电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2009年第03期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

环境温度对气流式水平姿态传感器灵敏度的影响1-3

摘要：采用有限元方法，计算了不同温度下倾斜10°时敏感元件内的温度场和流场，分析和验证了环境温度对气流式水平姿态传感器灵敏度的影响机理。结果表明：随着环境温度的增加，传感器灵敏度降低；反之，随着环境温度的下降，传感器灵敏度提高；倾斜10°时，传感器的灵敏度温度系数为0．55mV／℃。

用La2MoWO9作固体电解质的极限电流型氧传感器4-6

摘要：采用固相反应法，制备了氧离子导体La2MoWO9和混合导体La0.6Sr0.4Fe0.8Co0.2O3，并分别作为基体材料，制成了极限电流型氧传感器。利用两端子法，对氧传感器在500℃时不同氧分压下（PO2为（0～2．12）×10^4Pa）电流与电压的关系进行了测量。结果表明：用La2MoWO9作为氧传感器的固体电解质材料是可行的，即可以得到极限电流平台（PO2为1．70×10^4Pa，1为1．5mA），且极限电流与氧分压戍线性关系。

本刊获2007～2008年度“四川出版·期刊奖”一等奖6-6

摘要：近日，四川省新闻出版局举办的2007～2008年度“四川出版·期刊奖”评选活动揭晓。经过专家评审组初评、评奖委员会复评，最终评选出18家期刊获2007～2008年度“四川出版·期刊奖”，其中一等奖5家，二等奖13家。“四川出版·期刊奖”为四川省期刊评奖中的最高政府奖项。

叠烧对ZnO压敏电阻中Bi2O3挥发的控制7-9

摘要：采用高能球磨法制备ZnO压敏电阻混合粉体。用XRD、SEM对其形貌和微观结构进行了表征。研究了叠烧烧结时，不同位置ZnO压敏电阻中Bi2O3的挥发情况及对其电性能的影响。结果表明：中心位置处ZnO压敏电阻的非线性系数为31，较表层提高100％；其漏电流为6．0μA，电位梯度为345V／mm。Bi2O3的挥发，呈现从中心到表层逐步加剧的趋势。

通讯设备过流保护用PTC元件的研制10-12

摘要：采用电子陶瓷工艺，制备了（Ba0.960Sr0.040Ca0.060）Ti1.044O3＋x系过流保护用PTC元件。用SEM、失效模式测试仪等研究了特殊热处理和化学处理对其PTC特性的影响，同时实现了用AI电极代替Ag—Zn欧姆电极。结果表明：该工艺所制元件抗电强度高于600V／mm、耐电压高于950V，失效模式、高压感应性能符合国内55Ω过流保护PTC元件有关规范。

珊瑚状聚吡咯的制备及其超级电容性能13-15

摘要：采用化学氧化法以甲苯-4-磺酸钠掺杂制备了珊瑚状聚吡咯。通过FT-IR、SEM等方法对产物进行了结构表征，研究了其电化学电容性能。结果表明：制备的掺杂态聚吡咯具有表面光滑的珊瑚状结构，循环伏安曲线接近于理想的矩形，在充放电整个电位范围内，电位和时间都保持较好的线性关系，单电极比电容可达220F／g。

双传输零点LTCC带通滤波器的设计与制作19-22

摘要：采用仿真软件Ansoft HFSS，构建了具有双传输零点的LTCC带通滤波器（BPF）的物理模型，即在无传输零点的二阶带通滤波器的基础上并联一个反馈电容来实现双传输零点。根据仿真结果，采用LTCC工艺制作了封装尺寸为1206，具有两个传输零点的片式BPF样品，用矢量网络分析仪Agilent 8722ES进行测试。结果表明：测量结果与仿真数据基本相符，滤波器中心频率为2．7GHz。该滤波器适用于日益小型化的移动通信设备。

一种多极点开环交指缺陷地结构23-26

摘要：在一根50Q微带线的地平面上蚀刻开环槽，且在槽内部添加了交指状的慢波结构，构成了一种新型的开环交指缺陷地结构（DGS）。和传统的哑铃形DGS相比较，这种DGS具有更小的体积和更高的Q值，第三阻带Q值可达53，而且该结构具有多个衰减极点。将三个开环交指DGS级联设计制作了多阻带的带阻滤波器，测试结果与仿真特性基本一致。

国内外专家合作改写纳米线激光器调谐范围世界纪录26-26

摘要：湖南大学纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学合作，将半导体激光芯片调谐范围（指发光波长所能调节的范围）扩大，成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光，创造了新的半导体激光器调谐范围世界纪录。据介绍，此前半导体激光器调谐范围最长只能达到几十纳米。

《美国国家科学院院刊》全文刊登哈工大刘浩哲教授的研究结果26-26

摘要：目前，由哈工大刘浩哲教授的高压研究团队、阿岗国家实验室、哈佛大学和卡内基研究院地球物理实验室共同开展非晶硒（a-Se）在压力下的性质研究时，成功发现了“极端压力引起的体积膨胀现象”，解决了非晶硒在高压下所显示的异常电学性质这一长期难题，

PBGA固化后产生翘曲的有限元模拟分析27-29

摘要：由于PBGA器件中各材料热膨胀系数有差异，固化后易产生翘曲变形。采用有限元模拟法对PBGA器件的EMC封装固化和后固化过程进行了分析。结果表明：固化过程是影响翘曲的关键过程，残余应力增加，翘曲变形有所增加。如固化后最大残余应力为95．24MPa，翘曲位移为0．1562mm；后固化以后最大残余应力为110.3MPa，翘曲位移为0．1674mm，翘曲位移增加值仅为0．0112mm。适当增加硅粉填充剂的含量，可以减小固化工艺后的翘曲变形。

纳米硅薄膜太阳能电池的绒面结构研究30-34

摘要：通过对比NaOH／乙二醇和NaOH／异丙醇两种体系的优劣，进行不同腐蚀时间和温度下的绒面制备试验，得到了优化的绒面制备工艺和绒面纳米硅薄膜太阳能电池。结果表明：衬底具有完整规则的“金字塔”结构，反射率为11．02％。制备的绒面纳米硅薄膜太阳能电池在标准条件（AM1．5，辐照强度0．1W／cm^2，（25±1）℃）下测试，其性能参数为：S为1cm^2，‰为528mV，Isc。为28．8mA，η为72％。相比较于无绒面结构电池，η提高了2．4％。

适度加快我国薄膜电池产业发展步伐34-34

摘要：薄膜太阳能电池生产线的增加是2008年太阳能电池产业的一个显著特点。薄膜太阳能电池虽然早已出现，但由于光电转换效率低、衰减率较高等问题，前些年未引起业界的足够关注，市场占有率很低。随着其技术的不断进步，光电转换效率得到迅速提高，

sol-gel法制备纳米晶γ-Al2O3：Eu^3＋发光粉及发光性能35-37

摘要：以异丙醇铝为原料，聚乙二醇（PEG1000）为络合剂，采用sol-gel法制备了纳米晶γ-Al2O3：Eu^3＋发光粉，对其结构、形貌、晶粒尺寸及光致发光性能进行了研究。结果表明：采用sol—gel法制备工艺，经过800℃煅烧4h，可以得到发光强度高的纳米晶γ-Al2O3：Eu^3＋发光粉，其最佳激发波长为395nm，最佳掺杂量为x（Eu^3＋）=10％，此时最强的发射峰出现在617mm附近，可以用作红色发光材料。

Ni／AAO纳米复合薄膜的制备及其光学性能38-41

摘要：采用交流电化学沉积方法，以经过阶梯降压处理的多孔氧化铝（AAO）为模板，制备出Ni／AAO纳米复合薄膜。研究了薄膜的结构及光学性能。结果表明：Ni／AAO纳米复合薄膜中Ni呈线状均匀分布在AAO纳米孔隙中，直径与AAO孔径一致，约80nm，并沿[111]方向择优生长，具有面心立方结构。光谱分析表明，该复合薄膜的光学带隙为3．18eV，较AAO模ia（3．38eV）自身红移；光致发光峰位于465nm，与AAO模板相同，发光强度较模板自身减弱。

ZnO和ZAO薄膜磁控溅射等离子体发射光谱42-44

摘要：采用在线测试等离子体发射光谱的方法，研究了ZnO薄膜和ZAO薄膜磁控溅射生长等离子体的状态，分析了ZAO薄膜生长过程中的工作压强、溅射功率和衬底温度这几个重要参数对等离子体状态影响的规律。结果表明：主要是等离子体中粒子的密度随实验参数发生规律性变化，其变化规律与实验参数对薄膜生长质量影响的规律基本一致，可以定性地解释影响薄膜结晶质量的直接原因。最佳参数为：压强0．2Pa，功率80W和温度450℃。

纳米碳管增强铜基电接触材料制备的优化设计45-48

摘要：用正交试验法优化了纳米碳管增强铜基电接触材料的制备工艺，探讨了纳米碳管表面处理时间、原料球磨时间和纳米碳管含量对复合材料综合性能的影响。结果表明：最佳制备工艺参数为，表面处理时间1．0h，球磨时间8h，纳米碳管最佳质量分数为0．1％。在优化制备的纳米碳管增强铜基电接触材料中，纳米碳管分散均匀，其布氏硬度为78.3 HBS 2．5／62．5／30，电阻率为2．08×10^-6Ω·cm，抗熔焊及抗氧化性能均得到较大提高，能够满足电接触材料综合性能的要求。‘

球磨与共沉淀法制备MnZn铁氧体的对比研究49-52

摘要：分别采用高能球磨和化学共沉淀法制备了MnZn铁氧体，通过XRD、VSM和金相显微镜的分析，对两种铁氧体的预烧料粉末、烧结体的显微结构以及磁性能做了比较。结果表明：化学共沉淀法所制备的预烧料粉末具有晶粒细小、均匀和活性高等优点；与高能球磨法相比，化学共沉淀法烧结磁体的密度较高、晶粒尺寸较大，磁性能更为优良。其相应的磁性能参数慨、尬、风和舫分别为3．845×10^2kA/m，3．421kA／m，0．722km／m和5500。