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电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》科技期刊,国内外公开发行,北大核心期刊,综合影响因子:0.368。电子元件与材料报道国内外混合微电子、磁性材料的基础理论、科技创新成果。
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.491
  • 综合影响因子:0.467
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电子元件与材料 2017年第06期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的研究进展

摘要:锌黄锡矿结构的Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)材料,由于具有价格低廉、带隙合适、吸光系数高等优良光电性能,很适合作为新一代无机薄膜太阳能电池的吸光层材料,已受到各国科研人员的高度关注。国内外采用多种沉积薄膜技术来制备CZTSSe吸光层材料,主要包括真空和非真空方法。综述了最近CZTSSe太阳能电池制备技术所取得的一些进展,尤其对采用溶液法制备CZTSSe太阳能电池的发展现状做了重点阐述。展望了CZTSSe太阳能电池的发展趋势。
1-7

交叉杆结构忆阻器件的研究进展

摘要:忆阻器被认为是除电容器、电感器、电阻器之外的第四种无源器件,具有器件结构简单、操作速度快、功耗小等优点,是具有电阻记忆特性的非易失性的电阻元件。而交叉杆结构忆阻器件作为忆阻器的一种结构,由于其较之其他结构的忆阻器具有结构简单、集成度高、容错性和并行性优良等特性,受到了外界广泛的关注及研究。文章综述了近年来交叉杆忆阻器的兴起和发展现状,阐述了以交叉杆结构为基础的各类忆阻器的制备及应用。
8-13

石墨烯材料在钙钛矿太阳能电池中的研究进展

摘要:石墨烯及其衍生物具有独特的材料结构和光电性质,可作为界面修饰层、电子传输层、空穴传输层应用于新型钙钛矿太阳能电池,以提高电池的光电转换效率和性能稳定性。此外,石墨烯透明电极在柔性、半透明或叠层钙钛矿太阳能电池应用中独具优势。本文综述了石墨烯及其衍生物在钙钛矿太阳能电池中的研究进展,指出了未来发展重点。
14-19
电子元件与材料杂志研究与试制

APSO算法提取染料敏化太阳电池参数的研究

摘要:利用MATLAB软件对染料敏化太阳电池的输出特性进行了建模与仿真实验,基于电池的等效电路方程建立了寻优目标函数。采用APSO算法精确提取了染料敏化太阳电池的内部参数,讨论了权重因子策略和种群规模对各参数提取结果的影响。各参数的提取值与理论值相对误差在1%以内,自适应权重因子策略可明显提高APSO算法提取染料敏化电池参数的求解精度。将单纯形算法的参数提取结果与APSO算法进行了比较,二者均与理论值吻合,而单纯形算法对初始值表现出较高的依赖性,APSO方法具有更高寻优效率和收敛精度。
20-24

碱金属基底和吸附强弱对石墨烯态密度的影响

摘要:应用固体物理理论和方法,探讨了碱金属(锂、钠、钾、铷、铯)、石墨烯以及碱金属基外延石墨烯的态密度,进一步得出碱金属基底和吸附强弱对外延石墨烯态密度的影响。结果表明:碱金属基底、单层石墨烯、碱金属基外延石墨烯的态密度曲线均相对于能量x=0对称,但变化情况不同;碱金属基底的态密度和碱金属基外延石墨烯的态密度的极大值均随原子序数的增加而增大;碱金属基吸附石墨烯越强,金属基外延石墨烯的电子出现较大能量的概率以及电子最可几能量越小(铯元素除外)。
25-30

一种基于电耦合的电磁诱导透明超材料

摘要:利用两种谐振结构之间的电耦合,设计了一种可以实现电磁诱导透明现象的新颖电磁超材料。该超材料通过将工作于同一谐振点(5.21GHz)、不同品质因数(Q值)的金属谐振结构组合在一起,利用两者之间的近距离、高耦合实现了“亮模型”对“暗模型”的激励,从而实现了位于5.31GHz处的诱导透明窗口,透射峰值达到0.85。并且从透射参数、表面电流、电磁场分布等方面分析了其工作机制。这种超材料在实现高性能微波天线罩等方面有着潜在的应用价值。
31-36

BeO高导热陶瓷金属化浆料配方与批产工艺研究

摘要:研究了适合于BeO高导热陶瓷的“钨锰法”金属化浆料配方和批产工艺,并利用扫描电镜等手段对金属化层的表面形貌进行表征,重点探讨了金属化浆料中活化剂占比、金属化最高烧结温度以及浆料细度对金属化层表面形貌和结合强度的影响和机理。结果表明:当活化剂质量分数为11%,最高烧结温度为1450℃,浆料细度控制在12μm时,BeO高导热陶瓷金属化层表面形貌和结合强度最优。
37-42

超声波对高压阳极铝箔隧道孔腐蚀的影响研究

摘要:通过研究不同超声波频率、功率以及振源距离对高压阳极铝箔隧道孔腐蚀的影响,发现引入超声波后铝箔的发孔密度可以明显提高,提高幅度为50%~70%,隧道孔孔径相应减小,表面腐蚀加剧,同时隧道孔孔径分布明显变窄。提高超声波功率,将提高铝箔发孔密度和表面腐蚀强度;增加振源距离,铝箔表面腐蚀程度减弱,发孔密度减小。
43-47

极片压实比对碳基超级电容器的性能影响

摘要:以湿法涂布的超级电容器碳极片为原料,通过辊压控制获得不同压实比的极片,再按相同的工艺制成2.7V/50F的电容单体,考察了压实比对内阻和循环性能的影响。结果表明,不同压实比的碳极片,对超级电容器单体的内阻和电性能具有显著影响,超级电容器的容量发挥率和循环稳定性随着压实比的增加呈现先增加后下降的趋势,而超级电容器的内阻随压实比的增加先下降后增加,过大的压实比不利于获得优异的超级电容器电性能。当压实比为15%时,获得了首次容量发挥率为94.54%,20C10000次循环后的容量保持率为93.1%的理想超级电容器性能。
48-52

合成温度对正极材料LiNi0.66Co0.34O2结构和电化学性能的影响

摘要:在空气中通过固相烧结合成LiNi0.66Co0.34O2锂离子正极材料,利用XRD,SEM,TEM以及恒流充放电测试等手段,探究了合成温度对正极材料的晶体结构和电性能的影响。不同温度下制备的镍钴酸锂,具有相同的菱面体点阵结构,空间群是R-3m。750℃合成制备的LiNi0.66Co0.34O2,结晶较完全,层状结构较好,样品颗粒大小均匀。其组装电池首次放电比容量为155mAh/g,5次充放电后表现出较好的循环性能。
53-57

基于液相法的PbS薄膜可控制备及光电性能表征

摘要:利用液相法在锡掺杂氧化铟(简称ITO)上制备了硫化铅(PbS)薄膜,将得到的PbS薄膜在300℃氮气中进行不同时间(0~60min)的退火。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔效应测试系统(Hall-effect)对PbS薄膜的结构和性质进行了研究。结果表明:退火时间为20min的PbS薄膜在ITO基底上粘附力较强,结晶度良好,其带隙为0.65eV。进一步的霍尔效应分析表明所制备的PbS薄膜适合作为薄膜太阳能电池的活性层。
58-61

基于ZnO的微气体传感器的设计与优化

摘要:设计了一种新型ZnO微气体传感器的结构,利用有限元分析软件ANSYS对该传感器的结构进行了分析,并对传感器的基底三层材料的厚度、加热电极的宽度和间距以及测量电极的宽度参数进行了优化,结果得出:当传感器基底中前SiO2层、中间Si层、后SiO2层的厚度分别为10,140和150μm,加热电极和测量电极宽度均为30μm,加热电极的间距为100μm,此时传感器的ZnO材料工作区域可获得最佳的温度分布和磁场分布,有利于传感器整体性能的提高。
62-65

表面处理对肖特基接触的影响

摘要:研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明,采用氧等离子体及体积比(HF:NH4F)为1:7的BOE溶液对AlGaN/GaN异质结材料表面进行处理后,其肖特基接触特性比盐酸或者氨水溶液处理有了明显的改善。当栅压为–50V时,栅反向漏电仅为3.8×10–5A/mm,相比降低了1~2个数量级。另外,电容电压CV测试结果显示,经过BOE溶液处理表面,明显降低了器件表面态密度,达到1013cm–2·eV–1量级,表面态密度的降低,提高了肖特基势垒高度,降低了隧穿电流和表面漏电。
66-69

改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究

摘要:因良好的射频性能,高阻SOI(High-ResistivitySilicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-PlaneWaveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(ParasiticSurfaceConductance,PSC),射频性能恶化。设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能,通过将硅离子注入到绝缘埋层中来消除表面寄生电导效应。在0~8GHz范围内,传输线损耗优于时下业界最先进的TR-SOI的结果(Trap-RichLayerSilicon-on-Insulator)。由于工艺简单,易于集成化,是极具潜力的射频SOI材料。
70-74

P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制

摘要:基于自主开发的LDMOS工艺平台,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50V,在工作脉宽1ms、占空比10%的工作条件下,在380~480MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50%,抗驻波能力大于5:1,表现出了良好的RF性能,实现了国产P波段LDMOS器件1200W的突破。
75-79

基于时域BLT方程的插槽对微带线间串扰分析

摘要:紧密放在印制电路板上的多条微带线之间会产生串扰,这是电磁干扰领域一个非常重要的问题,而接地插槽则会对微带线间的串扰产生影响,所以研究接地插槽对微带线间的串扰影响也是非常重要的。在本文中,使用时域BLT方程结合FDTD方法分析微带线间的时域串扰,将其结果与仿真结果进行了比较,验证了该方法的准确性,并分别改变槽的宽度和长度来分析微带线之间串扰的影响。分析结果表明:微带线间的串扰随着槽的宽度增大而增加,微带线间串扰的时间范围随着槽的长度增大而增大。
80-84

碳纤维忆阻器设计及其电学性质研究

摘要:将碳纤维表面改性后,依据其尺寸效应和表面特性,设计了一种十字交叉碳纤维忆阻器模型。分析了模型的阻变机理,定性地从理论上指出,由束缚电荷产生的电场对忆阻效应起了决定作用。对该模型结构、导电机理和材料属性进行分析讨论,推导出了忆阻器的解析公式。对其各个参数的影响进行了分析与比较,仿真结果发现该模型电压电流特性曲线(voltage-currentcharacteristiccurve,V-I)能够与惠普模型相吻合,呈现典型的忆阻特征。实验测量结果与仿真结果基本一致。
85-89

高阶曲率补偿低温漂系数带隙基准电压源设计

摘要:设计了一种高阶曲率补偿低温漂系数的CMOS带隙基准电压源,采用自偏置共源共栅结构,降低了电路工作的电源电压。采用电流抽取电路结构,在高温阶段抽取与温度正相关电流,低温阶段抽取与温度负相关的电流,使得电压基准源在整个工作温度范围内有多个极值点,达到降低温漂系数的目的。在0.5μmCMOS工艺模型下,CadenceSpectre电路仿真的结果表明,在–40~+145℃范围内,温度特性得到了较大的改善,带隙基准电压源的温漂系数为7.28×10–7/℃。当电源电压为2.4V时电路就能正常工作。
90-94

用于反激式变换器的BJT功率管驱动电路的设计

摘要:为反激式变换器BJT功率管设计了一种驱动电路。针对电流镜复制的精确度,设计了运放、MOS管组成的深度负反馈环路和共源共栅结构对电路进行钳位,使电流精确复制到功率管基极;针对BJT管较慢的开关速度,配合数字控制,缩短功率管状态转换所需时间,降低了功率管损耗。在CSMC18μm18V工艺下,利用Hspice软件进行仿真,结果表明,BJT功率管工作在饱和区,开关转换速度增强,满足了反激式变换器对BJT功率管开关速度的要求。
95-98
电子元件与材料杂志可靠性

封装形式对电子元器件长期储存可靠性研究

摘要:长期储存是解决军用电子元器件停产断档问题的常用和重要方法之一。本文首先分析了长期储存中电子元器件的失效原因,包括静电、潮湿、温度、污染和震动,然后研究了对封装材料和环境的通用要求以及各封装形式对长期储存的特殊要求,最后比较了每种储存形式的实际寿命和优缺点。证实只要方法得当,每种储存形式均可实现大于15年以上的长期有效储存。
99-104

电子元件与材料杂志分期列表:

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