电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2004年第04期杂志 文档列表

导电聚合物PEDT对固体钽电解电容器频率特性的改善1-2

摘要：介绍了采用具有高电导率(1～500 S/cm)、热稳定性好的德国拜尔公司生产的导电聚合物PEDT(聚-3,4乙烯二氧噻吩)单体,提纯后取代MnO2,在国产固体钽电容器芯子上制作PEDT阴极层的过程,降低了钽电容器的等效串联电阻,改善了钽电容器的频率特性,拓展了钽电容器的频率应用范围.

降低节能灯用金属化薄膜电容器tgδ的途径3-5

摘要：根据节能灯对金属化薄膜电容器的耐温及耐电冲击等要求,采取控制芯子的错边、喷金层与金属层的粘结、喷金层完整度、喷金层与引线之间的接触等措施,实现了对金属化薄膜电容器关键参数的控制--损耗角正切tgδ的控制.

低温烧结BaxSr1-xTiO3玻璃陶瓷6-7

摘要：采用溶胶–凝胶法制备出均匀的Ba-Sr-Ti-Pb-B-Si-O凝胶玻璃,通过适当的热处理,原位析出BaxSr1-xTiO3(BST)微晶,同时在一定温度下获得Pb-B-Si-O玻璃相.玻璃相的存在降低了BST玻璃陶瓷的烧结温度:烧结温度在1 000℃以下,体积密度达到理论密度的90%以上.由于Pb2+取代了Ba2+、Sr2+,形成PbTiO3,导致了BST玻璃陶瓷的居里温度向高温方向移动.

钇锰离子共掺杂对Ni内电极MLCC介电性能的影响8-10

摘要：对具有Y5V特性的BCTZ系抗还原介质材料进行了施主离子(Y3+)和受主离子(Mn2+)共掺杂.以该电介质制备出多层陶瓷电容器,并测试了其介电性能.讨论了Y3+和Mn2+离子共掺杂对Y5V特性的BCTZ系介质材料介电性能的影响.通过施主-受主掺杂,电容器的耐压升高,损耗降低,介电常数减小.并且,容量温度系数满足Z5U特性.

A位非化学计量对BiNbO4陶瓷性能的影响11-14

摘要：为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响，对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究，结果表明，A位Bi少量缺量可以促进BiNbO4陶瓷晶粒的生长，使其烧结温度降低，烧结样品的晶相组成仍为正交BiNbO4相，微波介电性能有所改善；A位Bi过量对BiNbO4陶瓷的烧结性没有明显影响，Bi过量达0.030时，烧结样品内有富Bi的Bi5Nb3O15第二相产生，样品的微波介电性能急剧恶化.

微波介质陶瓷介电常数测量的简单方法15-18

摘要：应用等效网络法分别测量了空气、聚四氟乙烯及微波介质陶瓷材料片状试样的介电常数.理论分析计算与实验结果表明,该方法在无损测量片状微波介质陶瓷材料试样的介电常数中是可行的,且有模型简单、计算量小、精度较高及操作容易等特点.是一种无损测量片状微波介质陶瓷材料介电常数的简单方法.

高补偿硅的阻-温特性19-21

摘要：采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质.

Sr掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响22-24

摘要：以TiO2为原材料,制备了具有压敏-电容复合功能的TiO2系压敏陶瓷材料.通过测试典型样品的V-I特性、D-f特性、电容特性及复阻抗频率谱,研究了不同掺Sr量的TiO2系压敏陶瓷材料的相关电学性质.实验结果表明,掺Sr量在强烈影响材料压敏性能的同时,对材料的电容特性也会产生较大影响.在掺Sr量为x (Sr)=0.6%时,样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为55 V/mm,α可达到5,1 kHz下损耗为0.1,相对介电常数可达2.8×105.

限流用BaTiO3系PTC陶瓷的制备及影响因素25-28

摘要：介绍了以钛酸四丁酯和自制高纯醋酸钡为主要原料,采用溶胶–凝胶一步法(sol-gel)制备限流用BaTiO3系PTC陶瓷材料的工艺路线,用正交实验法研究了Ti/Ba,Pb,Ca,Y,Mn等组分因素对PTC陶瓷材料性能的影响.优化确定了PTC陶瓷材料的较佳组成.在基方固溶体化学组成,原材料选择和复合添加物的改性,特别是烧结工艺等方面做了细致的工作.最终获得了居里温度(tC)100℃,室温电阻率(ρ25) ≤20 Ω·cm,升阻比(Rmax / Rmin)＞105,温度系数(αR)≥15% /℃,耐电压(Vb)≥190 V·mm-1的PTC陶瓷材料.

下期要目28-28

ZnO压敏元件雷电流冲击试验残压波形分析29-32

摘要：研究了ZnO压敏元件在8/20μs雷电波冲击试验时的残压波形.实验观察到残压波波前尖峰来源于所采用的放电回路触发元件--铜球间隙;在RLC回路临界点附近,随着冲击电流峰值的增大,残压波波尾从非振荡衰减过渡到大幅度的过零振荡;残压波峰值超前于电流波峰值,说明ZnO压敏元件在冲击电流作用下呈现出电感性,且放电电流越大,呈现的电感性越大;元件厚度越大,呈现的电感性也越大.

纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响33-35

摘要：研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理.研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高.在质量分数为0～30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势.当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149.在0～10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%～30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高.当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6μA.

玻璃-莫来石陶瓷复合材料基板的研究36-38

摘要：以低介电常数的玻璃粉末和莫来石粉末为原料,制备了玻璃–莫来石陶瓷复合材料基板.研究了烧结温度和莫来石含量对复合材料的介电性能和抗弯强度的影响.结果表明,当莫来石质量分数为50%时,玻璃–陶瓷复合材料经1 000℃、2 h的烧结后,其相对介电常数εr为4.6、介质损耗tgδ为0.008、抗弯强度σ为90 MPa.另外,该复合材料在200～600℃之间的热膨胀系数约为4.0×10-6℃-1,与Si、GaAs等半导体材料的热膨胀系数相近,可望作为优质封装材料应用.

我国电子信息产业2004年经济运行的主要调控目标38-38

无铅焊料的知识产权状况分析39-41

摘要：简要介绍了世界电子产品无铅化趋势及其相关立法,比较了世界各国及地区的无铅专利发展情况.对比了各国公司或个人在我国申请注册的无铅焊料相关专利,对国内无铅焊料专利权利要求书的完善提出了一些建议.最后指出了我国企业在无铅焊料专利申请上的滞后并提出相关对策.

数模混合电路实现一维模拟小波变换芯片42-44

摘要：整个电路采用标准CMOS工艺,采取模块化设计的方法,把数字频率发生器和模拟滤波器部分分开设计.数字频率发生器采用直接数字综合(DDS)的方式,来产生5种不同中心频率(10个通道),简化了传统模拟压控振荡器(VCO)的设计,提高了频率发生器的灵活性;根据精度要求,模拟高斯低通滤波器采用5阶低通滤波器来进行逼近.并论述和讨论了一种用数字和模拟混合集成电路来实现一维模拟输入的连续小波变换(CWT)芯片的方法.

电子信息产业是我国第一支柱产业44-44

D类功放输出滤波器的优化与仿真45-47

摘要：分析了D类功放大器输出滤波器设计的必要性,并且利用巴特沃思低通滤波器的设计方法对电路参数进行优化设计;采用Filter Free软件仿真滤波器的频域特性.最终达到消除PWM信号中的开关信号和电磁干扰信号,提高效率和保真度,减小输出滤波器的体积和成本.