异形截面SiC陶瓷纤维的制备工艺与性能研究进展
摘要：异形纤维是指截面为非圆形的纤维,由于异形截面SiC纤维具有特殊的电磁性能,已受到研究者的广泛重视。从熔融纺丝成型和化学成型两方面综述了近年来C形、中空形、三叶形、条形、十字形等异形截面SiC陶瓷纤维的制备方法与性能,概述了部分异形纤维的应用进展,针对目前异形截面SiC纤维的制备方法存在的不足,对后续发展方向作了展望。聚环氧乙烷及其衍生物在超滤膜亲水化改性中的应用
摘要：依据亲水改性方法的划分从膜的表面涂覆、共混、表面接枝和成膜材料改性等4个方面进行阐述,分析比较了聚环氧乙烷及其衍生物在各种不同的疏水超滤膜亲水改性中应用的途径和特性。经过聚环氧乙烷及其衍生物改性之后,超滤膜的接触角降低,蛋白质吸附量减少,亲水性和抗污染能力明显提高,应用前景更加广阔。电化学研磨法制备超细镍粉
摘要：以锂离子电池为微反应器,电化学还原NiO制备了超细镍粉。X射线衍射结果表明所得粉末为纯相Ni,晶粒尺寸约5nm。激光粒度分布测试结果表明Ni粒度分布较窄,中位径集中在200～600nm。透射电镜照片显示颗粒粒径在80～200nm之间;放电电流密度的增加和放电温度的提高都使产物粒径有变大的趋势;在分散过程中加入不同的表面活性剂,可以提高产物Ni的分散性能。新型聚酯材料状态方程的研究
摘要：聚酯材料在航空航天领域有着较广泛的应用,其高压力学性能的研究逐渐受到人们的关注。针对一种新型聚酯材料通过轻气炮（LGG）实验开展其冲击压缩力学性能研究。采用非对称碰撞直接测量法测量并计算激波速度（D）与波后质点速度（u）的D-u型Hugoniot曲线,并由此推导出P-η型Hugoniot曲线。建立了该材料的Murnagham状态方程,求得了相应的材料参数。并对新型聚酯材料的Murnagham状态方程和P-η型Hugoniot状态方程进行了比较和分析。常压烧结制备透明铌酸钾钠陶瓷
摘要：在铌酸钾钠（KNN）陶瓷中掺杂锂和铋的氧化物作为晶粒生长抑制剂,用常压烧结工艺制备了铌酸钾钠透明陶瓷（K0.48-0.5xNa0.52-0.5xLixNb1-xBixO3,x=0.04～0.15）材料。研究了掺杂量、烧结工艺条件对陶瓷透明性、光电系数、晶相结构和微观形貌的影响。当x=0.09时,厚度为0.5mm陶瓷样品的红外透光率达到82%,光电系数为6.06×1011m/V。镍掺杂TiO_2光催化剂的制备及光催化性能
摘要：采用溶胶-凝胶法制备镍掺杂纳米TiO2光催化剂。通过XRD、XPS、FT-IR、UV-Vis、PL等对Ni-TiO2样品进行表征和分析,并以亚甲基蓝（MB）作为目标降解物,考察经不同热处理温度及不同掺镍量Ni-TiO2样品对MB的降解效果。结果表明所制备的Ni-TiO2样品的晶型为锐钛矿相与金红石相的混晶相,镍掺杂抑制了晶粒的生长和晶型的转变,样品的吸收阈值波长向可见光红移约55nm,提高了TiO2的光催化活性。在普通日光灯下,经500℃热处理、掺镍量与TiO2摩尔比为1∶100条件下制备的催化剂其光催化活性明显高于Degussa P25。气-液界面二元共沉积法制备三维有序大孔SiO_2
摘要：采用乳液聚合法制备粒径为229nm的单分散聚苯乙烯（PS）微球,以单分散PS微球和粒径为10nm的硅溶胶为原料,采用蒸发自组装法在气-液界面上二元共沉积,制备了大孔SiO2材料。结果表明,当SiO2体积分数为11%时,大孔SiO2材料呈现有序规整的FCC结构,其填充率为42%,收缩率仅为2%。低温N2吸附表明该材料在大孔孔壁上存在6.4nm左右的介孔,是一种具有大孔/介孔复合孔道结构的功能材料。聚吡咯修饰膜开路还原Cr（Ⅵ）的动力学
摘要：以对甲苯磺酸钠为掺杂剂,在不锈钢电极上电化学合成聚吡咯修饰膜,采用该修饰膜在开路模式下还原Cr（Ⅵ）,比较了氧化态和还原态聚吡咯对Cr（Ⅵ）的还原作用。结果表明氧化态聚吡咯对Cr（Ⅵ）有较好的吸附作用。但还原态聚吡咯对Cr（Ⅵ）的去除率高于氧化态聚吡咯。提出了聚吡咯修饰膜开路还原Cr（Ⅵ）的动力学方程。Nb和Si元素对提高纳米晶带材抗氧化能力研究
摘要：采用SEM和XRD等手段分析了Fe82Cu1B12Si4 Nb1与Fe73.5 Cu1 B7 Si15.5 Nb3纳米晶合金带材在空气中灼烧后的晶化产物和氧化产物;通过降低Nb和Si元素含量,提高Fe和B元素的含量,虽然使Fe82Cu1 B12 Si4 Nb1纳米晶合金具有高饱和磁感应强度和低的矫顽力,但却降低了它的非晶形成和抗氧化能力。根据K.Hono等采用原子探针法观察到的在晶化过程中各元素分布情况,提出了一个晶化过程模型,通过模型分析了纳米晶合金的抗氧化能力的原因;随着晶化过程推进,残余非晶相中Nb元素含量增加,使得残余非晶相区的晶化温度提高,同时发挥限制晶体长大的作用。纳米SiO_2对静电纺LA-PA/PET复合相变纤维形态和热学性能的影响
摘要：以月桂酸和棕榈酸二元低共熔混合物（LA-PA）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）和纳米二氧化硅（SiO2）为原料,通过静电纺丝的方法成功制备了新型的LA-PA/PET/SiO2定形相变复合纤维。分别采用扫描电子显微镜（SEM）和差示扫描量热仪（DSC）研究了纳米SiO2对静电纺LA-PA/PET/SiO2复合相变纤维的形貌结构和热学性能的影响。SEM观察结果显示,随着纳米SiO2的加入,复合相变纤维表面呈现出光滑的形态特点,纤维直径有所降低;且随着纳米SiO2含量的增加而逐渐减小。DSC分析结果表明纳米SiO2的含量对复合相变纤维的熔化焓值和结晶焓值有一定的影响,对相变温度没有显著性的影响。a-C∶H膜在不同真空度下的摩擦学行为研究
摘要：采用非平衡磁控溅射技术在不锈钢及Sip（111）基体上制备了含氢无定形碳（a-C∶H）薄膜,沉积的薄膜表面光滑,硬度高,内应力小,膜/基结合力好。利用球-盘摩擦实验机对薄膜在不同真空度（1.0×105、5.0×10-2、1.0×10-2、5.0×10-3 Pa）下的摩擦学行为进行了研究,结果表明,随着真空度的升高,薄膜的摩擦系数逐渐减小,磨损率逐渐增大。在5.0×10-3 Pa时,a-C∶H膜的摩擦学行为发生突变,此时薄膜的摩擦系数为0.005,而耐磨寿命很短。高真空中,薄膜寿命的突变可能与薄膜脱氢而结构发生变化有关。新型聚乳酸-聚酰亚胺嵌段共聚物的合成与表征
摘要：用氨基封端的PEG-800（ATPEG）与均苯四甲酸酐（PMDA）共聚得到一种新型的氨基封端的可溶性聚酰亚胺（PI）。氨基封端的PI在辛酸亚锡（Sn（Oct）2）的催化作用下引发丙交酯开环共聚,形成聚乳酸-聚酰亚胺（PLA-PI-PLA）嵌段共聚物。采用傅里叶变换红外光谱（FT-IR）、核磁氢谱（1H NMR）、凝胶渗透色谱（GPC）、水接触角等对PI和PLA-PI-PLA进行了表征。FT-IR、1H NMR、GPC的结果表明成功合成了PI及PLA-PI-PLA。水接触角结果显示PLA-PI-PLA相对于聚乳酸亲疏水性明显改善,同时PI主链上的酰亚胺环能在一定的条件下发生开环反应,可提供修饰聚乳酸材料的活性位点。炭气凝胶电极电吸附脱盐性能的研究
摘要：以间苯二酚和甲醛为原料,通过溶胶-凝胶反应、超临界干燥、炭化等工艺合成制备出炭气凝胶,对炭气凝胶的微观结构进行了表征,并研究了炭气凝胶电极在不同电压和在不同浓度NaCl溶液中的电吸附性能。实验结果表明炭气凝胶电极具有很高的吸附效率,在20min内基本达到吸附平衡。随着外加电压的加大,处理溶液浓度的升高,炭气凝胶电极吸附平衡时间减小,单位吸附量增加,吸附单元内电流增加。振动球磨制备的LaFe_（11.44）Si_（1.56）化合物的结构和磁性
摘要：利用振动球磨工艺制备了LaFe11.44Si1.56化合物,结果表明,在1100℃仅需要热处理30min,该化合物就能形成NaZn13型立方晶体结构;与电弧熔炼工艺制备的试样相比较,振动球磨工艺制备的试样的居里温度提高了15K,但最大磁熵变有所减小。因此,利用振动球磨工艺合成La（Fe,Si）13化合物有进一步研究的价值。磁化学合成Al_2O_3/7055Al复合材料的微观结构
摘要：脉冲磁场下,以7055Al-Ce2（CO3）3为反应体系制备了内生Al2O3颗粒增强铝基复合材料。X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、电子探针（EPMA）分析表明,在脉冲磁场作用下,原位合成的颗粒细小,呈球形或橄榄形的Al2O3颗粒尺寸为200～400nm,且弥散分布于基体中。从反应动力学角度进行考虑,与常规反应相比,磁场下反应更快更完全,并缩短了反应时间。随着脉冲磁场强度的增大,反应生成的增强颗粒变得更加细小,分布更均匀。当磁场作用的时间增加时,内生颗粒数目逐渐增多,尺寸逐渐细化,圆钝化,分布也变得均匀,颗粒达到纳米尺寸。高导热云母胶制备工艺研究
摘要：采用无机纳米氮化铝粉体填充改性环氧树脂,获得所需的高导热云母胶。针对氮化铝粉体的表面改性、粉体掺杂方式对云母胶导热系数的影响进行了系统分析。经导热系数测试,确定了粉体的表面改性工艺,得到了最佳的粉体分散工艺。B对Pb-Mg-Al-B屏蔽功能材料的显微组织与屏蔽性能的影响
摘要：利用立式高频感应炉制备出铸造Pb-Mg-Al-B屏蔽材料,并对其显微组织和屏蔽性能进行了研究。结果表明,随着B的添加,材料组织中AlB2颗粒增多;室温抗拉强度可达105MPa,布氏硬度为160;厚度为20mm、B含量为2.0%（质量分数）的Pb-Mg-Al-B屏蔽材料对能量为250、118和65keV的X射线屏蔽率分别为90.29%、99.22%和97.9%,对γ射线的屏蔽率达到49.75%（137Cs源）和34.21%（60Co源）,对中子的屏蔽率高达92.7%,说明屏蔽材料具有强度高、X（γ）射线与中子屏蔽性能优异,具备结构-功能（屏蔽）一体化的特点。钛酸锶钡/硅纳米孔柱阵列复合薄膜的制备及电学性能
摘要：采用溶胶-凝胶技术制备了钛酸锶钡薄膜（Ba0.7Sr0.3TiO3,BST）/硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）复合薄膜,扫描电镜显示BST均匀地覆盖在Si-NPA衬底的柱状表面,X射线衍射研究表明BST在600℃及以上退火温度下可形成钙钛矿相结构。剩余极化强度（Pr）和矫顽场（Ec）随着温度的升高而增大,在800℃退火温度下分别对应于4.57μC/cm2和7.61kV/mm。机理研究表明,肖特基发射和空间电荷限制电流两种机理共同作用于该薄膜材料的漏电流形成过程。
