电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第05期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

金红石型纳米TiO2粉体的制备及其分散1-4

摘要：为使金红石型纳米TiO2在水溶液中良好稳定地分散,采用Ti(SO4)2水热合成法,在低温下制备了纳米TiO2粉体,并选取几种无机、有机分散剂对合成的TiO2在水中的分散行为进行了比较.XRD图谱显示,合成的TiO2为金红石型;TEM照片表明,TiO2颗粒粒径在100nm左右,且基本为球状颗粒;分散测试得出以质量比为1:1混合的三聚磷酸钠和1631作为复合分散剂具有最佳的分散效果,分散率在70%左右.

退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响5-7

摘要：为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火.测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应.结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响.在6.4kA·m-1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1.86%和8.30%.

FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究8-10

摘要：采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜.在频率(1～40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系.结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达-17.4%和-20.7%.薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系.

电子元件与材料杂志综合信息

TCL率先启动“零铅工程”10-10

摘要：日前，TCL彩电已经率先启动一项名为“零铅工程”的计划，即从2004年开始，在彩电生产过程中引入“无铅焊接”技术，利用该技术生产的电视产品将完全符合欧盟颁布的《报废电子电气设备指令》和《关于在电子电气设备中禁止使用某些有害物质指令》，同时也符合我国即将颁布的《电子信息产品污染防治管理办法》规定。

电子元件与材料杂志研究与试制

二次热处理的SrTiO3压敏陶瓷电性能的研究11-13

摘要：采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究.结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表面氧化层厚度增大,800～1000℃不同温度热处理的样品,其表面氧化层厚度为26～107μm;表面氧化层内扩散氧的浓度和晶界势垒的高度是由表及里逐渐减小的.

电子元件与材料杂志综合信息

2005年PCB业将呈现六大特点13-13

摘要：从日本、韩国、中国三地业界对2005年PCB产业前景的展望中，可以总结出如下特点。

电子元件与材料杂志研究与试制

sol-gel法制备之纳米钡铁氧体微波性能的研究14-16

摘要：利用柠檬酸sol-gel法合成了六方晶系M型钡铁氧体,采用XRD、原子力显微镜对其晶型、粒径分布及显微结构进行了研究,利用网络分析仪对铁氧体的微波性能进行了分析,并分析了其改性思路.结果表明:实验制得粉体为纯净的M型钡铁氧体,其粒度在50nm左右,并且在4.5～5.5GHz范围内,具有良好的吸波性能.

电子元件与材料杂志综合信息

国家应充分重视SMT技术开发16-16

摘要：如何从SMT大国向SMT强国转变，得到政府有关部门的重视与关注是关键。政府主管部门应制定出加快提升我国电子制造产业工艺技术水平与SMT产业技术水平的强力措施。

电子元件与材料杂志研究与试制

悬臂梁式硅微加速度计的研制17-20

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全国电子陶瓷器件无铅化学术研讨会征文通知20-20

电子元件与材料杂志研究与试制

切丝重熔法制备的BGA焊球及其表面形貌21-23

摘要：BGA及μBGA、CSP、MCM封装片及倒装片与基板的连接过程中,其关键与核心是钎料凸点的制作技术.制作这种凸点可以采用事先制作好的焊球,介绍了BGA焊球的实验室制备方法--切丝重熔法,用该方法可获得尺寸准确,表面质量较好的焊球.并对焊球颗粒的表面显微结构进行了分析.

电子元件与材料杂志综合信息

日本平板显示器新品23-23

摘要：65英寸全球最大液晶显示屏，65英寸世界最大等离子显示器。

电子元件与材料杂志研究与试制

PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性24-26

摘要：用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度.ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构.

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奚国华在“2005全球NGN高峰论坛”上指出积极推动新技术新业务发展26-26

摘要：3月24目，“2005全球NGN高峰论坛”在北京举行。信息产业部副部长奚国华在开幕式上发言，指出要积极推动新技术、新业务的发展。

电子元件与材料杂志研究与试制

Sn-9Zn无铅电子钎料助焊剂研究27-29

摘要：Sn-9Zn共晶合金在一般松香助焊剂条件下润湿性较差.开发了一种新的改性松香助焊剂.用铺展面积测量和润湿天平两种手段,表征不同助焊剂条件下Sn-9Zn合金对铜的润湿性,用失重测量表征助焊剂对铜和焊料合金的腐蚀性.结果表明:在乙醇–松香中加入少量SnCl2作为助焊剂可大大改善Sn-9Zn对铜的润湿性,但对焊料合金有一定的腐蚀性.选择了一种具有较强活性的有机碱性缓蚀剂,含SnCl2的助焊剂中加入该缓蚀剂后可基本消除腐蚀作用,同时还改善了润湿性.

sol-gel法制备（002）高度定向的Li：ZnO薄膜30-32

摘要：用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3～9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一定量的Li可显著地促进ZnO沿(002)生长;浓度为0.45mol/L旋涂3层或浓度为0.25mol/L旋涂7层的样品,即使有Li的掺入也不能呈现较好的(002)定向性,这是由于薄膜太薄所致;提高热处理温度至610℃,有利于薄膜(002)高度定向.

中温烧结CLNT微波介质陶瓷33-36

摘要：研究了Bi2O3对CLNT陶瓷的烧结性能、物相和介电性能的影响.添加4%～10%(质量分数)Bi2O3,在液相Bi2O3和Bi2O3-TiO2两重作用下,烧结温度降至1050℃.XRD分析表明:斜方钙钛矿相出现分裂,产生第二相.随Bi2O3含量增加,Q·f值下降,τf向负温度系数方向移动,当0＜w(Bi2O3)≤4%,εr基本不变;w(Bi2O3)＞4%,εr因气孔增加而减小.4%Bi2O3试样在1050℃烧结4h,εr为37.8,Q·f为11030GHz,τf为12×10-6℃-1.

卷绕式聚吡咯铝电解电容器的制备工艺研究37-39

摘要：采用化学氧化聚合法在铝电解电容器的芯子中形成聚吡咯.使用四种不同的工艺方法制作了卷绕式的PPy(聚吡咯)铝电解电容器,研究了电容器的各项电性能,如:电容量-频率特性、损耗-频率特性、阻抗-频率特性.发现工艺方法三、四制得电容器的各项性能均比一般同类产品优良,解决了聚吡咯不易在电容器芯子内部形成的难题.