电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第02期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

超声波化学法合成纳米铁酸镁粉末1-2

摘要：用超声波化学法合成了纳米尖晶石型铁酸镁(MgFe2O4)粉末,并用X射线衍射(XRD)、电子透射电镜(TEM)、红外光谱对产品的纯度、结晶度,粒径以及内部形态及结构进行了分析表征.结果表明:当镁和铁以1:2的摩尔比配合、超声频率为20.81 kHz、超声辐射50 min时,可得到纯度较高、结晶度好、粒径分布窄的尖晶石型铁酸镁纳米颗粒.

PBGA器件固化残余应力的有限元分析3-6

摘要：采用有限元分析软件模拟研究了PBGA器件在先固化再进行温度加载和直接从温度循环开始加载两种情况下,固化过程对PBGA器件的影响,发现固化过程不仅改变了器件中芯片的应力分布,而且劣化了DA(环氧树脂)材料与芯片接触面的应力值,也同时使得BT材料基底中的应力分布产生较大的改变.并且对DA材料选用几种不同的固化时间,发现固化时间的不同对器件封装残余应力的大小和最大应力位置有重要的影响,这为预测芯片的垂直开裂的位置提供了很好的依据.

电子元件与材料杂志综合信息

优先发展的电子专用材料和新型元器件6-6

摘要：最近国家计委和科技部公布了《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》将信息、生物及医药、新型材料、先进制造、先进能源、先进环保、资源综合利用、航空航天、现代农业、现代交通等十大产业中的141个高技术产业确定为优先发展的重点领域。电子专用材料和新型元器件是其中的两个领域。

电子元件与材料杂志研究与试制

喷雾热解法制备掺氟的氧化锡透明导电膜7-10

摘要：采用喷雾热分解的方法,在片状日用玻璃基材和石英玻璃基材上制得了掺氟氧化锡透明导电薄膜.研究了F的掺杂量、成膜温度和沉积时间对薄膜方阻R□和在可见光范围内的平均透过率T的影响.实验结果表明,当NH4F的掺杂量为SnCl4·5H2O的32%(质量分数)、成膜温度为450℃、沉积时间为15 s时,可使所得薄膜的方阻R□最低,为10 Ω/□,可见光范围内的平均透过率为80%.

电子元件与材料杂志综合信息

“2005中国新材料市场年会”在京成功召开10-10

摘要：由赛迪顾问股份有限公司、北京新材料发展中心联合主办的“2005中国新材料市场年会”于2005年1月7日在北京友谊宾馆成功召开。

电子元件与材料杂志研究与试制

粉料埋烧的TiO2瓷致密性和微观规整性研究11-12

摘要：通过与裸烧工艺的对比实验,研究了粉料埋烧对TiO2陶瓷性能的影响.采用金相显微分析、密度测量、压敏电压测量和介电测量等实验手段,分析了埋烧的作用机理.结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒均匀生长、促使陶瓷致密(密度达4.112 g·cm-3)、降低压敏电压(E10mA=5.4 V·mm-1),同时提高了介电常数(εra=7.61×104).该研究结果为TiO2基低压压敏电阻器的研制探索出一条新途径.

BSTO／MgO铁电移相材料的研究13-15

摘要：采用固相反应法制备了钛酸锶钡/氧化镁(BSTO/MgO)铁电移相材料.研究了材料的相组成、显微结构和介电性能.经测试分析表明:MgO与BSTO复合后,并没有出现二次相,且晶粒形状分布均一,粒度均匀;w(MgO)为50%时,材料的低频(10 kHz)εr为157,tgδ为0.000 6,高频(约2.5 GHz)εr为120,tgδ为0.008;4 000 V/mm偏压下的调谐性为17.5%,基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求.

电子元件与材料杂志综合信息

MEMS传感器15-15

摘要：MEMS传感器成为全世界增长最快的产品之一，MEMS产品的可靠性高，技术附加值高，市场回报率大于传统产业。MEMS传感器与系统将会有更大的市场增长，惯性测量器件、微流量器件、光MEMS器件、压力传感器、加速度传感器、微型陀螺和汽车领域应用的MEMS器件(压力传感器、加速度传感器、微型陀螺)等的应用将具有巨大的潜力。

电子元件与材料杂志研究与试制

烧结工艺对纳米SrTiO3陶瓷介电性能的影响16-19

摘要：采用sol-gel方法制备SrTiO3陶瓷粉体,利用TG-DTA分析SrTiO3干凝胶粉的分解、化合反应,初步确定了SrTiO3陶瓷预烧和烧结温度,采用SEM研究了SrTiO3陶瓷的内部结构,重点探讨了不同烧结制度对SrTiO3陶瓷介电性能的影响.研究表明,当采用在空气气氛下以5 ℃/min的升温速率直接升温至1 000℃,保温0.5 h,再降温至750℃保温0.5 h后随炉冷却的烧结工艺,SrTiO3陶瓷纯度高,致密性好,晶粒粒径小于100 nm,且具有良好的介电性能,低频下相对介电常数高达3 000左右.

有机双电层电容器用活性炭电极的修饰20-23

摘要：利用石墨、炭黑、碳纳米管三种导电碳材料,对高比表面积活性炭进行掺杂修饰,制备有机电解液双电层电容器用薄膜电极.经电化学测试发现,在1 mol/L的LiPF6/EC-DEC(体积比1∶1)溶液中,经不同导电材料修饰后的活性炭电极,其单电极比容量和大电流充放电性能均有较大改善.其中,掺杂10%(质量分数)碳纳米管的活性炭电极,在330 mA/g电流密度下的单电极比容量可达81 F/g,比未掺杂活性炭电极60 F/g的比容量提高了35%;电流密度从60 mA/g增至330 mA/g,该电极的容量保持率为79.4%.

电子元件与材料杂志综合信息

世界电子元件技术水平23-23

摘要：片式化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一，全球各个国家和地区均已大力发展片式元件，无论是日、美和西欧，还是亚太地区，包括印度等发展中国家和地区。目前，各类电子元件，包括无源元件、机电元件、音响元件和复合元件，均已有相应的片式化产品，如电阻器、电容器、电位器、电感器、连接器、继电器、开关、蜂鸣器、扬声器、滤波器、振荡器、延迟线、变压器、传感器等。

电子元件与材料杂志研究与试制

钛酸钡微晶粉粒的热刺激电流24-25

摘要：研究了铁电微晶粉粒的热刺激电流及其铁电相变.对三种不同化学成分的钛酸钡粉料与硅油的混合物进行了热刺激电流测量.钛酸钡粉粒与硅油的混合物有很明显的热刺激电流(TSC)且表现出和铁电相变有关的明显的峰,显示出与粒径存在一定的关系;得出了样品的表观极化强度曲线.证明了当粉料与硅油混合后,用介电谱观测不到的粉料的铁电–顺电相变,用TSC方法可以观察到.

快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究26-28

摘要：为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,用电导率设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光热退火前先用常规高温炉预热有助于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率.

BST薄膜的微结构研究29-31

摘要：采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了BST薄膜的成分、晶体结构.用优化的成膜工艺制备出成分与靶材基本一致,具有钙钛矿结构的BST多晶薄膜.利用扫描力显微镜中的压电模式(PFM)观察到了BST薄膜中的a畴和c畴,初步确定在BST薄膜中多畴转变为单畴的临界尺寸为28～33 nm.

sol-gel法制备多孔纳米SiO2薄膜32-34

摘要：以NH3·H2O为催化剂,用正硅酸乙酯(TEOS)溶胶–凝胶工艺制备纳米多孔二氧化硅薄膜.强碱催化使二氧化硅胶粒溶解度增大并增大了体系的离子强度;丙三醇的加入,与水解中间体结合,有效抑制了二氧化硅溶胶胶粒的长大;PVA(聚乙烯醇)对二氧化硅胶粒有强的吸附作用,使胶粒聚联成大的网络结构,增加了成膜性能.通过改变反应物的剂量,调节添加剂的用量,可以制得折射率1.18～1.42,对应孔率60.50%～7.75%并且孔径小于100 nm的纳米多孔二氧化硅薄膜,.单层薄膜厚度在3 μm以内精确可控.

湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体35-37

摘要：用改进的Pechini 法合成Ca0.28Li0.15Sm0.28Nd0.15TiO3(CLSNT)陶瓷粉体.采用TG、DTA、XRD和SEM等技术对CLSNT陶瓷粉体进行分析.在600℃预烧3 h后,钙钛矿结构的CLSNT相形成,但有少量Sm2Ti2O7、TiO1.49、Ti3O5、Ti4O7相.预烧温度升高到1 000℃,只有钙钛矿结构的CLSNT相.用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷.在1 230℃下烧结3 h,εr为98,Q·f为6 360 GHz,τf 为8×10-6℃-1.

共面波导结构MEMS滤波器的设计38-41

摘要：设计了一种基于共面波导结构的MEMS带阻滤波器.利用计算机软件HFSS模拟出滤波器的带阻中心频率约为22 GHz、损耗19.86 dB、阻带宽度为5 GHz,而设计大小仅为1 000 (m(1 100 (m(400 (m.只需改变设计参数,即可获取其它频段的带阻滤波器.该滤波器具有阻带高、插入损耗低、尺寸微小、加工容易等特点.在微尺寸条件下分析了滤波器结构的热应力特性,利用大型有限元软件ANSYS模拟表明在-50～+80℃的温度范围内,结构不会产生变形,表明了器件有良好的可靠性.

电子元件与材料杂志综合信息

村田电子为模块制造商改善陶瓷滤波器41-41

摘要：村田电子公司(Murata Electronics)最近宣布推出一种平面高密度无源器件(PHPD)技术。这种被该公司称为“革命性创新”的技术最适合于低高度元件。PHPD技术通过高Q值陶瓷薄膜印刷而实现。适用于滤波器、双工器、不平衡变压器、耦合器、阻抗转换器、相位转换器、功率组合器和分配器等各种元件。