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电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》科技期刊,国内外公开发行,北大核心期刊,综合影响因子:0.368。电子元件与材料报道国内外混合微电子、磁性材料的基础理论、科技创新成果。
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.491
  • 综合影响因子:0.467
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电子元件与材料 2009年第03期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

环境温度对气流式水平姿态传感器灵敏度的影响

摘要:采用有限元方法,计算了不同温度下倾斜10°时敏感元件内的温度场和流场,分析和验证了环境温度对气流式水平姿态传感器灵敏度的影响机理。结果表明:随着环境温度的增加,传感器灵敏度降低;反之,随着环境温度的下降,传感器灵敏度提高;倾斜10°时,传感器的灵敏度温度系数为0.55mV/℃。
1-3

用La2MoWO9作固体电解质的极限电流型氧传感器

摘要:采用固相反应法,制备了氧离子导体La2MoWO9和混合导体La0.6Sr0.4Fe0.8Co0.2O3,并分别作为基体材料,制成了极限电流型氧传感器。利用两端子法,对氧传感器在500℃时不同氧分压下(PO2为(0~2.12)×10^4Pa)电流与电压的关系进行了测量。结果表明:用La2MoWO9作为氧传感器的固体电解质材料是可行的,即可以得到极限电流平台(PO2为1.70×10^4Pa,1为1.5mA),且极限电流与氧分压戍线性关系。
4-6

本刊获2007~2008年度“四川出版·期刊奖”一等奖

摘要:近日,四川省新闻出版局举办的2007~2008年度“四川出版·期刊奖”评选活动揭晓。经过专家评审组初评、评奖委员会复评,最终评选出18家期刊获2007~2008年度“四川出版·期刊奖”,其中一等奖5家,二等奖13家。“四川出版·期刊奖”为四川省期刊评奖中的最高政府奖项。
6-6

叠烧对ZnO压敏电阻中Bi2O3挥发的控制

摘要:采用高能球磨法制备ZnO压敏电阻混合粉体。用XRD、SEM对其形貌和微观结构进行了表征。研究了叠烧烧结时,不同位置ZnO压敏电阻中Bi2O3的挥发情况及对其电性能的影响。结果表明:中心位置处ZnO压敏电阻的非线性系数为31,较表层提高100%;其漏电流为6.0μA,电位梯度为345V/mm。Bi2O3的挥发,呈现从中心到表层逐步加剧的趋势。
7-9

通讯设备过流保护用PTC元件的研制

摘要:采用电子陶瓷工艺,制备了(Ba0.960Sr0.040Ca0.060)Ti1.044O3+x系过流保护用PTC元件。用SEM、失效模式测试仪等研究了特殊热处理和化学处理对其PTC特性的影响,同时实现了用AI电极代替Ag—Zn欧姆电极。结果表明:该工艺所制元件抗电强度高于600V/mm、耐电压高于950V,失效模式、高压感应性能符合国内55Ω过流保护PTC元件有关规范。
10-12

珊瑚状聚吡咯的制备及其超级电容性能

摘要:采用化学氧化法以甲苯-4-磺酸钠掺杂制备了珊瑚状聚吡咯。通过FT-IR、SEM等方法对产物进行了结构表征,研究了其电化学电容性能。结果表明:制备的掺杂态聚吡咯具有表面光滑的珊瑚状结构,循环伏安曲线接近于理想的矩形,在充放电整个电位范围内,电位和时间都保持较好的线性关系,单电极比电容可达220F/g。
13-15

双传输零点LTCC带通滤波器的设计与制作

摘要:采用仿真软件Ansoft HFSS,构建了具有双传输零点的LTCC带通滤波器(BPF)的物理模型,即在无传输零点的二阶带通滤波器的基础上并联一个反馈电容来实现双传输零点。根据仿真结果,采用LTCC工艺制作了封装尺寸为1206,具有两个传输零点的片式BPF样品,用矢量网络分析仪Agilent 8722ES进行测试。结果表明:测量结果与仿真数据基本相符,滤波器中心频率为2.7GHz。该滤波器适用于日益小型化的移动通信设备。
19-22

一种多极点开环交指缺陷地结构

摘要:在一根50Q微带线的地平面上蚀刻开环槽,且在槽内部添加了交指状的慢波结构,构成了一种新型的开环交指缺陷地结构(DGS)。和传统的哑铃形DGS相比较,这种DGS具有更小的体积和更高的Q值,第三阻带Q值可达53,而且该结构具有多个衰减极点。将三个开环交指DGS级联设计制作了多阻带的带阻滤波器,测试结果与仿真特性基本一致。
23-26

国内外专家合作改写纳米线激光器调谐范围世界纪录

摘要:湖南大学纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学合作,将半导体激光芯片调谐范围(指发光波长所能调节的范围)扩大,成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光,创造了新的半导体激光器调谐范围世界纪录。据介绍,此前半导体激光器调谐范围最长只能达到几十纳米。
26-26

《美国国家科学院院刊》全文刊登哈工大刘浩哲教授的研究结果

摘要:目前,由哈工大刘浩哲教授的高压研究团队、阿岗国家实验室、哈佛大学和卡内基研究院地球物理实验室共同开展非晶硒(a-Se)在压力下的性质研究时,成功发现了“极端压力引起的体积膨胀现象”,解决了非晶硒在高压下所显示的异常电学性质这一长期难题,
26-26

PBGA固化后产生翘曲的有限元模拟分析

摘要:由于PBGA器件中各材料热膨胀系数有差异,固化后易产生翘曲变形。采用有限元模拟法对PBGA器件的EMC封装固化和后固化过程进行了分析。结果表明:固化过程是影响翘曲的关键过程,残余应力增加,翘曲变形有所增加。如固化后最大残余应力为95.24MPa,翘曲位移为0.1562mm;后固化以后最大残余应力为110.3MPa,翘曲位移为0.1674mm,翘曲位移增加值仅为0.0112mm。适当增加硅粉填充剂的含量,可以减小固化工艺后的翘曲变形。
27-29

纳米硅薄膜太阳能电池的绒面结构研究

摘要:通过对比NaOH/乙二醇和NaOH/异丙醇两种体系的优劣,进行不同腐蚀时间和温度下的绒面制备试验,得到了优化的绒面制备工艺和绒面纳米硅薄膜太阳能电池。结果表明:衬底具有完整规则的“金字塔”结构,反射率为11.02%。制备的绒面纳米硅薄膜太阳能电池在标准条件(AM1.5,辐照强度0.1W/cm^2,(25±1)℃)下测试,其性能参数为:S为1cm^2,‰为528mV,Isc。为28.8mA,η为72%。相比较于无绒面结构电池,η提高了2.4%。
30-34

适度加快我国薄膜电池产业发展步伐

摘要:薄膜太阳能电池生产线的增加是2008年太阳能电池产业的一个显著特点。薄膜太阳能电池虽然早已出现,但由于光电转换效率低、衰减率较高等问题,前些年未引起业界的足够关注,市场占有率很低。随着其技术的不断进步,光电转换效率得到迅速提高,
34-34

sol-gel法制备纳米晶γ-Al2O3:Eu^3+发光粉及发光性能

摘要:以异丙醇铝为原料,聚乙二醇(PEG1000)为络合剂,采用sol-gel法制备了纳米晶γ-Al2O3:Eu^3+发光粉,对其结构、形貌、晶粒尺寸及光致发光性能进行了研究。结果表明:采用sol—gel法制备工艺,经过800℃煅烧4h,可以得到发光强度高的纳米晶γ-Al2O3:Eu^3+发光粉,其最佳激发波长为395nm,最佳掺杂量为x(Eu^3+)=10%,此时最强的发射峰出现在617mm附近,可以用作红色发光材料。
35-37

Ni/AAO纳米复合薄膜的制备及其光学性能

摘要:采用交流电化学沉积方法,以经过阶梯降压处理的多孔氧化铝(AAO)为模板,制备出Ni/AAO纳米复合薄膜。研究了薄膜的结构及光学性能。结果表明:Ni/AAO纳米复合薄膜中Ni呈线状均匀分布在AAO纳米孔隙中,直径与AAO孔径一致,约80nm,并沿[111]方向择优生长,具有面心立方结构。光谱分析表明,该复合薄膜的光学带隙为3.18eV,较AAO模ia(3.38eV)自身红移;光致发光峰位于465nm,与AAO模板相同,发光强度较模板自身减弱。
38-41

ZnO和ZAO薄膜磁控溅射等离子体发射光谱

摘要:采用在线测试等离子体发射光谱的方法,研究了ZnO薄膜和ZAO薄膜磁控溅射生长等离子体的状态,分析了ZAO薄膜生长过程中的工作压强、溅射功率和衬底温度这几个重要参数对等离子体状态影响的规律。结果表明:主要是等离子体中粒子的密度随实验参数发生规律性变化,其变化规律与实验参数对薄膜生长质量影响的规律基本一致,可以定性地解释影响薄膜结晶质量的直接原因。最佳参数为:压强0.2Pa,功率80W和温度450℃。
42-44

纳米碳管增强铜基电接触材料制备的优化设计

摘要:用正交试验法优化了纳米碳管增强铜基电接触材料的制备工艺,探讨了纳米碳管表面处理时间、原料球磨时间和纳米碳管含量对复合材料综合性能的影响。结果表明:最佳制备工艺参数为,表面处理时间1.0h,球磨时间8h,纳米碳管最佳质量分数为0.1%。在优化制备的纳米碳管增强铜基电接触材料中,纳米碳管分散均匀,其布氏硬度为78.3 HBS 2.5/62.5/30,电阻率为2.08×10^-6Ω·cm,抗熔焊及抗氧化性能均得到较大提高,能够满足电接触材料综合性能的要求。‘
45-48

球磨与共沉淀法制备MnZn铁氧体的对比研究

摘要:分别采用高能球磨和化学共沉淀法制备了MnZn铁氧体,通过XRD、VSM和金相显微镜的分析,对两种铁氧体的预烧料粉末、烧结体的显微结构以及磁性能做了比较。结果表明:化学共沉淀法所制备的预烧料粉末具有晶粒细小、均匀和活性高等优点;与高能球磨法相比,化学共沉淀法烧结磁体的密度较高、晶粒尺寸较大,磁性能更为优良。其相应的磁性能参数慨、尬、风和舫分别为3.845×10^2kA/m,3.421kA/m,0.722km/m和5500。
49-52

共沉淀法制备锰锌铁氧体微粉的研究

摘要:以硫酸亚铁、硫酸锰和硫酸锌为原料,采用碳酸盐共沉淀法制备了Mn1-xZnxFe2O4(x=0,0.2,0.4,0.5和0.6)铁氧体微粉。通过TGA—DSC、XRD和SEM等测试手段,分析其物相、微观结构和形貌,并用振动样品磁强计(VSM)测量其室温磁滞回线,重点探讨了锰锌铁氧体前驱粉在热处理过程中发生的反应。磁性能测试表明,随着Zn^2+含量的增加,锰锌铁氧体微粉的比饱和磁化强度先增加后降低,当x(Zn^2+)=0.2时,微粉的比饱和磁化强度最大,为84.24A·m^2·kg^-1。
53-56

福建物质结构研究所光功能材料研究成果引起同行关注

摘要:中科院福建物构所王元生研究员课题组的研究成果“近红外量子剪裁透明纳米结构玻璃陶瓷”被《激光与光电子学进展》杂志评选为2008年中国光学重要成果之一。该课题组的另一研究成果“高效上转换白光发射透明玻璃陶瓷”在2007年也获此殊荣。
56-56

ZnO对钙长石/莫来石复合材料性能的影响

摘要:以钙长石和莫来石等为主要原料,制备了与硅芯片相匹配的新型复合材料。研究了烧结助剂ZnO的加入量、烧结温度和显微结构等因素对材料性能的影响。结果表明:当w(ZnO)为8%时,该复合材料烧结温度为1000℃,其主要性能如下:在1MHz下εr为6.48,tanδ为4.00×10^-3,抗折强度为76.29MPa,α1(25—500℃)为3.44×10^-6℃^-1。
57-59

溶胶-凝胶法制备NBT-KBT系陶瓷及其电性能

摘要:采用sol-gel法制备(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3(x=0.12—0.50)系无铅压电陶瓷。XRD分析表明,当X=0.18-0.30时陶瓷具有三方-四方相共存的晶体结构,为该陶瓷的准同型相界(MPB)。在MPB附近存在最佳的电性能:d33为150pC/N,kp为36.7%,ε33^τ/εo为1107,tanδ为1.1×10^-2,Qm为168.8,Np为2949.7Hz·m。与常规固相法相比,sol-gel法有利于提高该陶瓷的电性能。分析了该陶瓷材料在1,10和100kHz下的介电温谱,发现该陶瓷是一类弛豫型铁电体材料。
60-63
电子元件与材料杂志可靠性

PBGA无铅焊点热可靠性优化研究

摘要:在田口实验法的基础上,采用非线性有限元建模,对温度循环载荷作用下的PBGA无铅焊点进行可靠性优化研究。L18(2^1×3^7)田口正交表被选用来分析PBGA封装体的8个控制因子,包括PCB的尺寸和厚度、基板的尺寸和厚度、焊点的直径和高度、芯片以及塑封的厚度。通过田口实验法,得出了关于PBGA最佳的结构参数组合,其中最重要的控制因子为基板厚度和焊点高度,最佳参数分别为0.66mm和0.60mm。
64-67

电子信息产业调整振兴规划 国务院常务会议审议并原则通过

摘要:国务院总理温家宝2月18日主持召开国务院常务会议,审议并原则通过了电子信息产业调整振兴规划和西藏生态安全屏障保护与建设规划。
67-67

MLCC端电极Sn镀层的焊接失效分析

摘要:针对多层陶瓷电容器(MLCC)端电极Sn镀层的可焊性失效问题,运用SEM和能谱仪对Sn镀层进行微观结构和成分分析,找出了失效的主要原因,并提出了改进意见。在对MLCC三层端电极中的底层Ag端浆的烧渗过程中,由于烧渗工艺不合理,Ag浆中出现玻璃料物质的溢出,造成电镀Sn时Sn层不连续、不致密,以至MLCC端电极的可焊性变差。通过设计合理的烧渗银温度曲线可较好地解决MLCC端电极Sn镀层的焊接失效问题。
68-70

飞秒激光烧蚀制备大面积均匀纳米结构方面获重要进展

摘要:最近,在中国科学院院士徐至展领导下,中山大学光电材料与技术国家重点实验室与中国科学院上海光机所强场激光物理国家重点实验室展开合作研究,采用飞秒激光烧蚀技术成功地在氧化锌、硒化锌等宽带隙材料及石墨表面实现了纳米光栅、纳米颗粒及纳米方块结构的大面积制备。
70-70
电子元件与材料杂志综述

电子组装用高温无铅钎料的研究进展

摘要:分析了国内外电子组装用高温无铅钎料的研究现状。指出目前常用的高温钎料仍然是高Pb焊料或80Au-20Sn钎料,导致焊料含Pb而污染环境,或者含质量分数为80%的Au而使焊料成本奇高。指明了Bi—Ag系钎料具有潜力替代高Pb焊料或80Au-20Sn钎料。未来的研究将在成分设计及可靠性等方面进行探索,以最终找到既经济又可替代传统高铅钎料的高温无铅钎料。
71-74

LED企业走过初创阶段 综合实力成竞争焦点

摘要:作为新型显示技术,LED以其绿色、环保在北京奥运会上大放异彩,我国LED在国际舞台亮相最耀眼的当属北京奥运会的“鸟巢之光”,无论LED“显示”还是“照明”都让全世界震撼。2008北京奥运会所采用的LED显示产品从数量到技术水平以及应用方面都达到了一个新的里程碑。
74-74

低温共烧微波介质陶瓷材料研究进展

摘要:在介绍低温共烧陶瓷(LTCC)技术的基础上,阐述了LTCC微波介质陶瓷材料的特点及应用背景。综述了BaTi4O9、Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ、ZnNb2O6、ZnTiO3及Li2O-Nb2O5-TiO2等常用的LTCC微波介质陶瓷材料体系。指出了目前研究中存在的问题,指出新体系的开发是今后的主要研究方向。新体系可以采用多相复合,也可以由几种低熔点氧化物化合而产生。
75-78
79-79
80-80
80-80
81-82
82-82

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