上具有一对应之处（电滞回线对应磁滞回线，电畴对应磁畴，铁电-顺电相变对应铁磁-顺磁相变，电矩对应磁矩等）。铁电体的介电性能随温度变化的关系呈现异常特性，在居里温度时，其介电常数呈现极大值，超过居里温度时，其介电常数随温度的变化遵循居里-外斯定律。

低阻抗聚苯胺铝电解电容器的研究14-16

摘要：采用化学氧化法合成可溶胜导电聚苯胺，作为电容器的阴极而取代传统的工作电解液阴极，研制了一种新型导电高分子固体铝电解电容器。其额定工作电压DC6．3V，标称电容量1000μF，tgδ〈0．036（100Hz，＋20℃），漏电流屯〈20μA．此种电容器频率-阻抗特性优良，阻抗极低Z〈0．015Ω（100kHz，＋20℃），并具有良好的温度特性和自愈特性．

工艺对钛酸铋钙基陶瓷性能的影响17-19

摘要：采用正交实验优化了各氧化物掺杂CaBi4Ti4O15（CBT）陶瓷的最佳配方。A、B位复合掺杂改性效果比A位或B位掺杂改性明显。研究了预合成温度、保温时间、烧结温度和烧结方式对CBT基陶瓷性能的影响规律及其机理。结果表明：在850℃预合成，保温3h，1130℃Al2O3埋烧工艺条件下，研制出介质损耗为0．0055，相对介电常数为163．60，烧成收缩率为12．1％的陶瓷试样。

CBS掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响20-23

摘要：研究了钙硼硅（CBS）微晶玻璃掺杂BaTiO3（BT）-Nb2O5-ZnO系统的微结构和介电性能，并用掺杂后晶粒壳与晶粒芯体积分数的变化规律分析了其改性机理。对比SEM照片得出，不同含量CBS掺杂BT的室温品与掺杂后BT陶瓷的晶粒生长情况以及玻璃相的多少和分布密切相关。经优化配方和工艺后，在空气中于1150℃烧成的BaTiO3陶瓷材料的主要性能指标达到：εr25℃〉1350，tgδ≤1．0×10^-2，p≥10^11Ω·cm，最大电容量变化率不超过±10％（-55～＋150℃），适于制备中温烧结X8R多层陶瓷电容器。

2006年中电元协部分分会活动计划23-23

表面改性碳纳米管／PMMA复合材料的电性能24-26

摘要：在悬浮液中加入表面改性剂，改变纳米粒子表面的性质，从而抑制纳米粒子间的团聚，有力地改善了碳纳米管在聚合物中的分布，增强了纳米复合材料的电性能。并研究了不同的改性剂对电性能的影响。经研究，经过十八醇表面改性后的纳米粒子对纳米复合材料的电性能影响最好，改性后的MWNTs／PMMA纳米复合材料电阻最小可达到4kΩ左右。

CaO对MgO-Al2O3-SiO2微晶玻璃烧结和性能的影响27-29

摘要：研究了氧化钙对MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃烧结特性和性能的影响．结果表明：氧化钙替代氧化镁能够促进微晶玻璃粉体的烧结致密化，影响玻璃的晶化特性、介电性能和热膨胀特性．随着氧化钙量的增加，样品的介电常数和热膨胀系数增加。但其介质损耗呈现先减小后稍微增加的趋势。含3％CaO（质量分数）的样品可在900℃烧结致密化，并具有低的导（5．4）、低的tgδ（≤0．13×10^-2）和低的α（3．55×10^-6℃^-1），是一种有应用前景的低温共烧陶瓷基板材料。

最少元件的通用电流模式滤波器30-32

摘要：在电流控制电流传榆器的基础上采用交叉耦合电流镜技术实现了多输出端口电流控制电流传榆器（MOCCCII）．并利用该器件设计出一种结构简单的双二阶通用电流模式滤波器．谊滤波嚣结构简单，仅包含2个有源器件，2个接地电容，并可通过改变外部输入电流的接入方式和接入数目，在同一输出端和不同输出端分别实现多种滤波功能。完成了实际电路的PSPICB仿真，结果表明提出的电路正确有效．

不锈钢基厚膜介质浆料烧结致密化研究33-35

摘要：介质浆料的烧结致密化程度对不锈钢基扳的绝缘性能具有至关重要的影响。以CaO-Al2O3-SiO2系玻璃为研究对象，制备不锈钢基片用介质浆料，研究该介质浆料的烧结致密化工艺。结果表明在CaO含量为45％，平均粒度为2～3μm的玻璃粉所调制的介质浆料，烧结温度为870℃，烧结时间为10—20min的条件下，获得致密化的介质浆料.

日本电子元器件大厂由集中于中国倾向转投资越南35-35

摘要：由于人民币升值、租金涨价及电力不足等问题，企业投资风险日渐增高，许多日系电子元器件大厂将原先生产据点集中于中国的策略，开始转为分散扩大投资范围，有些看好越南元器件业劳动质量高，开始投资越南成立生产据点。

基片对SrTiO3薄膜结构与介电性能的影响36-38

摘要：对比研究了MgO和LaAlO3（LAO）单晶基片上采用脉冲激光法生长的SrTiO3（STO）薄膜的微观结构和介电性能，通过XRD，AFM和制备又指电容测量的方法研究发现，在MgO基片上生长高质量（00L）织构STO薄膜需要较高的生长温度；LAO基片上的STO薄膜更加平整；而MgO上的STO薄膜具有更高的零偏压介电常数和更强的非线性介电性质。

下期要目38-38