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功能材料 2008年第06期杂志 文档列表

Pentcene／SiO2表面随温度变化的AFM研究881-882

摘要：以热氧化硅片为衬底，以溶液溶解和真空蒸镀两种方法，在不同温度下制备有机半导体材料并五苯（pentacene）薄膜。用原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的形貌，讨论了影响薄膜质量的各种因素。

Er^3＋单掺与Er^3＋／Yb^3＋共掺Y2SiO5的上转换发光883-884

摘要：报道了一种新的上转换发光材料X2型Y2SiO5：Er，Yb并研究了Yb^3＋浓度和泵浦功率对样品的上转换发光特性的影响：（1）随着Yb^3＋浓度的增加，绿、红光发射均呈先增强后减弱的变化，但相对于绿光发射，红光发射受Yb^3＋浓度的影响更剧烈，并且当12％（摩尔分数）Yb^3＋时，可以得到很纯的红光发射；（2）上转换发光强度与泵浦功率的关系表明，双光子吸收贡献样品的上转换发射。此外，讨论了可能的上转换机制。认为随着Yb^3＋浓度增加，Er^3＋的激发态吸收、Yb^3＋到Er^3＋的能量传递和Er^3＋的交叉弛豫对上转换发光的作用依次逐渐加强。

热处理对V2O5-TiO2复合薄膜表面结构与光学性能的影响885-888

摘要：以钛酸丁脂、V2O5粉末为前驱体，采用溶胶-凝胶法制备了V2O5-TiO2复合薄膜，并采用X射线光电子能谱（XPS）和Uv—vis—nir分光光度计等方法研究了热处理对薄膜性能的影响。结果表明，随热处理温度的升高，复合薄膜中钛离子的价态不变，仍为Ti^4＋；而V^4＋离子逐渐被氧化为V^5＋离子；并采用氢氧基团、碳氧键与多种钒离子进行叠加拟舍，拟合结果与实验曲线非常符合；V2O5-TiO2复合薄膜在紫外光波段的透射率减小，吸收带边出现红移。

掺硅类金刚石薄膜的制备及其光学性质研究889-891

摘要：利用直流磁控溅射技术在单晶硅和光学玻璃表面制备了掺硅类金刚石薄膜，采用紫外-可见光光谱仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱（XPS），荧光光谱仪考察了不同硅含量对类金刚石薄膜的光学透过、表面形貌、电子结构和光学带隙的影响。结果表明，掺硅后的类金刚石薄膜的表面粗糙度先变大后变小，光学带隙变宽，但当掺硅达到一定量时，光学带隙有所降低。随着硅掺入量的增加，薄膜的红外透过率显著提高；光的发射中心“蓝移”并且强度增加。XPS的结果表明薄膜的sp^3／sp^2的比率随着硅含量的增加而变大。

有机-无机复合材料光波导的制备892-895

摘要：有机-无机复合光波导在光通信领域具有重要的应用价值，是目前的研究热点之一。采用溶胶-凝胶法分别制备了膜厚达13μm的光滑平整的PMMA膜和具有紫外感光性的膜厚为1．76μm的SiO2／ZrO2凝胶膜，研究了SiO2／ZrO2凝胶膜的感光性及紫外光照对两种薄膜折射率的影响。在此基础上，以PMMA膜为包层膜，SiO2／ZrO2凝胶膜为芯层膜，实现了光波导的包芯层复合。利用SiO2／ZrO2凝胶膜的感光性，结合紫外掩模技术，制备了条形的有机-无机复合光波导，理论分析表明该复合条形光波导能够实现入射波长为1．31μm，模数为0，1的传输。

LMBE法生长ZnO薄膜的结构和光学性能896-898

摘要：利用激光分子束外延方法（LMBE）在单晶Si（100）和玻璃基片上生长了ZnO薄膜。通过XRD谱、拉曼光谱和光致发光（PL）谱研究了ZnO薄膜的结构和光学性能。结果表明，ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构，（002）衍射峰较强，C轴择优取向良好。在可见光范围，ZnO薄膜的平均透射率〉80％，而在紫外范围，平均透射率急剧降低。拟舍得到ZnO薄膜的禁带宽度为3．31eV。随激发波长增加，PL谱峰位没有变化，但强度发生了变化。同时，随测量温度升高，紫外发光峰强度减弱，峰位红移，半高宽展宽。理论拟舍得到ZnO薄膜的活化能为59meV，接近于ZnO体材料的激子束缚能（60meV），说明紫外发光是由自由激子辐射复合引起的。

高温稳定、高磁性能2：17型SmCo永磁体绝缘特性的研究899-901

摘要：解释了2：17型SmCo永磁合金晶胞结构对磁体绝缘特性的影响，并通过对磁粉绝缘包覆到磁体整体表面喷涂的全方位电绝缘保护的方案设计，得出制备具有高温稳定性能、优良电绝缘特性、较高磁性能2：17型SmCo稀土永磁体的有效途径。制备的磁体电阻率比烧结磁体高10^6～10^7倍，比粘结稀土永磁高10^3～10^4倍，磁性能比永磁铁氧体高出近1倍。

基于偶极子理论的磁流变液链化机理模拟研究902-904

摘要：基于磁偶极子理论，通过分析两个磁化颗粒处于不同位置时的受力特点及其相对运动趋势，深入而详细的研究了磁流变液的成链机理，说明了铁磁颗粒间的引力分量和斥力分量是导致颗粒聚集并分成多条并列链的原因。同时，模拟了在外加磁场作用下磁流变液的链化结构，证明了形成稳定的链状微结构时磁流变液颗粒间的内部能量最小。

SmCo／Fe系统膜厚对矫顽力与过渡区噪声影响的微磁学模拟905-908

摘要：SmCo／Fe双层膜具有很好的各向并性，因此能够用于高密度垂直磁记录中。采用微磁学方法，详细讨论了SmCo／Fe双层膜系统中膜层厚度对于矫顽力和记录位间的过渡区噪声的影响。模拟结果表明，硬磁层和软磁层厚度对于矫顽力和过渡区噪声都具有一定的影响。为了获得大的系统矫顽力和小的过渡区噪声，有必要提高SmCo层和Fe层的厚度比，同时也要将系统中膜层厚度控制在较小的值。

La^3＋掺杂对（Sr，Ba，Ca）TiO3基压敏陶瓷结构和性能的影响909-911

摘要：采用常规固相法制备（Sr，Ba，Ca）TiO3基压敏陶瓷。用Nb^5＋离子取代Ti^4＋离子，Mn作受主掺杂元素的前提下，系统研究了稀土离子La^3＋施主掺杂对压敏陶瓷结构和性能的影响。结果表明，当La2O3=0．4％（摩尔分数）时，（Sr，Ba，Ca）TiO3基压敏陶瓷可获得良好的电性能：其压敏电压V10mA=11．19V，非线性系数a=2．93，电容C=31．16nF，介电损耗tanδ=0．43％，压敏电压温度系数KV10mA=0．1％／℃。

C对Gd5SiGe3磁致冷材料组织结构和磁相变的影响912-914

摘要：主要研究C对Gd5SiGe3磁致冷合金组织结构与居里温度的影响。使用商业蒸馏Gd为原料，采用非自耗电弧炉熔炼了Gd5SiGe3Cx（x=0、0．1、0．3、1．0）系列合金。粉末XRD结果表明，少量C（x=0．1、0．3）加入合金后，样品主相具有单斜的Gd5Si2Ge2型结构，当x=1．0时，合金中出现了CSi相和GdGe相。采用光学显微镜观察了了合金纵截面的微观形貌，纵截面的柱状晶和晶粒内的线条组织是Gd5SiGe3Cx合金显微组织的两大显著特征。用样品振动磁强计测定了样品在低场下（7960A／m）的M-T曲线，结果表明，Gd5SiGe3Cx系列合金的居里温度随C含量的增加而逐渐降低，x=1．0时居里温度达到最低值108K。

脉冲激光沉积Bi0．5（Na0．7K0．1Li0．2）0．5TiO3无铅压电薄膜的研究915-918

摘要：采用脉冲激光沉积制备了新型无铅压电Bi0．5（Na0．7K0．1Li0．2）0．5TiO3陶瓷薄膜，分别利用X射线衍射仪、X射线光电子谱、俄歇电子能谱、原子力显微镜及扫描电镜研究了该薄膜的晶体结构、组成成分及表面形貌。结果表明，薄膜基体温度和工作气压对所生长的薄膜影响较大；在SiO2／Si基片上制备Bi0．5（Na0．7K0．1Li0．2）0．5TiO3薄膜的最佳温度和氧气压力分别为600℃和13Pa；利用脉冲激光沉积的薄膜具有精细的表面结构。

MA—SPS制备高热电性能P型（Bi，Sb）2Te3合金块体919-921

摘要：机械合金化与放电等离子烧结技术（SPS）相结合制备了P型（Bi，Sb）2Te3合金块体。在300～423K的温度范围内测试了样品的电导率、Seebeck系数和热导率。系统研究了球磨时间对合金化与热电性能的影响。球磨2h的样品具有最低的热导率，因此其ZT值最高，在323K时为1．16，在373K达到最大值1．23。

PVDF疏水中空纤维膜与组件对真空膜蒸馏性能的影响922-925

摘要：利用高孔隙率的聚偏氟乙烯（PVDF）中空纤维疏水膜进行真空膜蒸馏（VMD）脱盐实验。在真空度0．095MPa，盐水温度60℃，流速1．5kg／min的条件下，着重研究了中空纤维膜内径、壁厚，组件长度、装填纤维数目等结构参数对VMD性能的影响。结果表明：组件长度或装填纤维数目增加，组件产水通量明显降低而总产水通量明显提高；中空纤维膜内径对VMD产水通量影响较小，而膜壁厚增加使通量明显降低；用内径1．0mm壁厚0．1mm的膜制成的长度21cm装填纤维50根的膜组件，产水通量达到21．8kg／（m^2·h）。VMD过程产水的电导率保持在4μS／cm以内，脱盐率达99．99％，受膜、组件结构及操作条件影响很小。

溶胶-凝胶制备SnO2／TiO2复合材料及其性能研究926-930

摘要：采用溶胶-凝胶工艺制备了SnO2／TiO2复合光催化剂。以钛酸丁脂（Ti（C4H9O）4）为前驱体，冰醋酸为螯合剂，通过水解缩聚反应制备纳米TiO2，掺杂不同比例（n（SnO2）／n（TiO2）分别为1％、2．5％、5％）的SnO2对纳米TiO2进行改性，并对1％掺杂的粉体样品进行了不同温度（350～550℃）的焙烧处理。采用浸渍提拉法制备了1％（n（SnO2）／n（TiO2））掺杂的纳米SnO2／TiO2膜。运用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）及光吸收等手段，研究了不同掺杂量、热处理温度及光照时间对TiO2相变和光催化活性的影响。研究结果表明，350℃焙烧时，1％（n（SnO2）／n（TiO2））掺杂的粉体样品出现了合适比例的锐钛矿型和金红石型的混晶结构，具有较高的光催化效率，可达96．55％。而1％（n（SnO2）／n（TiO2））掺杂的纳米SnO2／TiO2光催化膜晶粒尺寸在20～30nm左右，光催化效率为79．6％，低于相同掺杂含量的纳米SnO2／TiO2掺杂光催化剂粉体。

量子隧道效应压敏复合材料931-934

摘要：为探讨镍粉-水泥基复合材料的压敏性及其产生机理，首先验证了采用埋入式环状四电极进行镍粉-水泥基复合材料电阻测试的可行性，然后探讨了镍粉-水泥基复合材料的伏安特性，最后研究了一次加栽至破坏时和弹性加载阶段镍粉-水泥基复合材料的电阻率变化规律。研究结果表明：基于埋入式环状电极的四电极法适用于镍粉-水泥基复合材料压敏性的测试；在测试电流〈10mA时，镍粉-水泥基复合材料的伏-安特性为线性，隧道导电具有欧姆特性；镍粉-水泥基复合材料一次加载至破坏，电阻率变化率最大达70％，弹性阶段电阻率变化率可达60％以上，量子隧道效应是致使其具有优异压敏性能的原因。

沉积参量对硼碳氮薄膜光透过性质的影响935-937

摘要：采用射频磁控溅射技术，用六角氮化硼和石墨为溅射靶，以氩气（Ar）和氮气（N2）为工作气体，在玻璃衬底上制备出硼碳氮（BCN）薄膜。通过改变氮气分压比、衬底温度及沉积时间，研究了沉积参量对薄膜光透过性质的影响。利用X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）及可见-近红外透过光谱对薄膜进行了表征。实验结果表明，所制备薄膜在400～1000nm波段具有较高透过率。并且沉积参量对BCN薄膜的透过性能有很大影响，适当改变沉积参量能获得透过率高于90％的BCN薄膜。在固定其它条件只改变一个沉积参量的情况下，得到制备具有较高透过率的BCN薄膜的最佳沉积条件：氮气分压比为1／3、沉积温度为300℃、沉积时间为1h。

PbI2掺杂对高温高压合成PbTe1．04合金电学性质的影响938-941

摘要：通过高温高压方法，成功地合成出了立方相（PbTe1．04）100-y（Pb12），（0≤y≤0．065）体热电材料。在常温常压下，对样品的一系列电学性质进行了测试与研究。结果表明，随着掺杂量的增加，Seebeck系数的绝对值和电阻率均显著地减小。当y=0．015时，热电材料的功率因子达到最大值24．2μW／（cm·K^2），它远远大于常压下合成PbTe掺杂PbI2的功率因子。以上结果说明，高温高压结合微量掺杂的方法可以有效地提高PbTe材料的电学输运性能。