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电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》科技期刊,国内外公开发行,北大核心期刊,综合影响因子:0.368。电子元件与材料报道国内外混合微电子、磁性材料的基础理论、科技创新成果。
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.491
  • 综合影响因子:0.467
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电子元件与材料 2009年第08期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

AlPO4-5晶体孔道中0.4nm单壁碳纳米管密度改进

摘要:提出了三种提高A1PO4-5晶体孔道中0.4nm单壁碳纳米管(SWNTs)填充密度和质量的实验方案:(1)用含有更多碳原子的四丙基氢氧化胺替代三正丙胺作为SWNTs碳源;(2)在AlPO4-5晶格中掺杂金属阳离子(Mn2+、Mg2+、Co2^+)和硅离子(Si^4+),使SWNTs带有负电性和Bronsted酸位;(3)利用激光快速局部裂解有机碳源分子。结果表明:利用这三种方法均可提高SWNTs的质量和填充密度。
1-7

分散定向碳纳米管阵列的制备及场发射性能

摘要:利用脉冲电化学沉积技术,以NiSO4·6H2O为电镀液在镀cr硅基片上沉积低密度、直径在150nm左右的Ni催化剂颗粒,在此基础上,采用乙炔、氨气作为气源,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备分散定向的碳纳米管阵列。研究了等离子体预处理技术对纳米管制备的影响以及该阵列的场发射性能,证明低密度的碳纳米管阵列阴极能有效地降低场屏蔽效应,进而提高场发射性能,其场发射的开启电场强度约为2.39V/μm。
8-10

HfO2含量对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

摘要:针对Pb(Sb,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3压电陶瓷制备过程中谐振反谐振频率差值Δf出现的波动现象,利用配料递减称量法,研究了HfO2含量对Pb(Sb0.5Nb0.5)0108Zr0.50Ti0.42O3+1.5%(质量分数)MnO2三元系压电陶瓷的晶相结构、微观形貌和电性能的影响。同时分析了ZrO2原料中HfO2杂质的成因。结果表明:HfO2在该三元系压电陶瓷中属于无害但无用的杂质。通过调整ZrO2配料含量,可以使其Δf控制在合格范围内(7.0—8.0kHz),而且其他的电性能基本保持不变。
11-13

BiFeO3改性Bi1/2Na1/2TiO3-BaTiO3基陶瓷电性能

摘要:采用固相反应法制备了新型(0.95-x)Bi1/2Na1/2TiO3—0.05BaTiO3-xBiFeO3(x=0—0.09)系无铅压电陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对其晶体结构、介电及压电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷均能形成纯钙钛矿型固溶体。介温曲线(10kHz)显示该陶瓷体系具有明显的弥散相变特征。该陶瓷体系的压电性能较Bi1/2Na1/2TiO3-BaTiO3陶瓷(d33=125pC/N)有较大提高,当X=0.05时,具有最佳的压电性能:d33=142pC/N,kp=0.29;此时εf=891,tanδ=0.046,Qm=110。
14-16

镁铝硅钛铈系微晶玻璃的显微结构及介电性能

摘要:选取工业纯原料,采用熔融法制备了镁铝硅钛铈系微晶玻璃,研究其在不同晶化温度下的显微结构及微波介电性能。结果表明:随着晶化温度的提高,微晶玻璃的岛先增大后减小,在1000℃时达到最大值;同时微晶玻璃中晶粒逐渐长大,残余玻璃相减少,tanδ降低;当晶化温度超过1200℃时,晶粒粗化,tanδ略有升高。所制微晶玻璃在微波频率(8GHz)下,其εT在8.55~14.61可调,tanδ小于8×10^-4,是一种性能优良的微波介质材料。
17-19

沉淀法合成ZnO纳米粒子热处理温度的研究

摘要:以Zn(NO3)2·6H2O、NaOH为原料,在乙醇-水混合溶液体系中,采用直接沉淀法合成了ZnO纳米粒子。并借XRD分析研究了该ZnO纳米粒子的晶粒度及晶格畸变等相关结构参量。XRD和SEM分析测试表明:当热处理温度高于100℃时,可以合成ZnO纳米粒子。热处理温度由100℃升至300℃,ZnO纳米粒子晶粒度将由35nm增大到约63nm,且纳米粒子形貌不随温度变化而变化。另外,随着ZnO纳米粒子晶粒度的增大,其晶格常数和晶格畸变量变小。
20-22

热处理时间对铁磁性微晶玻璃磁性能的影响

摘要:以Fe2O3-CaO-SiO2-B2O3-P2O5系统为基础,采用基础玻璃析晶法制备铁磁性微晶玻璃热种子材料。通过XRD,确定了热处理样品中的主晶相为磁铁矿、硅灰石和赤铁矿;采用振动样品磁强计(VSM),测试样品室温下的磁性能;通过SEM,观察样品中晶体的形貌。研究了热处理时间对其磁性能的影响。结果表明:合理的热处理时间为2h,制得的铁磁性微晶玻璃的比饱和磁矩为26.2A·m^2·kg^-1。
23-25

MnNiCuFe系材料的聚合络合法制备及微波烧结

摘要:为了得到低B值(2100K)、高精度互换、均匀性好的NTC热敏电阻器,采用聚合络合法制备了Mno.43Ni0.90CuFe0.67O4NTC热敏材料的前驱体,在500℃进行热分解后获得氧化物,经不同温度微波煅烧,确定最佳温度后成型,分别进行微波烧结与常规烧结。采用TGA—DTA、FT-IR、XRD、粒度分析及SEM等手段,对材料进行表征。结果表明:微波煅烧最佳温度为650℃,陶瓷体由缺铜相和富铜相两相组成;微波烧结大大提高了元件的均匀性,成品率由常规烧结的30%提高至85%。
30-34

稀土相表面Sn晶须生长的研究

摘要:研究了Sn-3.8Ag-0.7Cu-RE(RE为Ce、Er或Y)焊料在空气中室温与高温时效过程中稀土相CeSn3、ErSn3与YSn3表面Sn晶须的生长情况。结果表明,Sn晶须的开始生长时间、形态及数量与稀土相的种类及时效条件有密切关系。稀土相因氧化产生的体积膨胀提供了Sn晶须生长的驱动力。稀土与氧的化学亲和力参数及时效温度共同影响稀土相表面Sn晶须的生长。室温实效条件下,三种稀土相表面Sn晶须的直径为0.1-2.0μm,长度可达几百微米;150℃时效条件下,Sn晶须的直径为0.1-0.2μm,长度也可达上百微米。
35-38

微量RE和Al对Sn-9Zn焊料组织与性能的影响

摘要:采用正交试验研究了微量RE和Al对Sn-9Zn无铅焊料电导率、硬度、润湿性及微观组织的影响,并与传统锡铅焊料进行了对比。Sn-9Zn焊料的电性能及力学性能优于传统锡铅焊料,但润湿性较差。添加微量RE和Al可以显著提高Sn-9Zn合金铺展率、细化组织,且不降低焊料电导率和力学性能,最佳w(RE)和w(Al)分别为0.05%和0.10%,铺展率达到61.98%,与Sn-9Zn相比提高了13.40%,硬度为20.90HB,电导率为8.15×10^6S/m。
39-42

干扰频率与喷射压强对合金射流的影响

摘要:控制钎料合金射流形成均匀断裂是制备电子封装用微焊球的关键。采用计算流体动力学方法模拟、研究了干扰频率、喷射压强对液态Sn-58Bi钎料射流断裂及液滴下落过程的影响。结果表明,在同一喷射压强下,钎料射流存在一个最佳干扰频率,其断裂长度最小。当喷射压强从30kPa增加到100kPa时,最佳干扰频率从2.0kHz增加为4.0kHz,此时的射流断裂长度由2.8mm增加到7.1mm,液滴间距的均匀程度变好。数值模拟结果与Weber射流不稳定性理论的计算结果基本吻合。
43-45

三苯基膦催化环氧-酚醛树脂的固化反应研究

摘要:利用示差扫描量热仪在等温和动态条件下,对在三苯基膦催化作用下环氧树脂NC-3000L和酚醛树脂xy-lok体系的固化反应进行了研究。结果表明,在固化度低于80%时,体系的固化反应符合Kamal自催化动力学模型;随着反应程度的进一步提高,固化度高于80%时,固化反应由化学动力学控制转变为以扩散控制为主。分别建立了该固化体系在固化度为80%前后的反应动力学方程。体系在动态固化时的反应活化能为75.04kJ/mol.
46-49

退火温度对WO3薄膜结构及气敏性能的影响

摘要:采用直流磁控溅射法制备了WO3薄膜,并在350—550℃时对薄膜进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构及气敏性能的影响。结果表明:退火前及350℃退火后的薄膜为非晶态,450℃和550℃退火后的薄膜为WO3-x型晶态;随退火温度的提高,薄膜厚度增加,晶粒度增大。550℃退火后薄膜的厚度,较450℃退火后薄膜厚30nm,晶粒度相差8nm;450℃和550℃退火后的薄膜,在150℃时对体积分数为0.05%的NO2的灵敏度接近于22。
50-52

钢基板厚膜环形电位器的研制

摘要:传统的陶瓷基板厚膜环形电位器不能承受高过载。选用不锈钢板作为基板材料,被覆绝缘介质,在其上印制厚膜电路,然后烧结,制作了钢基板厚膜环型电位器。该电位器经过温度循环、抗过载、机械强度和动态射击试验,结果表明:被覆绝缘介质不锈钢基板厚膜环型电位器具有过载值高(18000~20000g)、动态电阻装定精度高(误差小于1%)等优点,满足高过载使用要求。
53-54

微波电路用共面电极TaNx薄膜片式电阻器

摘要:采用反应溅射方法制作TaNχ电阻薄膜,并通过溅射Ni、Au形成双层共面电极。研究了溅射条件对电阻薄膜组分的影响以及此类电阻器的微波特性。结果显示,溅射工作真空度小于0.5Pa,氮气体积分数大于5%时,可以得到阻值稳定的六方晶体结构TaNχ电阻薄膜,其共面电极的电阻器使用频率上限大于20GHz。
55-58

2009年大容量电容器市场规模将比上年度增加15%

摘要:矢野经济研究所发布了大容量电容器的市场调查结果。结果显示2008年度市场规模为30亿5500万日元。与上财年基本持平,但仍有所减少。原因是2008年度下半年的经济衰退。目前大容量电容器的主要用途为车用电动制动器(Sensotronic Brake)、OA设备、搬运机以及精密设备生产线的瞬间电压下降补偿装置等。
58-58

LiC市场的出现最早将在2012~2013年

摘要:LiC市场方面,日本国内有8家厂商计划参与,预计今后量产体制将进一步完善。LiC厂商瞄准的是面向汽车怠速熄火(Idling Stop)的需求。欧洲汽车厂商也在积极采取措施,预计需求最早将在2012-2013年度明显表现出来。
58-58

NaOH活化制备超级电容器用活性炭球电极材料

摘要:以NaOH为活化剂、采用蔗糖水热法,制备超级电容器用高比表面积球形活性炭电极材料。采用标准N2吸附法、SEM和XRD对活性炭的结构进行表征,用恒流充放电测试其在lmol/LEt4NBF4/PC电解液中的电化学性能,并将其与日本商业电容炭YP17进行了比较。结果表明:ζ(NaOH:活性炭)为5:1、600℃活化1h制备的球形活性炭比表面积为3261m^2/g,其比电容可达156F/g,远大于YP17(108F/g),大电流倍率性能突出。
59-61

外延BiFeO3薄膜的温度特性

摘要:基于Landau-Devonshire唯象理论,采用等效衬底晶格常数的方法,并拟合了磁刚度系数的温度函数,对多铁性外延BiFeO3薄膜的铁电性和磁性进行了研究。结果表明,70am厚薄膜的磁化强度在10~731℃先增加后减小,在371℃时有最大值64569A/m,随膜厚的增加磁化强度的极值减小;自发极化、C轴晶格常数随膜厚的增加而减小,同一厚度薄膜随温度的升高自发极化强度减小;压电常数、相对介电常数随温度升高而增大,随膜厚增加而增加。
62-65

Si(001)外延ZnSe薄膜界面原子的结合与成键

摘要:基于密度泛函理论的第一性原理计算,通过对Si(001)和氮化Si(001)表面单层Zn/Se原子结合的方式,模拟ZnSe外延薄膜的二维生长模式,从单层原子结合能、界面原予电子得失、共价结合成键的角度解释了Zn/Se原子在衬底表面的黏附性问题,阐述了薄膜生长初期界面无定形Se出现等现象,分析了氮化Si(001)表面对薄膜二维均匀生长的作用,结果显示N的引入缓和了Si衬底的非极性共价结合与ZnSe原子间的极性离子键结合之间的异质差异。
66-70

基于BP神经网络的模塑封电子器件优化设计

摘要:针对塑封SOT(小外形晶体管)器件的使用失效案例,从芯片设计角度出发,提出一种优化设计方法,该方法利用误差反向传播神经网络(BPNN),结合主成分分析(PCA)、遗传算法(GAs)及均匀设计的针对非线性系统的优化设计,设计了该塑封SOT器件的尺寸参数。结合实验和有限元模拟分析,验证该优化设计结果的有效性。结果表明,优化设计的器件各关键界面点的最大应力约减少了70~180MPa,器件的界面层裂现象得到消除,提高了器件的可靠性。
71-74

用Bayesian正则化BP神经网络预测稀土永磁体性能

摘要:针对一般BP神经网络泛化能力差,在Bayesian正则化BP神经网络的基础上,运用加权检验、“表决网”等方法的思路训练网络,并通过主成分分析方法对输入数据进行降维,建立了磁粉制备工艺(淬速度和晶化退火温度)、合金成分与磁性能之间的BPNN(back propagation network)预测模型。结果表明:该模型泛化能力较高,预测的Br相对误差在2%左右、Hcj和(BH)max在5%以内,且每次预测的相对误差平均值波动不超过1%。
75-77
电子元件与材料杂志综述

电磁吸波材料研究进展

摘要:阐述了常见的吸波材料种类及其特点,吸波材料的研究现状,重点介绍了纳米铁氧体吸波材料及其制备方法。笔者采用柠檬酸盐sol-gel法制得了均匀包覆铁氧体的空心微珠为基的复合材料,其吸波性能良好。最后指出吸波材料的发展趋势为纳米化、多元化和多介质化。
78-81

铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术进展

摘要:综述了近10年来铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术的研究现状与发展趋势。重点评述了soi-gel法、水解沉积法、电化学沉积法及热处理手段等提高阳极箔比容的技术,对上述方法所制备阳极箔的氧化膜生长机理进行了探讨,提出了发挥有效面积S、形成常数K与相对介电常数εr的共同作用是高比容铝阳极箔制备技术的发展方向。
82-85

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