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摘要:以四乙氧基硅烷(TEOS)和二甲基二乙氧基硅烷(DDS)为共聚前驱体,Ru(phen)3Cl2为荧光指示剂,采用溶胶凝胶技术,通过改变DDS/TEOS比值,制备了基于荧光猝灭原理的有机改性氧敏感膜。探讨了成膜条件,研究了DDS的掺杂量对敏感膜结构和性能的影响。结果表明,掺入适量的有机硅醇盐DDS,敏感膜均匀无龟裂,有较好的机械性和柔韧性。将敏感膜组装到基于相移检测的光纤氧传感器并对气态氧进行检测,检测下限达2×10^-6,响应时间〈30s;对溶解氧进行检测,检测下限达0.5mg/L,响应时间〈50s。与纯TEOS敏感膜相比,有机改性敏感膜具有更好的重复性和稳定性,更有利于溶解氧的测量。
摘要:利用表面接枝改性法,丁二酸酐作修饰剂,对上转换无机发光材料进行了表面羧基修饰。傅立叶红外吸收光谱证明了羧基的存在,电导率法定量地检测了羧基的含量,热分析表明修饰羧基后材料的热失重过程,扫描电镜显示了修饰后上转换无机发光材料颗粒有的直径有所增加。沉降试验表明修饰羧基后的上转换发光材料在水溶液中的分散稳定性得到了提高。
摘要:为了解决镁合金表面耐腐蚀性能和扩大高能微弧火花合金化的应用范围,采用在碱性阳极氧化溶液中使用Al-Y电极在ZM5镁合金上进行了合金化的研究。结果表明,ZM5表面上形成了一层陶瓷薄膜,物相分析表明,该薄膜由MgO,同时还有MgAl2O4、2Al2O3·2SiO2·2H2O组成。3.5%(质量分数)NaCl浸泡腐蚀分析表明,高能微弧火花合金化后耐腐蚀性能得到提高。
摘要:采用原位化学法在纳米结构TiO2电极上制备了量子点CdS(Q-CdS),并用电化学方法在TiO2/Q-CdS表面聚合3-甲基噻吩poly(3-Methylthiophene)(PMeT)。通过对PMeT修饰Q-CdS连接TiO2纳米结构膜的研究表明,PMeT和Q-CdS单独修饰纳米结构TiO2电极和PMeT修饰Q-CdS连接纳米结构TiO2电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动;一定条件下在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO2的光电转换效率有明显的提高;聚3-甲基噻吩(PMeT)与Q-CdS连接的纳米结构TiO2之间存在p-n异质结。在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子/空穴的分离,提高了光电转换效率。
摘要:利用单辊法制备宽5mm厚25μm的非晶FeSi带材,利用XRD、SEM和EDS等手段对其进行了表征,并利用4294A阻抗分析仪,在0~100MHz频率范围内研究了样品的点压磁阻抗效应。结果表明,非晶带的阻抗随着频率的增加而增加,并随压力的增加变化更加敏感,尤其是频率在1~100MHz范围内时。非晶FeSi带材具有优越的压磁效应,在频率为100MHz,阻抗变化可达34.9433Ω。
摘要:合成了3种新的D-π-A-π-D构型的2,6-双[(取代苯基)偶氮]蒽醌化合物,并用IR,^1H NMR和元素分析表征了其结构。采用飞秒激光,运用简并四波混频(DFWM)法,研究了化合物的三阶非线性光学性能。它们的三阶非线性光学极化率χ^(3)为(3.75~3.93)χ10^13 esu,非线性折射率n2为(6.90~7.24)×10^-12 esu,分子二阶超极化率),为(3.52~3.84)×10^-31 esu,响应时间为94~108fs。分析了化合物的分子结构对三阶非线性光学性能的影响。
摘要:采用喷雾造粒和高温球化工艺制备空心球形氧化锆(YSZ-1型)喷涂粉末。研究了各种粒度区间的粉末流动性,将各种粒度区间的粉末进行适当配比,找出了粒度分布在产品标准规定的范围内流动性较好的配比方案,并进一步研究了超细粉末(粒径〈5μm)含量对粉末流动性的影响。
摘要:利用化学镀方法制备了BeCu/绝缘层/NiCoP复合丝,对细丝在200℃进行热处理以改善铁磁层的磁性,并首次研究了巨磁阻抗效应。结果表明该复合丝在较低频率下有较大的巨磁阻抗效应,在1kHz时磁阻抗比为-3.32%,300kHz时磁阻抗比获得最大值108%。研究了样品退火前后的巨磁阻抗效应和镀层厚度对巨磁阻抗效应的影响。研究表明磁阻抗比不仅取决于△R/R和△X/X,还和R与X的比值相关。
摘要:利用Stoner-Wohlfarth模型,概率型元胞自动机的模型和算法,在考虑了退磁场和交换作用的情况下对薄膜的磁滞回线进行了模拟,比较了温度以及和易轴取向变化时磁化曲线以及剩磁矩形比和矫顽力的不同及变化趋势。退磁场和交换作用的引入对磁化翻转过程有显著的影响,剩磁矩形比和矫顽力都有不同程度的提高。
摘要:采用偶合的共沉淀法和水热法相结合的方法,制备出ZnFe2O4纳米晶体,并利用DRS、XRD、FT-IR、TEM等技术对其结构和谱学特性进行了研究,并在其基础上利用表面光电压谱(SPS)深入探讨了所制样品的表面光伏特性,研究表明样品具有较窄的禁带宽度,晶型为正尖晶石型结构,大小均匀(7nm),无团聚,表面光伏特性研究显示ZnFe2O4纳米晶体具有明显的表面和量子限域效应,有一定的捕获电子能力,在外加电场下光伏响应变化明显,在正电场下有一个最佳响应值,而当负电场达到一定值时,外电场的光伏响应将占据主导地位。
摘要:采用电沉积法制备Fe-36%Ni软磁合金薄膜,通过正交实验方法研究了Fe^2+/Ni^2+摩尔比、镀液pH值、电流密度、镀液温度与合金中铁含量的关系,用极差法分析了各工艺参数对Fe-Ni合金薄膜成分影响的显著性,并确定了最佳工艺条件。优化验证实验结果表明,所得合金薄膜光亮、致密、外观平整,合金薄膜中Fe含量为64.99%(质量分数),Ni含量为35.01%(质量分数),其饱和磁通密度(Bs)0.84T,剩余磁通密度(Br)0.27T,矫顽力(Hc)65A/m。
摘要:以壳聚糖(CS),L-天冬氨酸(ASP)和戊二醛(GA)为原料,合成了具有pH、离子强度敏感性的壳聚糖水凝胶CS-GA-ASP。研究了交联剂含量、pH、离子强度对水凝胶溶胀率的影响和水凝胶对辅酶A的控制释放。结果表明,水凝胶在酸性溶液中,溶胀率最大,在中性溶液中溶胀率最小;水凝胶在不同pH或不同离子强度的溶液中交替放置时,表现出良好的溶胀-退胀可逆性;在室温下,pH-3.7、6.8、9的缓冲溶液中,辅酶A的累积释放率分别为78%、92%和87%,且在pH-6.8的缓冲溶液中,辅酶A释放速率最快,在pH-3.7的缓冲溶液中时,辅酶A释放速率最慢。
摘要:采用磁控溅射法制备了Cu/FeNi复合结构丝,并对其结构及巨磁阻抗(GMI)效应进行了研究。结果表明,Cu/FeNi复合结构丝具有良好的GMI效应,在较低频率下观察到的最大磁阻抗变化可达247.4%,同时发现FeNi铁磁层厚度对复合结构丝的软磁性能有重要影响,找到了复合结构丝铁磁层最佳厚度的范围,当厚度达到一定值时铁磁层内磁矩方向由环向分布转向复合丝长轴方向,表现出不同的GMI行为。
摘要:研究了Y0.75Ca0.25MnO3体系的结构和电磁特性,结果表明,场冷(FC)和零场冷(ZFC)直流磁化曲线在低温下存在典型的分叉现象,相应的Tcusp=34K;不同频率下交流磁化测量表明了随着频率的增加自旋冻结温度Tf=Tcusp向高温区移动,结合电输运测量,证明Y0.75Ca0.25MnO3体系为一典型的自旋玻璃绝缘(SGI)体系。
摘要:以NaCl为致孔剂,采用粒子沥滤-相转移法制备了纳米羟基磷灰石/聚酰胺6(n-HA/PA6)多孔支架材料,用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD),示差扫描量热仪(DSC)等对其进行表征。结果表明,用该方法制备的多孔支架孔径分布在50~300μm,孔隙率约为77%,孔与孔之间的贯通性良好。用粒子沥滤-相转移法制备的支架中PA6的晶胞体积较制备前有所增大,同时其结晶度也有增加。研究表明,NaCl粒子的存在促进了PA6聚合物晶体的生长。在制备成支架后,n-HA/PA6复合材料中PA6仍为混晶型高聚物,其晶型部分发生了转变,由制备前α晶型占多数变成了制备后γ晶型占多数。支架的制备过程使PA6更容易结晶,但结晶总速率在制备支架前后均没有太大改变。
摘要:采用直流磁控溅射技术沉积了Ni49.54Mn29.59Ga20.87磁驱动形状记忆合金薄膜。XRD结果表明,Ni49.54Mn29.59Ga20.87薄膜室温下为5层调制型结构马氏体。X射线光电子能谱(XPS)分析表明,放置于空气中2个月的沉积态薄膜表面吸附少量氧和碳杂质。随Ar^+刻蚀深度的增加,表面C杂质易被剥蚀掉,而部分氧杂质以MnO状态存在;Ni、Mn、Ga元素含量由薄膜表面向内层逐渐增加,化学价由正价向零价转变。
摘要:对福建龙岩钙基膨润土进行钠化改型,探索了钠化剂及相关钠化条件对膨润土钠化效果的影响。较佳的钠化剂为氟化钠;较佳的钠化条件为:钠化温度70℃、钠化剂用量4.2%、矿浆浓度10%,搅拌时间90min。在上述条件下,钙基膨润土经钠化改型后的膨胀容(VB)为33.5ml/g,阳离子交换容量(CEC)为1.140mmol/1g;经X射线衍射分析,d(001)值为1.27145nm,完全达到制备优良有机膨润土的质量要求。
摘要:用sol-gel法成功制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜,XRD结果表明制备的BNT薄膜具有(117)和(00l)的混合取向,FE-SEM显示薄膜表面光滑致密,颗粒均匀。剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为29.5μ℃/cm^2和100kV/cm,经过10^9次循环后几乎无疲劳。