摘要：因良好的射频性能，高阻SOI(High-ResistivitySilicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-PlaneWaveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(ParasiticSurfaceConductance,PSC)，射频性能恶化。设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能，通过将硅离子注入到绝缘埋层中来消除表面寄生电导效应。在0~8GHz范围内，传输线损耗优于时下业界最先进的TR-SOI的结果(Trap-RichLayerSilicon-on-Insulator)。由于工艺简单，易于集成化，是极具潜力的射频SOI材料。