电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

水热法制备掺镁钛酸钡粉体及其电性能研究1-3

摘要：利用水热法制备了掺镁的超细钛酸钡粉体并高温烧结后得到瓷体,运用XRD、AES和SEM等测试手段,分析了掺镁对钛酸钡粉体及陶瓷电性能的影响.研究表明,镁固溶到了钛酸钡的晶格中并取代钛位.镁的掺杂有助于获得细晶高致密的陶瓷,当n(Mg)/n(Ti)为0.06时,致密度最高,常温下相对介电常数高达4 100,击穿场强达到3.2 MV/m以上.

ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备4-7

摘要：用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题.将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器.该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比.

基于沉淀转化法制备的纳米NiO超级电容器研究8-10

摘要：运用沉淀转化法制备Ni(OH)2超微粉末,并通过热处理得到纳米NiO.利用TG、XRD、TEM、N2吸附、循环伏安和恒流充放电测试对样品进行了分析和表征.结果表明,实验制备的NiO粒径为10 nm左右,比表面积达到186.3 m2/g,并具有合适的孔径分布,NiO赝电容器的工作电压为0.35 V,在电流密度为60 mA/g时,其比容达到243 F/g.

Mg取代Ca的CLST陶瓷的结构和介电性能11-13

摘要：采用固相反应法制备Mg取代Ca的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)陶瓷,用XRD图谱研究其晶体结构.结果表明:Mg取代Ca的量x为1～8时,在1 250℃烧成,形成单一的钙钛矿相.随着x增大,晶格常数都逐渐减小; x为16时,晶格常数突变,形成富Sm非钙钛矿的主晶相.在1 MHz下,εr和tgδ都随x增大而降低,x 为12时,εr 为42.6,tgδ为 0.001 2.

特高频高磁损耗材料的制备及其磁特性研究14-16

摘要：采用磁粉芯工艺制备了抑制电磁干扰(EMI)用高磁损耗软磁合金复合材料(SCM).通过SEM微观形貌观察与复磁导率(μ'r、(μ〃)r)测试,对不同制备阶段的样品进行了分析,研究了球磨与退火过程对磁导率的影响,并与铁氧体材料磁导率特性进行了对比.结果表明:呈磁共振双峰宽频分布,1.2 GHz时,为7.3,为14.5.特高频带内,SCM磁损耗性能超过铁氧体材料.

用微粒群算法与神经网络实现传感器误差补偿17-19

一种环保型电子封装用复合材料20-22

摘要：采用挤压铸造专利技术制备了体积分数为65%高纯Si的环保型Sip/Al-Si20复合材料.试验结果表明:复合材料的铸态组织均匀、致密,没有明显的颗粒团聚和偏聚,也不存在微小的孔洞和明显的缺陷;Sip/Al-Si20是一种轻质(密度为2.4 g/cm3)、低膨胀系数(7.77×10-6℃-1)、高热导率[156.34 W/(m·℃)]复合材料,电导率为4.08 MS/m,具有较高的比模量和比强度;Sip/Al-Si20复合材料可以进行镀Ni和封装焊接.

电子元件与材料杂志综合信息

世界各国在电子封装方面的环保情况22-22

摘要：由电子产品导致的环保问题日益受到公众、相关人员和制造商的关注。世界各国加强了在电子封装方面的环保立法工作。

电子元件与材料杂志研究与试制

PEEC在LTCC电路分析中的应用23-25

摘要：应用一种准静态的电磁场分析方法--部分元件等效电路方法对低温共烧陶瓷电路进行分析.作为实际应用的例子,对一个低通滤波器分别用PEEC算法和权威3-D软件HFSS进行了仿真计算,结果表明,两者S参数的幅度和相位十分吻合,而PEEC算法的计算速度却提高了一百多倍.

无VOCs水基免清洗助焊剂的研究26-28

摘要：研制了一种以水作溶剂,不含挥发性有机化合物(VOCs)的水基免清洗助焊剂.根据信息产业部制定的免清洗液态助焊剂标准,使用Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅焊料,对该免清洗助焊剂进行了性能检测.结果表明:该助焊剂在外观、稳定性、粘性、卤化物含量等方面都符合标准,对无铅焊料助焊效果较好,无卤化物,无毒,无刺激性气味,环保,安全,节省成本.对无VOCs水基免清洗助焊剂在波峰焊中的应用给出一些建议.

高度（100）取向的BST薄膜及其高介电调谐率29-31

摘要：用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST35的最大εr和调谐率分别达到810 和76%,其介电调谐率高于国内外同类文献报道的数据;BST50的εr和调谐率最大分别达到875和63%.薄膜为(100)取向生长,因为薄膜沿平面c轴极化而产生应力,在电场作用下,而获得高介电调谐率.

硼硅对BST薄膜结构和性能的影响32-34

摘要：用sol-gel法制备0.5 mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜.XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构.测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低.当硼、硅的加入量小于10 mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15 mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高.

氧气的析出对多孔膜形成的影响35-37

摘要：研究了纯铝在磷酸二氢铵(A)和癸二酸铵/硼酸(B)溶液中的阳极氧化,通过阳极氧化曲线的测定及氧化膜的SEM表面照片分析,研究了多孔膜生长的全过程.结果表明在阻挡膜/电解液界面上氧气的析出是造成多孔膜形成的前驱点.阻挡膜转变成多孔膜是先形成沟槽,而后在沟槽中形成多孔.A电解液中,在115 V下得到多孔氧化膜,孔径150 nm.B电解液中在445 V下得到孔径为55 nm的多孔膜.

BaTiO3基无铅高压陶瓷电容器材料性能的研究38-41

摘要：采用 BaTiO3基料,加入SrTiO3 、CaCO3、Bi2O3·3TiO2等添加剂制备无铅高压陶瓷电容器材料,研究了添加剂对材料性能的影响,得到了介电常数可调、综合性能较佳的材料.结果表明,在BaTiO3中加入30% SrTiO3、10% CaCO3,并外加3% Bi2O3·3TiO2时(均为摩尔数分数),其εr为3 802、tgδ为4.2×10-3、Eb为9.2 MV/m;而当在BaTiO3中加入40% SrTiO3、15% CaCO3,并外加4% Bi2O3·3TiO2时,其εr为2 089、tgδ为6×10-4、Eb为16.9 MV /m.

电子元件与材料杂志综合信息

2005汉诺威五大工业贸易展汇演上海41-41

摘要：上海新国际博览中心迎来了本年度最盛大的工业联合主题展，由德国汉诺威展览公司与中方合作伙伴们共同举办的五大工业贸易展览会于今年11月28日至12月1日在这个亚洲最先进的展览场所开幕，历时四天。本次展会展商数超过1600家，展出面积达到85000平方米。来自德国、美国、英国、意大利、西班牙、法国、韩国和中国台湾等国家和地区的展团达到15个。来自全球70多个国家和地区相关领域的60000多名专业观众前来展会参观并洽谈业务。五大工业贸易展会包括亚洲国际物流技术与运输系统展览会（简称亚洲物流展）、亚洲国际动力传动与控制技术展览会（简称动力传动展）、亚洲国际电力、电工及能源技术与设备展览会（简称亚洲能源展）、亚洲国际工厂自动化及过程自动化技术与设备展览会（简称自动化展）。

电子元件与材料杂志研究与试制

银／导电陶瓷复合电极浆料导电性的研究42-43

叠层片式ZnO压敏电阻器配方研究44-45

电子元件与材料杂志综合信息

飞利浦半导体完成符合RoHS无铅产品的转换45-45

摘要：飞利浦电子近日宣布，符合RoHS无铅半导体产品的转换已经在欧洲立法要求前顺利完成，该法案强制规范了无铅电子产品制造，将于2006年7月1日颁布。