摘要：基于密度泛函理论的第一性原理计算，通过对Si（001）和氮化Si（001）表面单层Zn／Se原子结合的方式，模拟ZnSe外延薄膜的二维生长模式，从单层原子结合能、界面原予电子得失、共价结合成键的角度解释了Zn／Se原子在衬底表面的黏附性问题，阐述了薄膜生长初期界面无定形Se出现等现象，分析了氮化Si（001）表面对薄膜二维均匀生长的作用，结果显示N的引入缓和了Si衬底的非极性共价结合与ZnSe原子间的极性离子键结合之间的异质差异。