电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第11期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综合信息

无铅是针对中国的绿色壁垒吗21-21

摘要：有一种说法是无铅不是为了环保，而是针对中国电子产品出口设置的绿色壁垒，这种说法是经不起推敲的。不可否认，由于中国已经成为电子制造大国，中国电子产品出口占外贸比例越来越大，实施无铅对中国电子产品出口的影响是显而易见的，但不能由此得出欧盟的“绿色指令”就是针对中国电子产品出口的绿色壁垒。实际上，我们只要了解欧盟“绿色指令”出台的过程就不难理解，“绿色指令”是一把双刃剑，对欧盟的电子制造产业同样是技术壁垒。“绿色指令”在欧洲争论了10年之久，最后“环保派”战胜了“制造派”，“绿色指令”才得以推出。

钛酸锶钡陶瓷中的吸收电流22-23

摘要：用常规固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST)陶瓷样品.用时域方法,测得样品的快效应介电常数εrH= 672.5,慢效应介电常数εrL= 1.183×104.结果表明,样品的极化过程中慢效应起着主要作用.研究了样品在正弦外电压作用下通过的电流,发现它主要是不遵从RLC电路方程的慢极化效应所提供的吸收电流,其幅值与位移电流的幅值相近.这时的复介电常数的意义成为存在争议的复杂问题.

掺杂BNT对SrTiO3陶瓷介电性能的影响24-26

摘要：采用碳酸锶、氧化铋、二氧化钛、碳酸钠为原料,制备了SrTiO3系介质陶瓷.研究了BNT(钛酸铋钠)加入量对SrTiO3系陶瓷的εr、tgδ的影响,以及εr和tgδ随温度的变化.结果发现,室温下SrTiO3系陶瓷的εr随着BNT加入量的增加而逐渐提高,达到一定峰值后又逐渐下降,其最高可以达到4 300.

高性能铌酸钾钠无铅压电陶瓷研制27-29

摘要：用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌酸盐((Na0.5K0.5)1-xLixSbyNb1-yO3)陶瓷.实验结果表明,Li+和Sb5+的引入提高了陶瓷的压电性能.在一定配比范围内(Li和Sb在10%摩尔分数以内),材料为斜方、四方相共存的钙钛矿结构,材料的压电常数d33在270 pC/N以上,机电耦合系数kp、kt、k33分别达到49×10-2、43×10-2、64×10-2.介质损耗tgδ小于2.0×10_2,居里温度tC高达375℃.

MLCC第17届年会通知29-29

混合型超级电容器的封装结构及其温度场研究30-32

摘要：利用有限元分析方法模拟了内部温度场的分布;分析了不同的封装结构对混合型超级电容器传热过程的影响.结果表明:当沿着轴向和径向的传热比例达到平衡时,内部温度场分布均匀,散热效果最佳.以此为依据,结合电气性能参数,进一步确定了混合型超级电容器封装的最佳形式为三个单元.

介电常数对介质谐振器调频工作效率的影响33-34

摘要：当介质材料的εr一定时,谐振器的频率与其高度成反比.通过试验发现:当谐振器的频率相同时,采用低εr的介质材料,可以降低研磨加工所需的精度要求,从而提高调频的工作效率.采用εr = 40介质材料制成1 500 MHz的谐振器,当高度误差为±0.01 mm时,频率误差小于3 MHz;如果采用εr = 90的材料,则超过5 MHz.

双电层电容器用酚醛树脂基活性炭的制备35-38

摘要：以酚醛树脂为原料,KOH为活化剂制备双电层电容器用高比表面积活性炭电极材料.考察了工艺因素对活性炭比电容的影响,探讨了酚醛树脂基高比表面积活性炭作双电层电容器电极的电化学特性.结果表明,在固化温度为150℃、炭化温度为700℃,ζ(碱/炭)为4,活化温度为800℃时,制得的高比表面积活性炭双电极比电容可达74.2 F/g.

铝电解电容器用低压箔接触电阻超标分析39-41

摘要：通过金相分析和铝箔铆接后的接触电阻对比,研究了铝箔的腐蚀形貌、铝箔表面粉状物、氧化膜厚度、引线质量、铆接工序控制等对接触电阻的影响.提出了降低接触电阻的几点建议:①采用多级变频复合腐蚀工艺,以得到"乔木状"的蚀孔.②改进处理工艺,减少粉状物的产生.③调整工艺控制条件,改善腐蚀形貌.

第14届全国混合集成电路学术会议圆满结束41-41

多芯片组件技术应用实例42-44

摘要：给出了一个基于硅基板的6芯片MCM设计实例.设计中对散热、耐压及抗干扰等进行了优化,使用Zeni EDA工具进行MCM布局、硅基板的版图设计.该MCM经上海市集成电路设计研究中心测试,温升小于10℃、耐压达到70 V.

新型Sn-Ag-Cu-Cr无铅焊料合金的研究45-48

摘要：对新型Sn-Ag-Cu-Cr无铅焊料进行了熔点、力学性能、润湿性能等的测试,并从微观方面分析了Cr对Sn-Ag-Cu系无铅焊料的作用规律机理.结果表明:Cr的加入对材料力学性能的影响较为显著,当Cr含量(质量分数)在0.1%左右时可提高焊料的各项力学性能指标,而当含量过高后,又将降低材料的强度,提高脆性,Cr含量少于0.5%时,对焊料的熔点影响较小,而Cr的加入对焊料的铺展性能却有降低作用.

Co掺杂对BST薄膜介电性能的影响49-51

摘要：用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了掺Co的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Co的掺杂量x(Co)对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响.结果表明:随着x(Co)的增加,BST薄膜的介电常数εr,介质损耗tgδ和漏电流密度JL均降低;当x(Co)为5%时,BST薄膜的εr、tgδ、JL、可调性和品质因子分别为:228.3、0.013、3.69×10-7 A/cm2、15.4%、12.03.

QFN封装元件组装工艺技术研究52-55

摘要：QFN是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术.由于底部中央的大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,这使得QFN具有极佳的电和热性能.QFN封装尺寸较小,有许多专门的焊接注意事项.介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修.

电子元件与材料杂志可靠性

多芯片组件热阻技术研究56-58

摘要：在传统单芯片封装热阻定义的基础上,针对多芯片组件(MCM)传统热阻表示方法的不足,基于线性叠加原理,采用有限元模拟技术,提出了MCM的结到壳的热阻表示方法--热阻矩阵,并利用有限元模拟方法对热阻矩阵进行了验证.结果表明,采用热阻矩阵方法预测器件结温的误差小于2%.

BST薄膜的残余应力分析59-61

摘要：采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用XRD表征.研究其残余应力随晶化温度变化的趋势.结果表明:在550,650,700℃晶化后的BST薄膜宏观残余应力表现为压应力,且随着晶化温度的升高,呈线性变大.

电子元件与材料杂志综述

国内外高压电解电容器用铝箔的性能比较62-65

摘要：利用XRD、SIMS、SEM、电化学腐蚀等方法,对高压铝电解电容器用铝箔(原箔)进行了比较分析.结果表明,国产铝箔在微量元素设计和杂质控制,立方织构占有率(95%以上)方面已达到国外同类产品的先进技术水平,但在加工质量、表面状态和微量元素的分布控制方面与国外同类产品存在差距,同时提出了国产高压铝电解电容器用铝箔的技术改进方向.

纳米金属及无机材料的绿色合成66-69

摘要：高聚物模板是用来合成纳米材料的重要方法之一,但在制备纳米材料的过程中,这些高聚物往往难以被大自然所降解.而淀粉类生物多糖物质来源广泛,并具有很好的生物降解性和相容性,以淀粉类生物多糖为模板合成纳米材料已经引起了广泛的重视.现报道以淀粉类生物多糖作为模板,来引导纳米金属及无机材料合成的最新研究进展.