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功能材料 2007年第02期杂志 文档列表

功能材料杂志研究与开发

红外波段铜树枝状结构磁响应特性研究169-172

摘要：提出一种可用于实现红外波段负磁导率的树枝状磁谐振模型，采用基于有限差分技术的CST微波工作室软件确定了树枝状结构参数与磁谐振响应之间的关系，实现了红外波段的负磁导率。以碳纤维为阴极，采用化学电沉积的方法制备了铜树枝状结构，利用傅立叶变换红外光谱仪测量了样品的空间红外透射行为，结果表明铜树枝状结构实现了红外波段的磁谐振响应，最大透过率达到-7．95dB，实验结果与数值模拟吻合。研究了铜树枝状结构的分形维数和磁响应波段与沉积电压的关系以及两个铜树枝状结构之间的耦合作用，结果表明随着沉积电压的增大分形维数与磁响应波长随之增加，样品之间的耦合作用导致磁谐振响应的波长和强度发生变化。

玻璃包覆磁性微丝的制备及微波电磁性能173-175

摘要：采用Taylor-Ulitovsky方法制备了Fe基和Co基非晶态玻璃包覆微丝，测试并分析了玻璃包覆微丝的微结构、微观形貌、静磁性能及其微波复磁导率和复介电常数。研究结果表明，通过改变拉丝速度，可以制备出直径6．3～23．5μm的非晶态玻璃包覆微丝；制备时通过水冷或气氛保护可以控制样品的物相组成。典型样品的各项异性等效场高达7．96μ10^3A／m。Fe基样品磁导率在6．3GHz具有自然共振峰，Co基样品在所测频率范围没有共振峰，此测量结果和根据理论计算的自然铁磁共振频率基本一致。典型样品的相对微波复介电常数均低于25且随频率升高而降低。

H＋辐照前后Mo涂层表面的XPS分析176-178

摘要：对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积的钼膜进行了H^＋辐照前后的XPS分析，研究了H^＋辐照对钼膜的结合能的影响。分析结果表明，沉积的钼膜中除了单质钼外，还有部分钼的氧化物；H^＋辐照结果表明，H^＋的辐照使钼的结合能向低能方向偏移；钼的氧化物有所减少，说明污染的氧化物在一定程度上被择优溅射掉。

掺Fe^3＋附银二氧化钛光催化剂的制备及其光催化活性研究179-182

摘要：采用酸催化溶胶-凝胶法和光化学沉积法相结合制备出了掺Fe^3＋附Ag纳米TiO2复合粒子，用TEM、XRD、XPS、UV—vis等技术进行了表征。结果表明：纳米粒子粒径约为10～15nm；Fe^3＋的掺杂能促进TiO2由锐钛矿相向金红石相的转变；改性后的TiO2对光的吸收发生红移，吸收强度明显增大；XPS分析表明附载在TiO2表面的银以Ag^0形式存在。以紫外光为光源，甲基橙为目标降解物，评价了催化剂的光催化活性，实验表明，掺Fe^3＋附Ag的TiO2比纯TiO2及仅掺Fe^3＋或仅附Ag的TiO2能显示出更高的光催化活性；且掺Fe^3＋0.4％、附银1％（摩尔分数）的催化剂的光催化活性最高。

YBCO高温超导微带线的非线性光响应特性实验及其应用分析183-185

摘要：研究了在波长为0．68μm的连续激光辐照下，YBCO高温超导薄膜微带线结构的光致非线性效应，并从实验现象和高温超导光响应器件研制两个角度进行讨论。主要的研究结果如下：高温超导薄膜微带线结构的非平衡光响应存在阈值，在本实验条件下，当功率〈15mW时，以辐射热效应为主；当功率〉15mW时，出现非平衡光响应。该闲值的获得，对光响应超导器件的设计与制作具有重要指导意义。在此基础之上，设想了一种新型的高温超导衰减器；另外，在反复通断激光实验中，观察到YBCO微带线具有时间累积的记忆效应，从而导致回复时间的出现。该现象也是影响高温超导光响应器件性能的重要因素之一，对非线性光响应超导器件的发展具有重要价值。

以Al_2O_3/AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO-TTFT透过率的研究186-189

摘要：采用射频反应磁控溅射的方法，以ITO（铟锡氧化物）玻璃为衬底，在Al2O3／AN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜，并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极，通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响，得出以Al2O3／AlN为复合缓冲层薄膜晶体管，在400℃温度下退火处理后，ZnO有源层有较好的c-axis（002）择优取向，器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上，从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明。

磁控溅射SiC薄膜及其光电特性研究190-192

摘要：用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜，并对其进行了退火处理。用AFM观察了薄膜的表面形貌，测量了薄膜的厚度与透射光谱。用J．C．Manifacier提出并由R．Swanepoel加以修正和完善的包络线法对薄膜透射光谱进行了分析计算，并结合Tuac公式确定了薄膜的光学带隙。结果表明：在不同射频功率下制备的薄膜均有较强的蓝紫光吸收特性，在低功率下可制备出表面平整，吸收系数小，光学带隙大的薄膜；退火处理后薄膜的吸收系数减小，光学带隙增大，晶粒向圆形转化且尺寸变大。

溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用193-194

摘要：采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Mg薄膜，然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米棒的形貌，纳米棒的直径在200-600nm之间。我们对镁层的作用进行了简单探讨。

永磁铁氧体烧结过程温度场有限元分析195-197

摘要：利用有限元分析法对永磁铁氧体材料烧结过程温度场进行了数值模拟研究，得出铁氧体磁瓦在烧结过程的不同传热方式下、不同烧结阶段的温度分布规律，得出了烧结过程对流传热为主的低温阶段与辐射传热为主的高温阶段的分界温度。同时对对流为主的低温阶段的模拟结果进行了实验验证，得出模拟结果与实验结果定性符合。模拟结果为磁瓦烧结工艺制度的制定提供理论依据。

锰锌铁氧体纳米粒子的制备和磁性能研究198-200

摘要：以金属离子的硫酸盐溶液和氨水溶液为原料，采用水热法制备了粒径为6～16nm的锰锌铁氧体纳米粒子。采用XRD、TEM、TGA和VSM等方法对产物以及产物的磁性能进行了表征。结果表明，锰锌铁氧体（Mn1-xZnxFe2O4）的居里温度随着锌的相对含量x的增加而单调的降低。锰锌铁氧体的磁化强度先随着锌的相对含量x的增加而增大，当锌的相对含量〉0．6时，磁化强度随着锌的相对含量x的增加而减小。测量了锰锌铁氧体磁流体的饱和磁化强度，计算了锰锌铁氧体（Mn0.4Zn0.6Fe2O4）纳米粒子的磁矩，其值为1．01×10^-19A·m^2。

烧结温度对MgB2超导体宏观特征和显微结构的影响201-203

摘要：Mg粉、B粉按1．03：2的比例混合、压制成型后，在流通高纯氩气的条件下分别于660、700、750、800、850和900℃烧结1h，制备出MgB2块材。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阿基米德方法等，分别研究了样品的物相组成、显微结构和密度等。结果表明，随着烧结温度的升高，样品的非超导相Mg和MgBx（x=4、6或12）的含量、体积膨胀系数、质量损失率、密度及MgB2的晶粒尺寸都发生变化。750～850℃烧结时，可得到由MgB2和少量MgO组成、晶粒较小、密度较高的MgB2超导体。

pH值对共沉淀制备的LiCo_1/3Ni_1/3Mn_1/3O_2结构与电化学性能的影响204-207

摘要：用在不同PH值下制备的共沉淀前驱体合成了LiCo1/3Ni1／3Mn1/3O2材料。用XRD、IR、ESEM、交流阻抗、充放电测试仪测试了PH值对材料结构和电化学性能的影响。结果表明在pH=11条件下合成的材料的层状结构特征和结晶度较好；pH值对材料颗粒的大小没有显著的影响，所有材料的粒径均在0．3～0.7μm范围内；pH=11时合成的材料的放电比容量最高（达163．48mAh／g），循环性能最好，可能是由于此条件下合成的材料在电池充放电过程中电荷传递速率较快所致。

La掺杂SrBi4Ti4O15结构影响研究208-209

摘要：通过对La不同掺杂比例SBT的XRD、拉曼光谱测试表明La掺杂对铋层状结构材料SBT的结构没有破坏。随掺杂量增加La取代不同位置，SBT拉曼光谱中270cm^-1峰和550cm^-1峰先宽化然后逐渐锐化，314cm^-1肩峰锐化，870cm^-1峰没有太大的变化。La掺杂进入类钙钛矿层对邻近TiO6八面体振动影响更大。

SOFC阳极层的等离子喷涂混合炭粉成孔工艺214-216

摘要：采用大气等离子喷涂技术，以活性炭粉作为成孔材料，获得了薄且多孔的中温固体氧化物燃料电池SOFC阳极层。实验研究分析了添加炭粉造孔剂和改进喷涂工艺参数对阳极层孔隙率的影响。结果表明：在合适的喷涂工艺条件下，添加质量比为15%的炭粉并进行后处理可得到孔隙率30．2％的阳极层，满足SOFC对阳极层孔隙率的要求。

Pt修饰的SrCe0.9Y0.1O3-δ膜的制备与电性能研究217-220

摘要：为了提高质子一电子混合导电膜的电子导电性，采用浸渍法对SrCe0．9Y0.1O3-δ粉体进行Pt修饰，制备出含Pt的SrCe0.9Y0.1O3-δ质子导电膜（Pt／SCY膜），并时其致密性、物相、微结构、电子导电性进行了研究。研究结果表明，在1450℃保温3h，得到的Pt含量≤0.2％（质量分数）的Pt／SCY膜具有正交钙钛矿结构，且相对密度达98％。当保温时间延长或Pt掺入量增加时，Pt／SCY膜中出现SrY2O4和Y2O3相。Pt／SCY膜在H2还原前后具有不同的微观结构，通过对膜在空气中的交流阻抗谱测试，发现Pt修饰改变了400℃以下电子的传导机制，显著地提高了低温区电子导电率。

（Ca1-xSrx）[（Li1／3Nb2／3）0.95Zr0.15]3＋δ陶瓷微波介电特性221-223

摘要：研究了A位Sr^2＋取代对（Ca1-xSrx）[（Li1／3Nb2／3）0.95Zr0.15]3＋δ（0.0≤x≤0．2，CSLNZ）陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响。当0≤X≤20％（摩尔分数）时，体系为单一钙钛矿相，随Sr^2＋含量的增加，介电常数和谐振频率温度系数增大，而品质因素先增大，x=0．05时，开始下降。用键价理论分析了谐振频率温度系数随B位键价的变化关系。当Sr^2＋含量为5％（摩尔分数）时，陶瓷微波介电性能最佳：εt=32．5，Qf=13500GHz，τf2．4×10^-6／℃。

直接反应烧结法制备（Bi0.5Na0.5）1-xBaxTiO3系无铅压电陶瓷的性能研究224-226

摘要：采用直接反应烧结法制备了（Bi0.5Na0.5）1-xBaxTiO3无铅压电陶瓷，研究了陶瓷的压电性能和显微结构。结果表明，直接反应烧结法不影响BNBT陶瓷的钙钛矿相结构，但可使准同型相界处组成的四方相含量增加；直接反应烧结的BNBT陶瓷呈无变形，收缩率稍大于采用传统固相法制成的陶瓷样品，晶粒明显较大，并具有更好的压电介电性能，其中，d33=166pC／N，tanδ=0．03。

CB／ABS连续导电介质吸波性能研究227-230

摘要：通过热压方法制备了炭黑（CB）／丙烯腈一丁二烯一苯乙烯共聚物（ABS）连续导电介质吸波平板，研究了炭黑含量和厚度对CB／ABS连续导电介质介电常数和吸波效能的影响。结果表明炭黑／ABS连续导电介质的介电常数和介电损耗角正切随炭黑含量的增加而增大；在炭黑含量达到20％（质量分数）时，复合平板的吸收峰值达到最佳，对应于其体积电阻率为10^5Ω·cm；复合平板的厚度增加有助于改善其吸波性能。修正的Rayleigh混合有效介电常数和广义反射率计算公式计算导电介质吸波性能有很好的实用性。