片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究
作者：曾祥明; 康雪雅; 张明; 赵根妹; 周家伦
摘要：根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因.据此提出改进措施.通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右.
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关键词：
- 电子技术
- 片式高压多层陶瓷电容器
- 内电极节瘤
- 击穿电压
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