Heusler合金Co2MnAl1-xGex的电子结构、磁性和半金属性
摘要：基于密度泛函理论（DFT），使用广义梯度近似（GGA）和局域密度近似（IDA）研究了Heusler合金C02MnAl1-xGe，（x=0、0．25、0．5、0．75、1）的磁性和电子结构。随着掺杂浓度z的增加，合金的晶格常数和磁矩都线性增加，分别很好地满足Vegard和S-P规律。对于整个合金系列，随z的增加，自旋向下带带隙宽度略有减少，费米面向高能移动。由于CozMnAlnl5Geo．s合金的费米面恰好居于其自旋向下带带隙中部，此时合金具有最好的半金属稳定性，预期在磁隧道结器件中能实现高的自旋极化率。Fe3O4磁性纳米颗粒的合成与接枝聚合修饰
摘要：以氨水作为沉淀剂并控制溶液的pH值，采用Fe2＋和Fe2＋共沉淀法制得了磁性四氧化三铁纳米颗粒。合成的磁性纳米颗粒通过高分辨透射电镜、X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱仪进行了表征。四氧化三铁纳米颗粒的粒径约为10hm，其表面含有丰富的羟基。为了增强磁性四氧化三铁纳米颗粒和聚合物基质之间的相互作用，在纳米颗粒的表面接枝上乙烯基单体。傅里叶变换红外光谱仪和热重分析仪的测试结果显示，聚合物链共价结合在纳米颗粒表面。表面接枝聚合后，四氧化三铁纳米颗粒由极性转变为非极性。制备条件对ATO包覆氧化硅导电粉电性能的影响
摘要：采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉体。正交实验的结果表明，各因素对ATO包覆纤维效果的影响从大到小依次是包覆悬过程中氧化硅的用量、包覆层溶液离子浓度、反应过程的pH值、包覆时反应温度及包覆离子溶液加入速度。通过正交实验所确定ATO包覆氧化硅粉体的合理工艺参数：包覆悬过程中氧化硅的用量保持在0．4g／mL、包覆过程的pH值控制为2．0、包覆层离子浓度为0．6mol／L、包覆离子溶液加入速度为0．5mL／min、反应温度为50℃。通过正交实验所确定的合成参数所得的复合导电粉体的电阻率只有108．1Ω·cm。YSZ流延片的等静压工艺研究
摘要：氧化钇稳定氧化锆（YSZ）流延片广泛应用于生产陶瓷传感器，但是流延素坯结构疏松、密度较低，严重影响产品强度。研究了等静压工艺对YSZ流延素坯的影响，通过测试密度、抗弯强度和观察微观结构得出，温等静压工艺更适合YSZ流延片的处理，并找出了最佳工艺参数。ZnO—V2O5-MnO2中压体系压敏电阻的微观组织和电学性能
摘要：摘要研究了中压体系ZnO-V2O5-MnO2（ZVM）压敏电阻的微观组织和电学性能。结果表明，MnO2含量增加有利于细化ZVM陶瓷晶粒，改善电性能，提高压敏电压；提高烧结温度可以促进ZVM陶瓷晶体生长，改善致密度，降低压敏电压，提高非线性系数。中压体系ZVM陶瓷可以通过控制MnO2含量以及烧结温度获得。纯Mg表面TiO2薄膜的耐蚀性研究
摘要：摘要以四氯化钛为前驱体，去离子水为溶剂，盐酸为抑制剂，采用溶胶一凝胶法制得TiO2溶胶。采用浸渍一提拉技术在纯镁基体上制得TiO2薄膜，以提高纯镁基体的耐蚀性。通过正交实验，以电化学阻抗值作为评价标准，研究了热处理温度、涂层次数、溶胶浓度对试样耐腐蚀性的影响。结果表明，溶胶浓度为0．5％、涂层次数为3、热处理温度为100℃时得到的TiO2薄膜具有最好的耐蚀性。靶功率对溅射沉积CIGS薄膜的结构与光学性能的影响
摘要：采用单靶磁控溅射方法分别在玻璃和镀有Mo背电极的Soda—lime玻璃衬底上沉积Cu（In0．7Ga0．3）Se2（CIGS）薄膜。研究了靶功率变化对CIGS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能的影响。采用XRD表征薄膜的组织结构，SEM和EDS观察和分析薄膜的表面形貌和成分，紫外一可见光分光光度计测试薄膜的透过率光谱。结果表明，在不同功率下制备的CIGS薄膜均具有（112）面择优取向。当溅射功率为300W时，CIGS薄膜的表面形貌最平整，结晶最均匀，n（Cu）：n（In）：n2（Ga）：n（Se）=30．00：15．01：3．97：51．03组分符合高效吸收层的要求。溅射沉积的CIGS薄膜对可见光的平均透过率低于2％，光学带隙约为1．4eV。《材料导报》研究简报征稿
摘要：《材料导报》创刊于1987年，是中文核心期刊，中国科技论文统计源期刊（科技核心期刊），中国科学引文数据库来源期刊，CNKI期刊全文数据库收录期刊和美国化学文摘（CA）收录期刊。超声微乳液法制备Ag／AgCl复合纳米颗粒及其光催化性能研究
摘要：设计了一种全新的微乳液体系，以十二烷基磺酸钠（SDS）、乙醇、正丁醇和异辛烷的混合物作为复合乳化剂，采用超声微乳液法制备了Ag／AgCl复合纳米颗粒。利用SEM和EDS研究样品的形貌、尺寸及表面组成，通过研究样品对甲基橙降解过程的催化作用证明了样品在可见光下的催化活性。重点研究了反应物浓度对Ag／AgCl颗粒尺寸及形貌的影响，结果表明，Ag／AgCl复合纳米颗粒尺寸主要由微乳液尺寸决定，受反应物浓度的影响较小，反映出本工作提出的超声微乳液制备技术具有较高的工艺稳定性。共掺杂Cu-Ce／TiO2光催化性能研究
摘要：采用溶胶一凝胶法，以钛酸丁酯为前驱体制备了不同Cu-Ce掺杂量的纳米TiO2光催化材料。通过模拟环境室内甲醛气体的降解实验，探讨了不同样品在日光灯和纯可见光下的光催化效果，并采用X射线衍射仪和紫外可见分光光谱仪对其晶相结构与光学特性进行表征分析。结果表明，Cu—Ce掺杂能明显提高二氧化钛在可见光下的光催化活性，当Cu-Ce掺杂浓度为2．5％时，对甲醛气体的光催化降解效果最佳。功能化石墨烯片的表面性能调控
摘要：以氧化石墨为前驱体，采用真空辅助热膨胀法在低温下即获得功能化石墨烯片。将所得石墨烯在不同温度下热处理，制备了表面化学结构不同的石墨烯片，并用透射电子显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱等方法对样品进行分析表征。结果表明，还原氧化石墨烯片中含氧官能团的种类和数量均随热还原温度的升高而减小。LaAlO3顶层对Pb（Zr，Ti）O3薄膜微结构和性能的影响
摘要：利用脉冲激光沉积（PLD）法，在LaAlO3（LAO）基片上外延生长了高质量的PbZr0．52Ti0.48O3（PZT）薄膜。通过增加10nm厚的LAO顶层，所制备PZT薄膜的铁电剩余极化4G（Pt）由28．8μC／cm2增加为55．1μC／cm2。通过对微结构分析，表明薄膜电学性能的增强主要来源于LAO顶层对PZT薄膜表面形貌的优化。另外，与Pr不同，随LAO顶层厚度的增加，PZT薄膜的矫顽场单调增加。超薄CsH2PO4／SiO2复合质子交换膜的制备
摘要：采用溶胶一凝胶工艺及旋转涂膜法制得厚度为800nm的CsH2PO4／SiO2复合质子交换膜，利用X射线衍射仪与傅里叶变换红外光谱仪分析该膜的晶相和化学构造。通过扫描电镜观察，确认该膜致密、均匀，并且CsH2PO4晶粒分散于膜中。在80-280℃的温区、低湿度环境下，测定该复合质子交换膜的质子传导性能，其质子传导面阻在160℃时为0．1Ω·cm2。Ga取代Mn对固体氧化物燃料电池阳极材料La4Sr8Ti11Mn1-xGaxO38—δ微结构、性能的影响
摘要：采用球磨一高温固相法合成固体氧化物燃料电池阳极材料La4Sr8Ti11Mn1-xGaxO38-δ（x=0、0．25、0．50、0．75），并研究Ga取代量对该系列材料（LSTMG）的晶体结构、热膨胀系（TEC）、电子电导率的影响规律。研究结果表明，随着Ga取代量的增加，LSTMG的晶格常数逐渐减小，电子电导率先增加后降低，热膨胀系数呈现先降低后增加的趋势。当x=0．50时，该系列材料具有较好的综合性能。电池隔膜表面空心阴极等离子体接枝聚合研究
摘要：应用自制的空心阴极等离子体装置，引发丙烯酸在丙纶表面的接枝聚合，研究了等离子体接枝聚合作用机理，分析了等离子体接枝聚合各参数（放电功率、气体流量、丙烯酸蒸气流量、样品位置等）对聚合速率的影响。通过红外光谱、扫描电镜等对丙纶接枝聚合膜表面的化学组成和形态结构等进行了表征分析，证明了亲水基团的引入，改善了丙纶隔膜的亲水性能。Au—CeO2纳米杂聚体颗粒的合成研究
摘要：在CeO2纳米立方体颗粒存在条件下，以丁基锂还原Au前体获得了Au-CeO2纳米杂聚体。采用TEM、HRTEM、STEM、EDS、XRD对纳米颗粒的形貌、结构及成分进行了分析。考察了实验条件对杂聚体形成的影响。结果袁明，丁基锂适宜用作Au的还原剂，Au还原速度不能过快以保证Au在CeO2纳米颗粒表面能以多相成核方式形核长大。Au和Au-CeO2纳米颗粒浸渍γ～Al2O3。后焙烧的实验表明，Au-CeO2杂聚体结构能有效抑制Au在高温下的凝聚长大。阳极氧化法制备TiO_2和Al_2O_3有序多孔阵列
摘要：采用阳极氧化法制备了TiO2和A12O3有序多孔阵列，并通过X射线衍射（XRI））、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、莱茨光学显微镜对制备的TiO2和A12O3有序多孔阵列进行表征。结果表明，随着氧化电压的增大，TiO2和A12O3纳米孔的直径增加，孔密度减小。随着氧化时间的延长，TiO2和A12O3多孔膜厚度增加，到一定时间后膜厚不变。同时讨论了阳极氧化机理，无论是制备TiO2和A12O3有序多孔阵列，阳极氧化过程主要由3个阶段组成：阻挡层的形成、阻挡层的溶解、多孔层的稳定生长。凹陷立方体PbS纳米结构的溶剂热合成及其性能研究
摘要：以硝酸铅和硫脲为反应前驱体，以一种新的表面活性剂四正丁基溴化铵为封端剂，采用简单的溶剂热法在160℃反应24h成功制备了大量PbS纳米结构。利用XRD、SEM、TEM、荧光光谱以及拉曼光谱表征了产物的形貌、结构和物相。结果表明，所制备的PbS呈立方体状，其6个（100）面向内凹陷形成了独特的凹陷立方体结构，边长约为1．5μm；实验证明反应时间对产物的形貌具有重要的影响。并提出了凹陷立方体的形成机理。
