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功能材料 2005年第11期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

自组装制备有机／无机层状复合材料1645-1650

摘要：自然界中形成的生物材料在结构和性能上具有优异的配备性.模仿生物矿化的形成机制,利用自组装原理能够仿生合成出性能优良和具有多级结构特点的有机/无机界面层状复合材料.本文在总结近年来最新研究的成果上,简要介绍了自组装和生物矿化的机理,重点阐述了基于无机相层的自组装和以有机大分子为模板自组装制备有机/无机层状复合材料两种合成途径,并对未来的发展趋势做了展望.

纳米氧化镁及其复合材料的抗菌性能研究1651-1654

摘要：参考最近有关文献,认为抗菌材料已经成为传统材料与环境一体化的方向,作为新型陶瓷抗菌剂的纳米MgO系材料与其它抗菌剂相比,表现出独特的抗菌性和广泛的应用背景,对其研究已成为国外研究的新热点.本文总结了纳米MgO粉体的制备方法,分析了其抗菌机理,概述了其最新研究进展和复合制备技术,最后指出了存在的问题和研究方向.

水辅助生长准一维氧化物纳米材料的研究进展1655-1658

摘要：准一维纳米材料的研究是近十年来纳米材料研究领域的前沿和热点,吸引了物理、化学、材料、生物和信息等诸多领域的科研人员以及工业界的众多有识之士的强烈关注.本文论述了水辅助生长制备准一维氧化物纳米材料的原理,着重介绍了这一方法在准一维氧化物纳米材料的制备中的应用,并对其前景作了简要的展望.

三芳胺类空穴传输材料研究新进展1659-1663

摘要：综述了广泛应用于有机光电器件的三芳胺类空穴传输材料的研究新进展,探讨了该类材料的分子设计思想,并对其分子结构与性能关系作了概述.

功能材料杂志研究与开发

基于季戊四醇的二代硅碳烷液晶树状物——端基含36个丁氧基偶氮苯基团1664-1666

摘要：以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-丁氧基-4'-羟己氧基偶氮苯(M-C4)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个丁氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-C4.利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元素分析(EA)、偏光显微镜(POM)和差示扫描量热法(DSC)进行了表征.PCSi-2G-C4与M-C4同为向列相,说明树状物相态由介晶基元相态决定.PCSi-2G-C4的熔点比M-C4降低13℃,清亮点比M-C4降低15℃.

超微发光粉体LaPO4：Eu的制备及表征1667-1669

摘要：采用草酸盐沉淀法制备超微发光粉体La-PO4:Eu.用X射线衍射(XRD)、粒度分布进行了表征,并对发光性能进行了研究.实验结果表明,合成的超微发光粉体LaPO4:Eu在1000℃高温焙烧后粒径大约为200nm左右.从发射光谱中可以看出,合成的超微发光粉体LaPO4:Eu有明亮的红光发射.

TiOPc／TiO2／AZO三元复合体系光导性能的研究1670-1672

摘要：研究了w(TiOPc)=85%、90%、95%时TiOPc/TiO2/AZO三元复合体系的光电导性.研究发现TiO2掺杂对有机光导材料有增感作用.在以TiOPc为主的有机光导材料中掺杂适量的TiO2可以改善光导体的光电导性.在TiOPc/TiO2/AZO三元复合体系中,当m(TiOPc):m(TiO2):m(AZO)=90:4:6时,三元复合体系的光电导性最好,Vr=16V,Rd=14V/s,E1/2=0.64 1x·s.

离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究1673-1675

摘要：利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.

CdSe半导体纳米团簇在Y型沸石中的制备及其研究1676-1678

摘要：利用沸石分子筛中规则的孔洞,制备了CdSe半导体纳米团簇样品.正电子湮没寿命谱及高分辨透射电子显微镜表明CdSe团簇生长在沸石的笼内以及沸石的表面,随着CdSe在沸石分子筛中质量比的增加,CdSe更多的聚集在沸石的表面.

Nd2AlFe12Mn4化合物的本征磁致伸缩1679-1681

摘要：通过X射线衍射及磁测量手段研究了Nd2AlFe12Mn4化合物的热膨胀性质及本征磁致伸缩性质.研究结果表明Nd2AlFe12Mn4化合物在103～654K的温度范围内具有菱方相的Th2Zn17型结构.在183～244K的温度范围内具有负热膨胀性质,其平均热膨胀系数α=-9.01×10-5/K.对本征磁致伸缩的研究结果表明Nd2AlFe12Mn4化合物中存在着较强的各向异性的本征磁致伸缩,103K时其本征体磁致伸缩约为9.3×10-3.磁测量研究结果表明Nd2AlFe12Mn4化合物的居里温度约为210K,比其母合金Nd2AlFe16低约260K,分析认为这是3d次晶格中Mn磁矩与Fe磁矩反铁磁耦合的结果.

Fe60Co8Zr10Mo5W2B15块体非晶合金的形成及热处理对性能的影响研究1682-1684

摘要：用铜模吸铸法获得直径为2mm的Fe60Co8Zr10Mo5W2B15和Fe60Co8Zr8Mo5W2Nb2B1 5块体非晶合金.采用X射线衍射(XRD)、示差扫描量热分析(DSC)、显微硬度及压缩实验等研究了非晶合金的结构、热稳定性及热处理前后的显微硬度与压缩性能.结果表明Nb的引入不利于非晶合金的形成;Fe60Co8 Zr10Mo5 W2B15非晶合金的显微硬度为1343HV0.2,抗压强度σbc为972.6MPa;在低于晶化起始温度的热处理,硬度稍有下降;但在高于晶化峰值温度的热处理,硬度值随时间变化先升高,后下降;在热处理时间相同的条件下,随着热处理温度的升高,合金的硬度升高,但压缩强度会明显下降.

碳毡电路模拟吸波复合材料的研究1685-1688

摘要：分别研究了含矩形碳毡电路屏和'十'字形碳毡电路屏吸波复合材料的微波吸收特性,并对碳毡电路屏的吸波机理做了初步的探讨.结果表明,碳毡电路模拟吸波材料的吸波性能与电路屏阵列单元的结构和尺寸密切相关.矩形电路屏阵列单元中矩形缝隙的长或宽增大,材料的吸波性能提高;矩形缝隙之间的距离增加,材料的吸波性能降低.本实验条件下当矩形缝隙的长、宽和间距分别为24、12和6mm时,材料可获得8.56GHz的有效带宽和-25dB的最大反射衰减.'十'字形电路屏阵列单元中'十'字形缝隙的臂长或臂宽增大,材料的吸波性能提高;'十'字形缝隙之间的距离增加,材料的吸波性能降低.'十'字形缝隙的臂长、臂宽和'十'字形缝隙之间的距离分别为16、8和6mm时,材料的有效带宽7.2GHz,最大反射衰减-26.2dB.

微量碳纤维／树脂复合吸波材料的研究1689-1692

摘要：分别研究了平行和正交排布碳纤维复合材料的微波吸收特性,并对碳纤维的吸波机理和吸波性能的影响因素(纤维间距、支数)作了初步探讨.结果表明:碳纤维平行排布吸波材料只在入射电场方向与纤维排布方向平行时具有吸波性能;随纤维间距的减小,其反射衰减曲线的最大吸收峰向高频方向移动;纤维支数增大,吸波性能增强.正交排布碳纤维的吸波性能与纤维的间距密切相关.本实验条件下当纤维间距为8mm时,可获得有效带宽4.7GHz、最大吸收峰值-21.6dB的反射衰减.

碳化硅纤维增强磷酸铝基复合材料的制备和性能研究1693-1695

摘要：采用不同的磷酸铝盐基体制备了单向碳化硅纤维增强磷酸铝基复合材料,对其力学性能进行了对比,结果表明:基体对复合材料的力学性能和微观结构有极大的影响,磷酸铝基体随温度的升高脱水、相变残留下一定的气孔,填料的加入可以提高复合材料的整体力学性能;采用磷酸二氢铝基体、α-Al2O3填料制备的复合材料具有最好的性能,其弯曲强度为310MPa、弯曲弹性模量为47GPa,并通过扫描电镜对材料的微观结构形貌进行了分析研究.

羰基铁纤维的磁场诱导制备及其微波电磁特性分析1696-1697

摘要：羰基铁热分解产生的铁原子在外加磁场的作用下形成羰基铁纤维.对羰基化合物气化速率、保护气氛流量、分解温度和外加磁场强度等因素的调控,制备出铁含量在90%～98%可调、直径在亚微米到微米(200nm～10μm)及长径比可控的羰基铁纤维.将羰基铁纤维与石蜡制成同轴样品,采用矢量网络分析仪测量了羰基铁纤维的微波电磁参数.结果发现羰基铁纤维在2～18GHz范围内具有高磁导率、高磁损耗和良好的频响特性.两种羰基铁纤维在2GHz处,磁导率实部为5.2和3.5,虚部为2和1.5,所对应的共振频率分别为3和6GHz.通过对羰基铁纤维中碳含量及长径比的调节,可控制纤维的磁导率和共振频率.

TiO2多孔陶瓷的制备1698-1700

摘要：在水热法成功制备锐钛矿型TiO2的基础上,首次利用高分子悬浮聚合技术,将单一分散性的造孔剂球形聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)(700nm)和TiO2分别制成悬浮液,通过混合、真空抽滤、煅烧的工艺,制备出孔径可控,孔径分布均匀的TiO2多孔陶瓷.烧成后的TiO2多孔陶瓷SEM结果显示其具有孔径分布均匀的结构特点.

（Pb，La）TiO3铁电薄膜微结构与制备工艺研究1701-1703

摘要：采用射频磁控溅射技术在室温淀积、其后在700℃下退火10min,制备了(Pb,La)TiO3(简记为PLT)铁电薄膜.利用XRD研究了薄膜的结晶性;利用XPS研究了薄膜表面的化学成分、组分以及表面原子的化学价态;利用SEM研究了薄膜的断面.薄膜结构分析结果表明,在一定的制备工艺条件下,薄膜制备时间的长短对薄膜结晶性能的影响不大;XPS波谱分析表明,所测得的元素有Pb、La、Ti、O和C,其中C元素是薄膜在制备或测试过程中的污染,薄膜中没有其它杂质元素;由断面的SEM分析可知,在本论文采用的制备工艺条件下,薄膜与基底之间基本上没有互扩散,薄膜与基底的界面比较清楚.

钛酸锶钡薄膜C-V曲线不对称现象研究1704-1705

摘要：采用射频(RF)磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0 6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.通过研究BST薄膜的电容-偏压(C-V)特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极/铁电薄膜界面处产生了过渡层,从而导致C-V曲线不对称.最后我们通过改进溅射工艺对这一机理进行了实验验证.