摘要:以钙长石和莫来石等为主要原料,制备了与硅芯片相匹配的新型复合材料。研究了烧结助剂ZnO的加入量、烧结温度和显微结构等因素对材料性能的影响。结果表明:当w(ZnO)为8%时,该复合材料烧结温度为1000℃,其主要性能如下:在1MHz下εr为6.48,tanδ为4.00×10^-3,抗折强度为76.29MPa,α1(25—500℃)为3.44×10^-6℃^-1。
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期刊名称:电子元件与材料
期刊级别:北大期刊
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