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摘要:综述了聚合物基导电复合材料的电阻机械效应(resistance-mechanical effect,RME),列举了RME的各种表现及其可能的内在机制,介绍了改善RME循环稳定性的方法.RME取决于导电填料和基体性质两方面因素,包括填料种类和形态分布、填料体积分数、基体粘弹性、基体与填料的相互作用.其次,应力或应变大小、加载方式和加载速率、加工方法以及环境温度和湿度等也是影响RME的重要因素.对于纤维填充复合体系,影响因素还包括纤维取向与长径比、外力方向等.
摘要:综述了共升华可控掺杂有机半导体薄膜材料的特点、原理、材料体系、制备、光电性能以及表征手段,并简要介绍了其在光电器件中的应用,研究表明共升华可控掺杂是大幅度提高有机半导体材料性能的有效手段,并提出了设计和制备高性能共升华可控掺杂有机半导体薄膜材料的若干原则.
摘要:研究了纯化处理对多壁碳纳米管2~18GHz复介电常数与复磁导率的影响.纯化处理在部分频段降低了复介电常数的实部与虚部,增强了复磁导率的实部,而对复磁导率的虚部几乎没有影响.通过拉曼光谱对不同纯化处理的样品进行了表征,研究发现碳纳米管的晶化程度越好,介电常数降低和磁导率实部增强的幅度越大.
摘要:采用部分过快淬加后续晶化退火工艺,制备出了最佳磁性能的(Nd1-xPrx)10.5(FeCoZr)83.5 B6(x=O、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0)系列粘结磁体,研究了稀土Pr元素对快淬合金DTA曲线转折温度点、合金显微组织结构和粘结磁体磁性能的影响.Pr元素使合金非晶态的晶化转变温度和转化能降低,合金的显微组织结构变得较粗大和较不均匀,从而使快淬粘结磁体剩磁降低.随Pr含量的增加,磁体的内禀矫顽力Hci单调上升,剩磁Br单调下降,在x=0.6~0.8处(BH)m达到最大值70.6kJ·m3.
摘要:报道了A位缺位的钙钛矿锰氧化物(La0.8Sr0.2)1-xMnO3(0≤x≤0.30)多晶样品的相结构、磁性和磁电阻效应.实验表明,当x≥0.20时,化合物主要由磁性钙钛矿相和非磁性Mn3O4相所组成.它们的电阻率随温度的变化曲线均具有双峰特征,高温侧的电阻率峰出现在钙钛矿相的居里温度附近,低温侧的电阻率宽峰则是金属导电性的钙钛矿晶粒和高电阻率的半导体或绝缘体导电性的晶界或相界共同作用的结果.样品的零场电阻率ρ0随着A位缺位量x的增大而增大.适当改变x值,可以改善磁电阻比的温度稳定性.当x=0.30时,化合物磁电阻比MR在一个相对宽的温度范围内(175~328K)基本上保持不变,即MR=(9.1±0.5)%.
摘要:用MS-Xα方法研究了过渡族硫属化物CrTe的电子结构与磁性,计算结果表明:原子之间存在负交换耦合,且随着外界压强的增加,负交换耦合增强,从而导致CrTe的铁磁性减弱.
摘要:Nd2Fe14B/α-Fe纳米复合永磁材料中存在软-软、软-硬、硬-硬3种不同磁性晶粒界面.不同晶粒间的交换耦合相互作用使其有效各向异性常数Keff减小.Keff可以用这3种不同有效各向异性的统计平均值表示.计算结果显示:Keff随晶粒尺寸D的减小和软磁性成分的增加而降低.当D减小到4nm时,Keff减小为通常各向异性常数值的1/3~1/4.当软磁性相体积分数为50%时,Keff的值下降为硬磁性相对应值的1/2左右.有效各向异性与矫顽力的变化规律基本相同.
摘要:研究了基液和添加剂对磁流变体的温度稳定性、润滑减磨性及磁流变性能的影响规律.实验结果表明采用合理的基液和添加剂复合工艺制备的磁流变体材料,最低使用温度达-40℃,0.5T磁场下剪切应力值达56kPa,且具有良好的润滑性能和抗沉降团聚稳定性能.
摘要:通过高分子金属络合物热解法制备了CoCr2O4纳米晶,并对它的表面微结构和磁性能进行了表征.通过高分辨电镜和傅立叶红外光谱的研究发现在平均粒径为12nm的纳米晶表面不仅有晶格缺陷,而且吸附有大量聚合物分解后的有机碎片,这些有机碎片对纳米晶表面磁矩的钉扎以及纳米晶自身的表面晶格缺陷,导致自旋无序的表面和相对自旋有序的核之间产生强的交换耦合作用,从而使得纳米晶呈现出奇特的磁性能,如低温下存在较大的矫顽力和偏置场等.
摘要:采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响.采用量热分析法(DSC)、XPS以及光杠杆测试法对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的晶化曲线、成分随深度的变化以及磁致伸缩系数进行了分析与测试.结果表明:TbFe2薄膜的起始晶化温度为327℃,晶化温度为372℃;TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的最佳热处理温度为327℃,在此热处理温度下热处理60min,外加磁场1.6×104A/m时,TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数可达1.56×10-4.采用XPS分析了一个周期的TbFe2/Fe成分随薄膜深度的变化,未经热处理的薄膜Fe层和TbFe2层之间界面清晰,两层之间有少量的扩散.经327℃热处理60min的薄膜Fe层和TbFe2层界面发生了互扩散,原子数之比也发生了改变.
摘要:为了改善AB2型Laves相贮氢合金的电化学性能,对AB2型Ti基及Ti-Zr基贮氢合金进行快淬处理.用XRD和SEM分析了铸态及快淬态合金的相结构,并观察了合金的微观组织形貌.研究了快淬工艺参数对AB2型Laves相贮氢合金的电化学性能及微观结构的影响.研究的结果表明快淬对AB2型Layes相贮氢合金电化学性能的影响与合金的成分密切相关.对Ti基合金,随淬速的增加,合金的容量显著提高,在一定淬速下出现极大值.快淬对合金的活化性能基本没有影响,合金的循环稳定性有所改善但不显著;对Ti-Zr基合金,随淬速增加,合金的循环稳定性得到大幅度提高,而合金的容量及活化性能明显降低.快淬使AB2型贮氢合金电化学性能发生变化的根本原因是合金的微观结构发生了变化.
摘要:研究了多晶Ni52Mn23Ga25合金添加微量的稀土元素Sm后,对合金的马氏体相变和磁致伸缩性能的影响.结果发现,微量稀土元素Sm的掺入,降低了合金的马氏体相变温度和居里温度,但并未改变合金的晶体结构,同时由于晶粒细化作用,使合金室温时的磁致应变性能下降.
摘要:介绍了微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射设备的结构和工作原理,详细叙述了利用该设备制备类金刚石膜的过程.Raman光谱证实了薄膜的类金刚石特性;采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的微观表面形貌,均方根粗糙度大约为1.9nm,结果表明薄膜表面非常光滑;利用CERT微摩擦计进行摩擦、磨损和划痕实验,薄膜的平均摩擦系数较小,大约为0.175;DL(膜和Si衬底磨损情况的扫描电镜图片相对比,可以看到DLC膜的磨痕小的多,说明薄膜有较好的耐磨性能;划痕测试结果表明制备薄膜临界载荷大约为40mN.
摘要:FeNiCo-CuNiAl报警热电偶合金是一种非IEC标准的特殊热电偶合金,本文简要介绍了该热电偶合金的化学成分、热电性能和允差确定,对热电性能的影响因素及机理进行了系统的分析.
摘要:研究了贮氢电极合金Zr1-xTixM0.7V0.2Co0.1Ni1.2的相结构和电化学性能.结果表明,随着掺Ti量的增加,该合金主相中C15型Laves相含量逐渐减少而C14型Laves相含量逐渐增加,同时非Laves相Zr7M10和TiNi相全部消失,说明元素Ti掺杂量的增加抑制了第二相的产生.当含Ti量x=0.2时,该合金具有最大放电容量Cmax为354mAh/g,在放电电流为300mAg/g条件下,高倍率放电性能比母体合金提高了15%.而对于合金Zr0.75Ti0.2La0.05Mn0.7V0.2Co0.1Ni1.2,其活化性能被大大提高,只需4次就能达到最大放电容量372mAh/g,而且经过30次循环仍能保持最大放电容量的93%.
摘要:采用不同高浓度的硝酸对由TiOSO4生成的Ti(OH)4进行处理,发现浓硝酸在低温下可以促使纳米金红石型二氧化钛的生成,用XRD及高分辨率透射电镜(HRTEM)对生成的晶粒晶型及形貌进行了分析,发现纳米晶的稳定性差,晶体界面有较多的缺陷和非晶,并有孪晶出现.
摘要:采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、差热分析(DAT)研究了不同粒度NiMnCo触媒合成金刚石的催化特性及熔化特性、微观形貌、表面化学状态对其影响.结果表明:320/500目触媒适宜粗颗粒金刚石的合成,150/200目粉末触媒合成的SMD系列金刚石比例较高;比表面积、表面状态和熔化特性直接影响其合成金刚石的效果,比表面积增大,有利于提高金刚石的合成单产;熔化温度降低,可以减少连聚晶的发生;控制粉末触媒表面的氧含量是提高其催化活性的关键.
摘要:碳纳米管因其优异的力学、物理性能,是一种理想的复合材料增强体.通过化学镀可在碳纳米管表面镀上一层连续的银镀层,以增强碳纳米管与金属基体的界面结合力.本文研究了在碳纳米管上化学沉积银的工艺及其影响因素,SEM、TEM观察表明:氧化、活化及镀速是影响镀层质量的最重要因素,尽可能多的活化点以及尽可能慢的镀速将大大改善镀层质量.