靶基距对磁控溅射 AZO 薄膜性能的影响
作者：齐东丽 马学军
摘要：以氧化锌铝陶瓷靶（98％ZnO＋2％Al2O3，质量分数）为靶材，利用直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了AZO（ZnO：AI）薄膜样品，研究了靶基距（40～70mm）对所制备AZO薄膜微观结构及光电性能的影响。结果表明：不同靶基距下制备的薄膜均具有明显的c轴择优取向；随着靶基距的增加，所制AZO薄膜的结晶质量变好，结晶尺寸变大，电阻率降低，禁带宽度变小，且所有薄膜在可见光区的平均透过率均在80％以上。当靶基距为70ITlm时所制AZO薄膜的性能最好，其电阻率为8×10-4Ω·om，在可见光范围内的平均透过率为82．3％，禁带宽度为3．42eV。
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关键词：
- 磁控溅射法
- azo薄膜
- 靶基距
- 禁带宽度
- 透过率
- 光电性能
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