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功能材料 2005年第08期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

2003～2004年磁性功能材料研究新进展收到修改1139-1141

摘要：本综述论文开始写于1994年，其后每年撰写。今年综述内容包含：（1）铁磁形状记忆智能材料；（2）磁性半导体；（3）NdFeB永磁材料；（4）微波吸收用的磁性材料；（5）磁记录介质材料。

全国态无机薄膜锂电池近期发展动态1142-1145

摘要：微电池在未来的便携式电子设备、国防装备及微电子机械系统（MEMS）等方面有着广泛的应用前景，受到人们的重视。其中全固态薄膜锂电池具有能量密度高、循环性能和安全性能好等优点已经成为目前研究的热点。由于该类电池的制备涉及众多学科，环境要求苛刻，过程复杂，因此对单个电极或电解质薄膜的报道屡见不鲜，而组装成全固态薄膜锂电池的报道却屈指可数。本文对已经组装成并具有电化学充放电性能的全固态薄膜锂电池近期发展动态进行了综述，简要介绍了该类电池的结构和特性，并对今后的研究方向进行了展望。

X射线吸收精细结构谱在材料科学中的应用1146-1150

摘要：简单介绍了X射线吸收精细结构谱的物理基础,数据处理方法,讨论了X射线吸收精细结构谱在元素组成,价态和结构环境方面的分析结果.结果显示,在钠钙硅酸盐平板玻璃中,二价铁离子和三价铁离子同时存在.在Ag-Na离子交换后,二价铁离子被银离子氧化成三价铁离子.当Ti2O3和锐钛矿被分别掺入硼硅酸盐玻璃后,钛离子主要以四价存在,Ti4+离子占据五重配位点.在玻璃中同时掺入锐钛矿和还原剂C,诱导三价钛离子生成,三价钛离子占据八面体配位点,使得Ti K边预边峰高度降低.包裹在钠钙硅酸盐玻璃中的银纳米颗粒界面存在张应力,使得银晶格膨胀,银原子存在两种结构环境:Ag-O配位和Ag-Ag配位.孤立银原子的存在,使得最近邻Ag-Ag 配位数显著降低.

雷达吸波材料的研究进展1151-1154

摘要：根据电磁波在介质中的传播理论,详细地介绍了雷达吸波材料的吸波原理;综述了各种雷达吸波材料的特点、性能、应用现状以及发展趋势;列举了几种新型雷达吸波材料的吸波原理、吸波性能与应用现状;展望了雷达隐身材料的发展趋势.

纳米磁性材料Fe-Co合金制备的研究进展1155-1157

摘要：Fe-Co合金具有优异的磁学性能,已引起人们的广泛关注.本文详细介绍了Fe-Co合金的各种制备方法以及评述不同制备方法、制备条件对Fe-Co合金结构、形态及磁学性能的影响,并展望了今后的研究方向.

基于外场辅助的机械合金化研究1158-1161

摘要：机械合金化(MA)技术作为一种制备纳米材料的有效方法已获得广泛的应用.把机械合金化过程中的磨球机械能与其它物理能有机地结合起来,能够增强对粉末的作用,有效提高机械合金化效率.本文简单回顾了机械合金化的发展,对外加物理场辅助作用下的几种高能球磨工艺进行了详细分析.采用物理能辅助机械球磨,从而使粉末得到复合作用或活性激活,是机械合金化效率提高的原因.

块体Bi2Te3基热电材料性能优化及最新进展1162-1166

摘要：在分析块体Bi2Te3基热电材料性能优化设计思路的基础上,重点探讨了成分优化、结构优化、合成优化及成型优化中提高块体Bi2Te3基热电材料性能的方法.提出了一套值得探讨的优化设计方案,展望了Bi2Te3基热电材料在温差发电和半导体制冷领域颇具潜力的应用前景.

功能材料杂志研究与开发

PMMA光子晶体及PMMA/TiO2光子晶体的制备及表征1167-1169

摘要：用无皂乳液聚合法,制备单分散的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球,并使其在重力和表面张力作用下自组装成PMMA光子晶体.用SEM研究其表面形貌,并对其进行光学性质的研究.此外还制备了PMMA/TiO2光子晶体,用AFM表征了其形貌,XRD表征了混合体系的TiO2的晶型.经光学性质研究表明,TiO2纳米粒子提高了光子晶体的折射率比,光子带隙红移.

氯化铜／活性炭复合电极的制备及性能的研究1170-1172

摘要：以酚醛树脂为活性炭基体,采用化学掺杂法掺杂氯化铜,制备氯化铜/活性炭复合电极材料.通过物理吸附考察了金属氯化铜的存在下不同活化时间对金属复合活性炭孔径分布的影响,实验表明活化时间越长,比表面积越大,中孔含量越高.通过透射电镜和X射线衍射对复合电极的微观结构进行了研究,表明金属铜以纳米级均匀分散在活性炭中.通过比较活性炭电极和复合电极的电化学性能,说明掺杂金属铜可以有效提高比电容,并对充放电机理进行了探讨.

工艺因素对电度表用NiFe磁补偿合金性能影响的研究1173-1174

摘要：从工艺因素的角度出发,分别为冷轧加工度与合金磁性能、热处理类型与磁性能、热处理温度与磁性能设计了实验方法,对各实验结果进行了分析和讨论,实验结果较好地指导了合金的研制和生产,为电度表行业的技术进步作出了一些应有的贡献.

钒硼酸钇铕荧光粉的真空紫外光谱特性研究1175-1177

摘要：采用高温固相法合成了YBxV1-xO4-x:Eu3+荧光粉,利用XRD变温发射光谱以及真空紫外激发的光谱对其进行研究.结果表明,在147nm的真空紫外光激发下,荧光粉的发射主峰位于619nm,与(Y,Gd)BO3:Eu3+相比,色纯度较好,发光亮度达86%,是彩色PDP用红色荧光粉的候选材料.

用人工神经网络研究合金元素对NdFeB永磁体磁性能的影响1178-1181

摘要：为了系统研究合金元素对Nd-Fe-Co-Zr-B系永磁合金磁性能的影响,采用均匀设计方法设计了Nd、Co、Zr和B的4因素6水平U18(64)试验方案,根据试验结果,建立了合金成分与磁性能之间的人工神经网络(ANN)预测模型.利用该预测模型获得的成分-性能的二维曲线、三维曲面及等高线图,研究了单个合金元素以及多元素间的交互作用对NdFeB磁体磁性能的影响规律.结果表明:预测结果与实测结果吻合良好,预测精度高;Nd、Zr为提高矫顽力Hcj而降低剩磁Br的元素;Co、B则对提高Br有利而对提高Hcj不利;合金元素对Hcj与Br的影响呈相反的趋势;元素间交互作用对磁性能影响显著.

卷绕式活性炭纤维布超级电容器的研究1182-1184

摘要：以活性炭纤维布(activated carbon fibre cloth, ACFC)为电极材料,以1mol/L的Et4NBF4/PC为电解液,制备卷绕式ACFC超级电容器.利用BET测试ACFC的孔隙性,利用恒流充放电测试和漏电流测试对ACFC超级电容器的性能进行表征.结果表明,基于ACFC的超级电容器达到80F/g的比容,能量密度达到20.2Wh/kg,功率特性好、漏电流小,具有很好的产业化前景.

退火温度对Gd2（Co3A1）17合金相组成和热磁特性的影响1185-1188

摘要：用X射线衍射、金相观察、电子探针、透射电镜和磁性测量研究了Gd2Co17-χAlχ（χ≤5）合金的微结构、相组成、相成分和热磁特性。结果表明，在1173和1323K退火的χ≤3的样品和在1323K退火的χ=4的样品近似为单相，2：17主相仅含Gd、Co、Al 3种元素，具有菱方Th2Zn17型结构，少量ζ杂质相是富Gd氧化物、富Co相或ζ-CoAl相；在1173K退火的χ=4的样品含有较多的第二相，它是具有六方CaCu5型结构的1：5相；χ=5的退火样品是三相，主相是1：5相，第二相和第三相分别是2：17相和具有CsCl结构的ζ-CoAl相，提高退火温度，样品的2：17相含量增多，1：5相相应减少；在室温以下，样品（χ≤4）的自发磁化强度随温度降低而减小，在74和65K附近，χ=4的两相样品和单相样品的自发磁化强度M0先后降为零，但χ=5的样品磁距随温度降低而增大。

Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究1189-1191

摘要：采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能.讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降.通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流.对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃.利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响.

磁流变体材料稳定性和润滑性能研究1192-1195

摘要：通过触变剂与表面活性剂复合使用,同时对磁性悬浮相表面进行适当的处理,并加入适当的固体润滑剂合成了一种稳定性和润滑性能良好的磁流变体材料,该磁流变体材料性能为:η0≤1000mPa·s,τ0.5T≥60kPa,半个月内无明显沉降,无板结,'四球机法'测量其润滑性能为磨斑直径＜2.75mm,该类型磁流变液用于磁流变阻尼器200万次振动试验取得了理想的试验效果.

Ge2Sb2Te5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性1196-1199

摘要：对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能.研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系.

3C-SiC短程结构的分子动力学模拟1200-1203

摘要：采用Tersoff势对晶态3C-SiC结构进行了NEV系综的分子动力学模拟,在合适的步数和步长下选用蛙跳法计算该体系的温度、径向分布函数和键角分布,模拟结果表明常温下3C-SiC晶体保持着长程有序闪锌矿结构.蛙跳法适用于NEV线性系综的计算模拟,而不适用于NTV等非线性系综的恒温分子动力学模拟.最后分析模拟过程中的'四位数灾难'是由积分误差累积所致.