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功能材料 2006年第06期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

二氧化铀陶瓷燃料块工艺研究进展849-852

摘要：简述了铀及铀氧化物、二氧化铀陶瓷燃料块制备工艺的发展和应用。重点阐述了超化学计量二氧化铀芯块在微氧化气氛下低温活化烧结的最新研究进展。从理论上，提出了扩散烧结和强化烧结是二氧化铀陶瓷燃料块低温烧结的过程机理；从工艺上，提出了工艺稳定性和提高晶粒尺寸是二氧化铀陶瓷燃料块低温烧结的热点课题。展望了二氧化铀陶瓷燃料块微氧化低温烧结的工业应用前景。

微乳液聚合物纳米粒子的研究方法853-856

摘要：综述了微乳液聚合制备聚合物纳米粒子的研究内容及方法。其主要的研究内容包括：聚合物纳米粒子的化学组成及结构、形态、分子量及分布、热行为以及聚合物纳米粒子的性能等。研究方法有红外光谱、核磁共振、透射电镜、凝胶渗透色谱法、粘度法和光散射等。最后，展望了新型表征手段以及微乳液聚合两个领域的交叉发展。

功能材料杂志研究与开发

ZnO／P-Si接触及其温度特性857-860

摘要：用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜，随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性，异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子，结果发现ZnO／P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高。异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释。样品经Air～800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升，说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量，减少了界面态影响。

硼铝酸锶长余辉发光玻璃的制备及发光性能研究861-863

摘要：采用一步合成法制备了硼铝酸锶长余辉发光玻璃，系统研究了热处理温度、热处理时间、冷却制度等条件对长余辉玻璃发光性能的影响。结果表明：在N2气氛下，热处理温度为1300℃、保温时间为3h、试样随炉冷却的制备工艺可得到发光性能优良的长余辉玻璃，该玻璃的长余辉特性源自在玻璃基体中均匀分布的Eu^2＋、Dy^3＋共掺杂的SrAl2O4微晶。

ZnGeP2多晶料合成与晶体生长864-866

摘要：以99．999％的锌、锗和红磷为原料通过直接化合的方法合成ZnGeP2多晶料，采用布里奇曼法通过自发成核方式生长出尺寸为Φ7mm×25mm的ZnGeP2晶体。X射线粉末衍射实验表明合成的多晶料的成分是ZnGeP2，所获ZnCeP2晶体的结构属于四方晶系，空间群142d。X射线摇摆曲线表明所得晶体完整性较好。用莫氏硬度计测得ZnGeP2晶体的莫氏硬度为6．5。测量了晶体的热重和差热曲线，证明在室温～800℃的范围内晶体热学性质稳定。

Fe掺杂T-ZnO的结构和绿光发光性质研究867-869

摘要：采用固相反应工艺制备了不同浓度掺杂Fe的四针状氧化锌晶须（T-ZnO），利用XRD研究了掺杂后T-ZnO的物相结构，用荧光光谱研究其发光性能。结果表明，Fe在ZnO中的固溶度约为0.7%（摩尔分数），超过此极限，则Fe以第二相（ZnFe2O）形式出现。掺杂后的T-ZnO出现明显的绿光发光特征，其发光强度随掺杂浓度增加先降低后增加。分析认为，绿光的发光机理是电子由VO到VZn跃迁引起的。

新型稀土磁致伸缩材料Tb0．27Dy0.73Fe1．95的各向异性参数研究870-873

摘要：全面测量了〈110〉轴向取向的Tb0.27Dy0.73Fe1.95（商品名为TDT-110）超磁致伸缩材料的各向异性常数。利用超声波穿透法测量在零磁场下的各向异性弹性常数Cij，用振动样品磁强计测量了该材料的各向异性磁导率μ11和μ33。用磁致伸缩测量仪测量了该材料的各向异性微分磁致伸缩应变常数d。

厘米波／毫米波兼容隐身湿纺织物研究874-876

摘要：以仿抄纸装置和湿法纺织工艺。制备厘米波／毫米波兼容隐身湿纺织物。采用弓形反射衰减测试系统，研究了隐身湿纺织物在8～12GHz和30～40GHz频段的吸波性能。结果表明，织物中吸收剂含量优化匹配和适宜的织物叠合厚度，显著影响着湿纺织物的隐身性能。

富铁空心微珠电磁特性研究877-879

摘要：对富铁空心微珠的电磁特性进行了研究。富铁空心微珠的粒径、磁选分级性能与材料的电磁参数密切相关，铁氧化物的富集使富铁空心微珠与空心玻璃微珠的电磁参数不同，进而使其具有吸波性能。实验结果表明，60%（体积分数）的富铁空心微珠的吸波性能，在2～18GHz测试频率范围内〉5dB的有效频带宽度达到6．6GHz。

Ag含量对NiFe2O4基金属陶瓷惰性阳极性能的影响880-882

摘要：为了提高NiFe2O4陶瓷阳极材料的力学性能和抗热震性，向原料中加入金属Ag，采用粉末冶金法制备了Ag／NiFe2O4金属陶瓷惰性阳极。研究了Ag含量对材料微观结构、抗弯强度以及抗热震性的影响。研究结果表明随着Ag含量的增加，惰性阳极材料的晶粒尺寸逐渐减小，说明Ag能够有效抑制陶瓷基体晶粒的长大。而且随着Ag含量的增加，材料的结构越来越致密，说明Ag在一定程度上能够促进烧结。对材料的力学性能和抗热震性测试结果发现，Ag能提高材料的强度，随着Ag含量的增加，材料的抗弯强度逐渐增大，抗热震性在银含量为10％处达到最大值。

掺石墨和羰基铁涂料的低频电磁屏蔽性能研究883-885

摘要：以石墨和羰基铁作为电磁屏蔽涂料的功能材料，替代一部分涂料填料，并调节各功能材料的含量，使涂料具有对电磁波的屏蔽和吸收功能。通过对不同样品的电磁屏蔽传输系数曲线和最大电磁屏蔽效能的对比，分析了石墨和羰基铁的含量对涂料低频电磁屏蔽效能的影响。并通过涂层表面微观形貌的分析，进一步探讨了涂层表面结构对电磁屏蔽性能的影响机理，为设计高性能低频电磁屏蔽涂料提供参考依据。在1MHz～1．8GHz低频区域，涂料最大电磁屏蔽效能达到了6．029dB。

高性能无铅压电陶瓷（Bi0.5Na0.5）0.94Ba0.06TiO3的制备与性能886-888

摘要：采用企业的电子陶瓷工艺制备了（Bi0.5Na0.5）0.04Ba0.06TiO3（BNTBT-6）无铅压电陶瓷，研究了制备工艺对BNTBT-6陶瓷的晶相、微观结构与介电压电性能的影响。研究结果表明，烧结方式会对BNTBT-6陶瓷的晶相和性能产生一定的影响。电学性能研究结果表明，湿磨盖烧BNTBT-6陶瓷样品的压电性能优良，室温下陶瓷样品的压电常数d33达到195pC／N，机电耦合系数kp为35％，机械质量因子Qm达到130，介电损耗tgδ为0．025。

EBPVD制备ODS Ni基高温合金抗氧化性能研究889-892

摘要：采用电子束物理气相沉积技术制备了微晶氧化物弥散增强Ni基高温合金，并研究了该合金的高温氧化行为。通过最小二乘拟合得到的合金氧化动力学模型近似遵循4次方规律，并在高温氧化过程中，合金能够生成单一的Al2O3氧化膜，而且氧化膜的粘附性好，不易脱落。稀土氧化物的添加可明显地改善合金的抗高温氧化性能，提高氧化膜的粘附性。

细晶粒BaTiO3陶瓷电阻率的尺寸效应893-895

摘要：在不同的测试电压条件下，对不同晶粒尺寸的BaTiO3陶瓷室温下的电阻率进行了测量；结合室温下的复阻抗谱，采用简化的等效电路模型和净极化电流的理论，分析了高、低频率下晶粒和晶界对瓷体电阻的影响。

熔融盐法合成锂离子电池正极材料LiNiO2的研究896-897

摘要：在空气气氛中，采用熔融盐法制备出了锂离子电池正极材料LiNiO3。差热-热重曲线分析表明：629℃就已经反应完全。XRD分析表明：700℃反应26h制得的LiNiO2具有最完整的层状结构。电性能测试表明所得正极材料放电比容量较好。

基于沉淀转化法制备的纳米NiO混合电容器研究898-901

摘要：运用沉淀转化法制备Ni（OH）2超微粉末，并通过热处理得到纳米NiO。利用TG、XRD、TEM、N2吸附，循环伏安和恒流充放电测试对样品进行了分析和表征。结果表明，实验制备的Nio粒径为10nm左右，比表面积达到186．3m^2/g，并具有合适的孔径分布，NiO赝电客器的工作电压为0．35V，在电流密度为60mA／g时，其比容达到243F／g。以NiO和中孔活性炭分别作为正极和负极材料组装成NiO-AC混合电容器，混合电容器的工作电压达到1．5V，其能量密度为Nio赝电容器的17．2倍，并具有更好的功率特性。

厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响902-904

摘要：通过对厚膜电阻导电相、玻璃相的粒径控制、粒径比搭配以及在导电相、玻璃相中掺杂，研制成一种厚膜力敏电阻浆料，其应变系数GF可达15～17、工作温度可达150℃。介绍了厚膜力敏应变系数的测量方法，研究了厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响，探讨了提高应变系数的技术途径，同时，对其导电机理作了简要的阐述。

多元氮化物薄膜及其沉积工艺对NiTi记忆合金性能和组织的影响905-908

摘要：采用真空阴极电弧沉积技术，在NiTi记忆合金表面沉积了TiAlBN和TiAlCrFeSiBN多元膜和TiN薄膜，研究了薄膜成份及沉积工艺对NiTi合金性能和组织的影响。结果表明，在NiTi合金表面沉积TiAlBN和TiAICrFeSiBN多元膜和TiN薄膜均可降低合金在Hank溶液中的Ni溶出速率。其中多元膜的Ni溶出速率最小；提高偏压对沉积了TiAlBN多元膜的NiTi合金的Ni溶出速率无明显影响，但使沉积了TiAlCrFeSiBN膜的NiTi合金的Ni溶出速率降低。在TiAlBN和TiAlCrFeSiBN多元膜表面存在较多细小的钛滴和孔隙，钛滴与薄膜基体之间的融合良好；在TiN薄膜表面存在一些大钛滴和孔隙，钛滴与薄膜基体之间的融合不好。镀膜后，NiTi基体的加热相变点移向低温区，其幅度与薄膜成份及沉积工艺有关，提高偏压使沉积了两种多元膜的NiTi基体的相变点移动幅度增大，但却使沉积了TiN膜的NiTi基体的相变点的移动幅度减小。镀膜过程均使NiTi中的M体尺寸增大。