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功能材料 2005年第04期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

纳米多孔薄膜孔结构的非破坏性表征481-486

摘要：对纳米多孔低介电常数薄膜孔洞率、孔径、孔径分布和孔洞连通性等孔结构的表征有助于理解薄膜的结构和提高其性能.近年来开展了利用与特殊X射线反射联用的小角中子散射、小角X射线散射、椭偏测孔仪、正电子湮没谱和表面声波谱等非破坏性方法表征多孔低介电常数薄膜孔结构的研究.介绍了这些方法的基本原理,综述了利用这些方法研究低介电常数介质薄膜及其集成工艺的进展,总结了这些方法表征多孔薄膜孔结构的特征.

多孔氧化铝膜的制备与形成机理的研究概况487-489

摘要：直流恒压条件下,酸性溶液中铝的阳极氧化会形成多孔阳极氧化铝(AAO).其孔径为纳米级且分布均匀,纵横比大,是合成一维纳米材料的理想模板.本文综述了AAO的结构模型、制备方法、形成机理及其应用热点.

电子焊料的无铅化及可靠性问题490-494

摘要：随着环境保护意识的增强,人们更清楚意识到铅的剧毒性给人类健康、生活环境带来的严重危害,全球范围已相继立法规定了使用含铅电子焊料的最后期限,无铅封装,无铅焊料成为了近年来的研究热点问题.本文主要叙述了研究无铅焊料的驱动力,以及无铅焊料须满足的基本要求、常用无铅焊料的优缺点和改进方法,同时介绍了无铅化焊接由于焊料的差异和工艺参数的调整,给焊点可靠性带来的相关问题.

介孔材料分形表征的研究进展495-498

摘要：分形是材料表征中一种新兴的方法.本文介绍了介孔材料的基本特性和表征方法;阐述了分形理论的发展、分形维数的计算测定与分形在介孔材料表征中的应用,分析了介孔材料的分形模型,指出分形在介孔材料表征中的发展前景.

糠醛系功能高分子材料的研究进展499-502

摘要：论述了可再生资源糠醛及其衍生物的聚合反应、聚合物的结构以及用作光电转换、光热转换、离子交换树脂、螯合树脂等功能高分子材料的发展及应用概况,并展望了糠醛系功能高分子材料开发前景.

蛋壳研究的现状与进展503-506

摘要：介绍了各种蛋壳结构的各项研究进展,总结了多孔质蛋壳的结构特点.讨论了蛋壳的呼吸机理,论证了氧气等气体在蛋壳内外的浓度差是此种呼吸系统的动力来源,扩散作用是其主要因素.

功能材料杂志研究与开发

磁流体在交变磁场中的热效应研究507-508

摘要：制备了平均粒径分别为4、6和8nm的Fe3O4粒子,将其分散在不同的介质中,在63kHz、7kA/m的交变磁场中研究其热效应.实验结果显示,粒径较大的Fe3O4粒子具有较高的产热比功率(SAR),Fe3O4粒子经过表面处理后SAR显著增加,而且SAR随表面活性剂不同而不同,还显示SAR与磁场强度的平方成正比.

层状复合材料磁电效应的数值分析509-512

摘要：压电与压磁(或磁致伸缩)层合板具有大的乘积效应-磁电效应.本文采用有限元分析方法对压电/压磁层合板的磁电转换进行了计算,结果表明:外磁场方向对磁电转换效应有很大的影响,在层合板上下两面增加约束可以大大提高层合板的磁电转化效应;感生电压值随压磁/压电板厚比的增加而增加,而整个层合板的电场强度值在板厚比为1时达到最大.

快淬低纯Gd5Si2Ge2合金的结构和磁熵变513-515

摘要：采用纯度为99%的低纯稀土金属Gd经电弧炉熔炼获得Gd5Si2Ge2母合金,然后通过快淬研究快淬工艺对低纯Gd5Si2Ge2合金结构与磁熵变的影响.粉末衍射结构分析表明,铸态Gd5Si2Ge2合金由Gd5Si2Ge2相、Gd5(Si、Ge)3相和Gd(Si、Ge)相所组成;而甩带速度为25、40m/s的合金均为Gd5Si4型正交相.用最小二乘法计算得两种不同快淬速度合金的晶格常数没有明显差异.甩带速度为40m/s的Gd5Si2Ge2合金的居里温度(Tc＝305K)在室温区间,等温磁熵变为7.25J/kg·K(0～5T).

热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB／Cu／FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响516-518

摘要：采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应.薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A型阻抗分析仪在200kHz～10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应.结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应.在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低.与FeCoSiB单层膜相比,FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应较大.10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%.当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低.

镍／碳复合纳米粒子的制备及电磁性能研究519-521

摘要：用直流电弧等离子体法分别在甲烷和 (H2+Ar)气氛下制备了纳米镍粒子,利用XPS和TEM等分析手段对两种纳米镍粒子的表层特征和形貌进行了分析,发现甲烷气氛下制备的纳米镍粒子表面包覆了多层碳膜,H2+Ar气氛下制备的纳米镍粒子由于要进行钝化处理表面包覆有氧化物膜(Ni2O3).测定了两种纳米粉体的复介电常数和复磁导率以及以此为填料制备的导电涂料的导电率,证明了碳包覆纳米镍粒子的2～18GHz频率范围内电磁参数大小搭配及频响特性优于氧化物包覆纳米粒子.

基于BP神经网络对CuNiSiCr合金时效后性能预测522-524

摘要：采用改进的BP网络算法--Levenberg-Marquardt算法,建立了固溶态Cu-Ni-Si-Cr合金的时效温度和时间参数关于时效后性能的非线性映射模型.结果表明所建立的BP神经网络模型可对Cu-Ni-Si-Cr合金时效后的性能进行有效的预测和分析.

超轻Mg—Li—Al系变形镁合金冷轧及热处理后的组织和性能525-528

摘要：研究了超轻变形镁合金Mg-(5%～22%)Li-2%Al冷轧性能,热处理特性以及机械性能.合金的密度为1.206～1.642g/cm3.在室温条件下β相合金(16%和22%(质量分数)Li)具有非常良好的延展性,压下极限可达到90%以上.研究了Mg-Li-Al系变形镁合金铸锭经不同温度、时间均匀化退火后的组织性能.对均匀化后的合金锭进行了冷轧,轧后板材在不同温度下进行了退火,研究其再结晶行为及组织性能.结果表明, Mg-9Li-2Al-2Ca合金在573K温度均匀化退火12h后合金铸锭组织均匀,有利于冷轧开坯变形;而对于Mg-9Li-2Al合金,523K温度均匀化退火24h后组织较好.冷轧合金板材在573K温度退火1h可发生完全再结晶,生成细小均匀的等轴晶组织.

热挤压铸态ZA27合金阻尼性能研究529-531

摘要：对铸态ZA27合金在250℃进行了挤压比为7的热挤压,利用多功能内耗仪测试合金的阻尼.结果表明,挤压ZA27合金的阻尼随着温度升高而升高,随频率增大而减小,与应变振幅无关.挤压可提高合金阻尼,温度越高,提高幅度越明显.如25℃时挤压可使合金阻尼提高17%,而145℃时则提高了44%.热挤压使ZA27合金晶粒细化,位错增多,从而提高了合金阻尼.

La-Mg—Ni基（PuNi3型）贮氢合金的微观结构与电化学性能532-535

摘要：用铸造及快淬工艺制备了La-Mg-Ni系(PuNi3型)贮氢合金La2Mg(Ni0.85Co0.15)9Bx(x=0、0.1、0.2),分析测试了铸态及快淬态合金的微观结构与电化学性能,研究了硼及快淬工艺对合金微观结构及电化学性能的影响.结果表明,铸态合金具有多相结构,主相包括 (La, Mg)Ni3相和LiNi5相,残余相为一定量的LaNi2相和微量的Ni2B相,经快淬处理后Ni2B相消失,并且其它相的相对量随淬速的变化而变化.硼的加入提高了铸态及快淬态合金的循环稳定性,但使合金的容量下降.不含硼合金的容量随淬速的增加而单调减小,含硼合金的容量随淬速变化有一个极大值.合金的循环寿命随淬速的增加而增加,铸态及快淬态合金均有优良的活化性能.

胞状铝（合金）的准静态压缩性能536-538

摘要：测量了新型轻质(0.14ρ0～0.09ρ0,ρ0为纯铝的密度)高强度胞状铝合金(ZL111)和胞状纯铝的压缩应力(σ)-应变(ε)曲线.胞状铝合金的压缩屈服强度σs 比胞状纯铝高40%以上,其σ-ε曲线呈锯齿状,平台斜度((dσ)/(dε))比后者小.提出了确定泡沫金属材料致密化起始点εD的方法,为实际应用和科学研究提供了依据.

Zr3V3O合金的贮氘性能研究539-542

摘要：在低压下研究了η相Zr3V3O合金的真空除气规律,测定了Zr3V3O合金在不同条件下的初始吸氘曲线和饱和吸氘量,并分析了氘对该合金的物相影响.为深入了解该类含氧稳定η相贮氢材料的贮氘性能提供了依据,同时也为该类材料的应用研究提供了依据.

磁控溅射Ni—Mn—Ga磁驱动记忆薄膜的组织结构与成分研究543-545

摘要：利用射频磁控溅射技术成功地在Si衬底上沉积Ni-Mn-Ga薄膜,并采用XRD、SEM、AFM及 EMPA系统研究Ni-Mn-Ga薄膜的晶体学结构、断面形貌、表面形貌、成分及其影响规律.结果表明,经823K退火1h Ni-Mn-Ga薄膜完全晶化,室温下呈L21型体心立方结构;断面形貌揭示Ni-Mn-Ga薄膜呈柱状结构.Ni-Mn-Ga薄膜的表面粗糙度随溅射功率和溅射时间的增加而增大;Ni-Mn-Ga薄膜中Ga的含量受溅射功率影响较大,Ni的含量受溅射时间影响较大.