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功能材料 2009年第12期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

碳纤维增强镁基复合材料的界面研究进展1947-1950

摘要：综合评述了碳纤维增强镁基复合材料的界面研究进展。介绍了碳纤维增强体的优点和两种不同的去胶方法，比较了不同的碳纤维涂层和基体成分对复合材料界面状态的影响，并对今后碳纤维增强镁基复合材料的研究方向进行了展望。

功能材料杂志研究与开发

真空度对MBEGaAs光阴极激活结果的影响1951-1954

摘要：采用分子束外延（MBE）技术生长的GaAs光阴极材料，按照常规方法进行高一低温两步激活时，总是出现低温灵敏度比高温低的反常现象。研究中，当激活时的系统真空度从1×10^-7Pa提升到1×10^-8Pa时，发现结果能够重新出现低温灵敏度比高温灵敏度高30％的预期规律。此外，在系统真空度为10^-7 Pa条件下，由于变掺杂材料的表面掺杂浓度较低，其出现光电流时的首次进Cs时间也较均匀掺杂材料长，而在真空度为约10^-9 Pa条件下，这一情况也不再明显。初步分析造成该现象的原因，是与MBE材料的掺杂元素及其低温处理特性对真空度比较敏感有关。MBE阴极激活结果受系统真空度条件影响较大，因此对MBE变掺杂光阴极的制备工艺应随系统真空度条件不同而调整。

不同籽晶DKDP晶体生长和光学性能研究1955-1957

摘要：籽晶是影响DKDP晶体生长和光学性能的一个重要因素。通过传统降温法，分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶，从氘化程度为85％的溶液中生长DKDP晶体并对加工样品进行了相关测试。研究了不同籽晶对DKDP晶体的生长和光学性能的影响。实验表明，[101]晶片籽晶所得DKDP晶体能有效缩短生长周期，晶体损伤闽值提高明显，但光学均匀性和透过性能有所下降。

微结构表面润湿模式转换的实验研究1958-1960

摘要：采用等离子体刻蚀技术及表面硅烷化处理制备了一组硅基方柱阵列样品，测量了其表面与水的表观接触角，简要分析了表面微结构几何参数对润湿模式转换的影响，探讨了方柱阵列微结构表面发生润湿模式转换的原因。结果表明，微结构表面润湿模式转换受微结构几何参数的影响，原因是微结构几何参数的改变会引起表面上的液滴能量的变化，最终导致液滴的润湿状态发生变化。

Co、Cr、Al掺杂LiMnO2的离子交换法制备及其性质研究1964-1966

摘要：采用离子交换法制备Co，Cr及Al掺杂LiMnO2，通过X射线衍射、扫描电子显微镜和恒电流充放电等技术检测和分析合成产物的物相、形貌及电化学性能。研究表明掺杂后LiMnO2仍然保持原来的结构，但晶粒形貌发生了改变，晶格常数总体变小。与未掺杂的LiMnO2相比，Co、Cr及Al掺杂LiMnO2具有更高的放电容量和更好的循环性能。随着掺杂量的增加，Co、Cr及Al掺杂LiMnO2的放电容量逐步下降，但循环性能不断改善。在掺杂的LiMn02中，LiMn0.955Cr0.05O2的放电容量最高，达到198．1mAh／g，而LiMn0．85Al0.15O2的放电容量最小，LiMn0．90Cr0．10 O2循环性能最好，而Co掺杂的循环性能最差。

Fe／Fe73．5CulNb3Si13．5B9纳米晶磁粉芯研究1967-1972

摘要：采用Fe粉复合FeCuNbSiB纳米晶粉体制备了磁粉芯，并讨论了退火温度、Fe粉复合量、纳米晶粉体粒度以及绝缘剂等对磁粉芯磁性能的影响。结果表明，在200～350℃和350～400℃内退火，随着温度的升高，段均呈先增大后减小，375℃时达到最佳；当复合Fe粉后，发现其软磁性能得到了明显改善，Fe粉量为40％时，卢。达到最大，且在100kHz～1MHz内，频率稳定性良好，其中心频率在500kHz附近，并随Fe粉量的增加而向低频发生偏移。纳米晶粉体的粒度越大，磁粉芯的磁性能越好；粉体粒度为100～200目时，其段达到最大。当375℃退火，由有机绝缘剂、40％（质量分数）Fe粉、100～200目纳米晶粉制备的磁粉芯，其u2达52．72、损耗Pu为0．01317J／m^3、Bs为3．92×10^-3T、Bt=6．48×10^-5T、Hc为1．28A／m。

（Pb0.5Sr0.5）TiO3薄膜的表面化学态研究1973-1975

摘要：用溶胶-凝胶法制备（Pb0.55Sr0.5）TiO3（简称PST）前驱体溶液，以三水醋酸铅、醋酸锶、钛酸丁酯为原料，乙二醇甲醚、去离子水、乙酰丙酮做溶剂，通过旋涂工艺在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基片上沉积PST薄膜。薄膜经320～380℃热分解，再经650℃退火30min，得到晶化好的薄膜样品，x射线衍射结果表明PST薄膜为钙钛矿立方相结构，其晶格常数为a=0．3919nm。用原子力显微镜观测其表面形貌，薄膜平均晶粒尺寸为300nm。用XPS测量了650℃退火PST薄膜样品的表面化学态，结果表明表面富铅，接近表面区域的原子比率Pb：Sr：Ti：O是0．52：0．50：1．0：3．02，接近（Pb0.5Sr0．5）TiO3的理想配比。

自燃法制备Na掺杂Ca3Co4O9及其热电性能的研究1976-1979

摘要：采用简单的自燃法，以去离子水为溶剂，柠檬酸为螯合剂，硝酸盐为原料制备了金属钠掺杂的（NaxCa1-x）3Co4O9热电材料前驱粉。前驱粉经煅烧、球磨、冷压、烧结等工艺获得块体材料。通过X射线衍射，扫描电镜观察等方法对样品的结构与形貌进行了分析表征。在573～1073K温度区间内，测试了材料的电阻率和Seebeck系数。研究表明，试样（z=0．15）在973K时的电阻率可达ρ=5.899mΩ·cm，Seebeck系数S=185uV／K，热电转换功率因子值p=5．802×10^-6W／（m·K^2）。

氧化锆固体电解质高温电子电导的研究1980-1983

摘要：针对高温固体电解质的离子阻塞电极制备难点，提出了一种新的离子阻塞电极制备方法。基于Wagner直流极化法测得了不同掺杂的氧化锆固体电解质的电子电导率。结果表明，依靠制备的可用于高温实验条件下的离子阻塞电极，可准确获得氧化钇稳定的氧化锆（YSZ）电解质的电子电导。

退火温度对Pb（Zr0.53Ti0.47）O3薄膜结构及其性能的影响1984-1986

摘要：采用sol—gel法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备Pb（Zr0.53Ti0.47）O3薄膜。利用x射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）对其晶格结构和微观形貌进行了表征，通过改变退火温度制得了具有单一钙钛矿结构的Pb（Zr0.53Ti0.47）O3薄膜。然后将该薄膜与环氧树脂形成复合结构材料。对其铁电性能以及复合材料的阻尼性能进行了测试，结果表明，退火温度的升高有利于改善薄膜的铁电性能，在750℃下退火的Pb（Zr0.53Ti0.47）O3薄膜，其剩余极化值2P，达到了68．6uC／cm^2，矫顽场强2E。达到158．7kV／cm；同时退火温度的升高还有利于薄膜致密度的提高，对复合材料的阻尼性能也有一定的改善，当退火温度达到800℃，复合材料的阻尼损耗因子达到最大值，阻尼温域最宽，阻尼性能最好。

聚（3，4-二氧乙撑噻吩）的制备及其热电性能研究1987-1989

摘要：聚（3，4-二氧乙撑噻吩）（PEDOT）以其独特的热稳定性和较高的电导率而引起了广泛关注。首次系统研究了导电PEDOT的热电性能，主要包括电导率、Seebeck系数和热导率，详细比较了化学和电化学方法制备的PEDOT样品在热电性能上的差异。结果表明PEDOT的热电优值最大可以达到1．87×10^-3（T=270K），且在相同条件下，PEDOT的热电性能要高出其它有机高分子材料大概一个数量级，而且PE—DOT的热电性能依然存在较大的提高潜力。

非晶FeSiB粉体／IIR复合材料的电磁屏蔽性能研究1990-1992

摘要：以丁基橡胶为基体，Fe78Si13B6非晶粉体为主要屏蔽剂，利用模压成型法制备了Fe78Si13B6／丁基橡胶电磁屏蔽复合材料，采用矢量网络分析仪对其屏蔽性能进行了测试。结果表明，在0．03～6000MHz范围内，Fe78Si13B6非晶粉体具有良好的吸收损耗效果；粉体含量、粒度、试样厚度均显著影响材料的屏蔽性能；试样经过180℃×6h的热处理后，屏蔽性能达到最佳。

新型碳纤维复合芯铝合金导线的特性研究1993-1995

摘要：采用拉挤成型工艺制备了碳纤维增强环氧树脂复合材料导线芯，在外部绞合铝绞线制备成导线。并对线芯的密度和拉伸强度以及导线的应力应变曲线和孤垂等性能做了研究。结果表明，碳纤雏复合芯的密度仅为1．60g／mm^3，断裂强度高达2874MPa，大大超过普通钢芯；由于在拉伸过程中复合芯只表现出弹性变化，而铝绞线要发生弹塑性变形，使导线的应力应变曲线上存在斜率的突然变化；线芯的热膨胀系数比铝绞线要小的多，使在温度升高到一定值时导线的弧垂基本不再增加，从而允许导线在更高的温度下使用。现场应用情况表明，新型导线完全可以取代传统钢芯导线，改造输电线路。

碳源对LiFePO4／C正极材料性能的影响1996-1999

摘要：以FePO4·2H2O、Li2CO3和柠檬酸／酒石酸／抗坏血酸为原料，经机械球磨后在惰性气氛中高温煅烧合成LiFePO4／C正极材料。研究了不同碳源对LiFePO4结构、形貌及电化学性能的影响。重点考察了碳源为酒石酸时，不同合成温度对材料性能的影响。采用XRD、SEM以及电化学测试等手段对目标产物进行了结构表征和性能测试。结果表明，以酒石酸做碳源时，合成的正极材料物相单一，颗粒细小，粒度均匀，并且具有优良的电化学性能。在室温下以0．1C倍率充放电，首次放电比容量可达155mAh／g，1．0C首次放电比容量为120mAh／g，经过100次循环以后容量仍有109mAh／g。

锗掺杂二氧化钛薄膜的溶胶凝胶法制备和性能研究2000-2003

摘要：二氧化钛是一种无毒、廉价、稳定的半导体材料，被广泛用作光电化学太阳能电池的电极材料，适当掺杂可以增强其光电性能。以钛酸丁酯和四正丁氧基锗烷为主要原料，采用溶胶-凝胶提拉涂膜法制备了Ge掺杂的TiO2薄膜。通过x射线衍射、扫描电镜、紫外-可见吸收光谱、电流-电压曲线等测试手段研究了薄膜的结晶性能、微观结构和光电性能随Ge掺杂量的变化规律。结果表明，Ge掺杂量X=0．10时，形成Ti1-xGexO2固溶体，x=0．15时，形成非晶态。掺锗后薄膜表面颗粒密度增大，薄膜比较致密。随着Ge掺杂量的增加，吸收光谱吸收边蓝移，光电化学性能也得到一定提高。在Ge掺杂量为0．05时，光电流达到最大值17A／m^2。同时，研究了锗掺杂对光电流的影响。

CuO掺杂对W03压敏电阻微结构和电学性能的影响2004-2007

摘要：研完了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响，样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜（SEM）观察，相结构和成分借助于X射线衍射（XRD）和能谱（EDS）进行分析。结果表明，微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果，0．2％（摩尔分数）CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复，这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n—p—n型的双肖特基势垒。

硅衬底上高增透金刚石膜的制备研究2008-2010

摘要：采用甲烷和氢气作为工作气体，在热丝化学气相沉积（HFCVD）设备上采用五段式沉积法制备了金刚石薄膜，用扫描电子显微镜（SEM）、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）以及傅立叶红外光谱仪研究了金刚石膜的结构和性质。结果表明，采用五段式沉积法可以得到晶粒大小达到纳米级的、表面粗糙度较小、金刚石纯度较高的金刚石膜，其最大增透率超过70％，能满足作为光学窗口增透膜的应用要求。

聚四氟乙烯微孔膜及其无机粒子共混膜的结构及性能2011-2013

摘要：以聚乙烯醇（PVA）为成膜载体，由聚四氟乙烯（PTFE）分散乳液制得PTFE微孔膜，通过对不同烧结温度的研究得出PTFE烧结模型，在烧结初期有利于PTFE形成微孔结构。在成膜体系中引入纳米无机粒子，得到PTFE／无机粒子共混平板膜。研究了无机粒子对共混膜结构及性能的影响，结果表明PT—FE与碳酸钙（CaCO3）粒子的粘结性差，在烧结成型过程中PTFE基质相与CaCO3产生界面相分离形成微孔，形成的界面微孔不同于PTFE双向拉伸产生的纤维一结点状裂隙孔结构。共混膜经适当拉伸后孔隙率显著提高。