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摘要:脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)是20世纪80年展起来的一种全新的制备薄膜技术,具有沉积速率高,再现性能好等优点。近年来,利用PLD技术在全固态薄膜锂电池的研究中取得许多有意义的结果。一系列新型、高质量的电池薄膜材料被成功制备;原位组装的薄膜锂电池表现出良好的电化学性能。本文简要介绍了PLD技术的原理和特点;重点评述PLD在全固态薄膜锂电池阴极薄膜、阳极薄膜和电解质薄膜制备中的应用状况。
摘要:炭材料具有高热导率、低密度、优异的机械性能,是近年来最具发展前景的一类散热材料。本文结合炭材料结构和传导机理主要介绍目前国内外在提高炭材料热导率方面的研究工作及发展趋势。
摘要:综述了新型功能材料六铝酸盐复合氧化物的制备方法、晶体结构及应用研究进展。
摘要:金属硝酸盐中加入适量的添加剂均匀混合后,利用黑索金炸药(RDX)爆轰合成铝酸锶铕(SrAl2O4:Eu^2+、Dy^2+)长余辉发光材料的实验研究。通过X射线粉晶衍射仪(XRD)和TEM对爆轰灰及高温处理后的爆轰灰进行测试分析。研究表明:合成出的爆轰灰中含有SrAl2O4相,在空气中经过600℃,1h处理后,合成的SrAl2O4与标准卡JCPDS(No.34-0379)基本一致。粒度主要分布在20~60nm之间,平均粒径约为35nm。经紫外灯照射后,爆轰灰及处理的爆轰灰都能发出浅绿色余辉。
摘要:以CaSiO2-B2O2系化合物为研究对象、Mn作为发光中心,探索了其作为高亮度发光材料的可能性。用高温固相法于1150℃、3h、N2气氛下合成了CaSiO3:0.066Mn,0.008Pb-B2O3系列单相粉末样品并研究了其发光特性。结果表明,当B/(B+Si)质量比≤0.3时样品为β-CaSiO3单相,随着B2O3含量的变化,没有观察到X射线位置的明显变化,这说明B的固容量有限。当B/(B+Si)质量比〉〉0.3时发现有杂质相。在254nm激发下,观察到最大强度位于617nm的红色发射峰且B/(B+Si)质量比=0.3时达到最大。147nm真空紫外激发下的发射峰和紫外激发下的一致,发射强度也在B/(B+si)质量比=0.3时达到最大;617nm监控下的VUV激发光谱由峰值位于185和253nm的两个激发带构成,分别归属于基质吸收和激活离子激发。
摘要:用ZnTe/ZnTe:Cu复合层作为背接触层,能很好的解决CdTe太阳电池的欧姆接触问题。以前的研究表明,ZnTe:Cu因掺铜浓度的不同,显示出不同的电导率温度关系。本文仔细观察了各种掺杂浓度ZnTe:Cu的电导率温度关系,并由此来选定掺铜浓度。实验还表明,对一个确定掺铜浓度的ZnTe/ZnTe:Cu复合层,其退火温度对CdTe太阳电池的性能影响很大。为此,本文发展了通过测试ZnTe/ZnTe:Cu复合层的电导温度关系,来确定退火温度的方法。目前,用ZnTe/ZnTe:Cu复合层作背接触材料,获得了转换效率为7.03%的中面积碲化镉薄膜电池集成组件.
摘要:提出了可以在0.5~5GHZ频带扫频测量磁性薄膜复磁导率μr的微带线法,推导出了由倒置短路微带线单端口网络的反射系数R(S11)表示μr的理论公式。对微带线夹具进行了设计,并结合虚拟仪器技术,以LabVIEW为软件平台建立了一套测量薄膜微波复磁导率的自动测量系统。给出了FeCo基磁性纳米颗粒膜的磁导率测试曲线,表明微带法具有准确性较高、既适宜于面内各向异性薄膜又适合于各向同性薄膜的测量和容易操作等优点。
摘要:采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,并在1~40MHz范围内研究了它的巨磁阻抗效应。纵向巨磁阻抗效应先随着外加磁场的增大而迅速增加,在某一磁场下达到最大值后随磁场的增加而逐渐减小。在频率为5MHz时,Hext为0.8kA/m时巨磁阻抗效应最大值达到32.06%。另外,夹心结构多层膜表现出较大的负巨磁阻抗效应,在频率5MHz,Hext=9.6kA/m时,负最大巨磁阻抗效应可达-24.50%。
摘要:对二氧化锰的电磁性能和石英/二氧化锰复合材料的吸波性能进行了实验研究。发现二氧化锰具有较好的吸波性能,随着二氧化锰含量的增加,复合材料的吸波性能逐渐增加,并且吸收峰值向低频端漂移。在石英/碳黑复合材料中加入二氧化锰可以大大提高材料的吸波性能。对二氧化锰进行电磁参数测试和TEM电镜分析的结果表明,二氧化锰属于介电损耗介质,其具有的块状和条状结构有利于对电磁波的多次散射和吸收。
摘要:针对2:17型Sm-Co整体辐向永磁环在烧结过程中出现的问题进行了研究,并通过SEM、EDS等分析了真空预烧和烧结温度对磁体性能的影响原因。结果表明:调整合适的烧结工艺过程能有效地减少永磁环的开裂和变形;在1190℃进行真空预烧,明显改善了永磁体的性能,预烧时间在20min时,磁性能最好。烧结温度对永磁体性能有着非常重要的影响,合适的烧结温度为1220℃,烧结时间为70min。永磁体的磁性能:Br=1.08T,Hcj〉2100kA/m,(BH)max=212kJ/m^3。
摘要:采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)衬底上制备了双层结构的FePt-X/Ag(X-Ag或Pt)薄膜。以20nm厚的Ag做衬底,可以制备出易磁化轴垂直基片的FePt合金薄膜;Ag在FePt薄膜中优先团聚,不利于控制FePt晶粒的长大,调整Pt的含量可以控制热处理过程中FePt薄膜的晶粒尺度;通过XRD、TEM、VSM对薄膜样品的结构、晶粒尺寸的观察和磁性检测,我们认为FePt合金薄膜有序化转变的最佳热处理温度在400℃;经过500℃热处理,薄膜软硬磁耦合较好,晶粒尺寸约为100nm,有最大的矫顽力1.04×10^6A/m。
摘要:经压力膨化处理后,以正逆压电系数d33测量研究了一种经无栅电晕充电的国产商用聚丙烯蜂窝膜(cellular PP,商品名PQ50)驻极体的压电性。经过优化工艺参数压力膨化处理后的PQ50蜂窝膜呈现600pC/N以上的准静态压电系数.这一量值约为PVDF相关系数的40倍。而通过将单层PQ50蜂窝膜驻极体粘贴形成合理的多层结构,得到的复合膜乐压电系数d33高这2010pC/N,约为PZT压电陶瓷相应系数的3倍。从而为拓宽这类新一代的非极性孔洞聚合物压电功能膜应用领域.推动其应用进程提供了一定的理论和技术依据。
摘要:用改进的sol-gel工艺制备了细晶钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷块体,研究了BST陶瓷的结晶与介电性能。在这种改进sol-gel的工艺中,用传统的固相反应煅烧形成BST粉体,经高能球磨制备BST纳米陶瓷粉体,再将一定质量的纳米粉体加入到相同化学组成的BST的溶胶液中,经普球球磨12h后,制备成悬浮性好,分散均匀的浆料。浆料可用来制备BST陶瓷,并在1200℃保温2h烧结成瓷,结果显示,BST陶瓷块体结构致密,晶粒尺寸在0.15~2μm之间。分析了样品的介电性能和晶粒尺寸对材料介电性能的影响。介电温谱显示,在0℃,100kHZ时,相对介电常数为2500,介电损耗为0.02;并且存在明显的弥散相变。
摘要:将经过48℃×2h时效处理和社拔成型制得的Cu-0.40Cr-0.10Zr合金线材在自制电磨损试验机上进行电滑动磨损卖验,并运用扫描电子显微镜、能谱分析等方法对Cu-Cr-Zr合仝滑动磨损表面形貌厦电磨损机理进行了观察和分析。结果表明,在不加载电流的情况下Cu-Cr-Zr合金的滑动磨损机制为粘着磨损和磨粒磨损;在栽流条件下的磨损机制为粘着磨损、磨牡磨损以度电烧蚀磨损,并且随着电流强度的增大,粘着磨损和电烧蚀磨损的程度也越严重。
摘要:为了提高镍铁尖晶石基金属陶瓷惰性阳极的性能,以NiO、Fe2O3、Ag粉和微量V2O5为原料,采用粉末冶金法制备了含有过量15%NiO,掺杂V2O5的镍铁尖晶石金属陶瓷惰性阳极。原料经混合,在成型后,于1200℃烧结6h。研究了添加剂V2O5对NiFe2O4尖晶石试样的密度、微观形貌、腐蚀率的影响。结果表明:只有添加剂V2O5的添加量〉1.0%时才对提高惰性阳极试样密度有贡献,但贡献很小,而且晶粒明显粗大化。但添加V2O5使晶粒发育完全,呈规则的八面体形状。另外在烧结中V2O5与NiO、Fe2O3反应生成的Ni2FeVO6能够改善试样在冰晶石融盐中的抗腐蚀性能。腐蚀8h后,添加1.5%V2O5的试样基本完好,腐蚀率降为无添加剂试样的1/4。
摘要:首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O:Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10^-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2.1×10^19cm^-3,8cm^2·V^-1·s^-1。薄膜的可见光平均透过率达到了92.4%。薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性,对玻璃衬底有良好的附着性。
摘要:Na1+3x+yAlxNdyTi2-x-ySi2xP3-2xO12钠快离子导体(以下简称Al-Nd-Nasicon)可以用精选的天然叶腊石Al2[Si4O10](OH)2为起始原料与其它化合物,经过高温(900~1100℃)固相反应约15h制得。在y=0.3,x≤0.3和Y=0.5,x≤0.2的组成范围内可得到具有Nasicon的三方结构空间群属于R3C的固溶体。该相具有较高的电导率,其中起始组成y=0.3,x=0.1的合成物在350℃时电导率为1.80×10^-2S/cm。
摘要:采用粉末冶金方法耕备碳纳米管银石墨复合材料,研究圆周速度对复合材料接触电压降的影响。结果表明.当压力一定时,随着西周速度的增大.复合材料的接触电压降略有增加,而圆周速度增大到一定值后,接触电压降惠剧增加并伴有火花磨拐出现。压力较小时(1N/cm^2)圆周速度为7.5m/s时就出现电火花,压力较大时(2.5N/cm^2)圆周速度为15m/s出现电火花。在圃周速度不变时条件下,接触电压肇先升后降最后趋于稳定。