电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第09期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

弛豫铁电陶瓷最佳退火条件的正交试验法1-4

摘要：采用正交试验法,通过计算水平均值和极差,运用直观分析来确定因素的最佳水平组合和因素的主次顺序,寻求退火的最佳实验条件. 根据最小二乘法原理,给出了测量数据真值的最佳估计值.采用正交试验法获得的最佳退火条件对Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-BaTiO3弛豫铁电陶瓷试样进行热处理,介电常数显著提高,最大增幅达137%,高于已有的报道130%[ J. Appl. Phys. 2002, 92(5)].实验结果表明:运用正交试验法进行退火是研究弛豫铁电陶瓷改性的一种有效途径.

中温制备钛酸钕钙-钛酸钕锂系高介微波陶瓷5-7

摘要：将温度系数相反的钛酸钕钙(CNT)和钛酸钕锂(LNT)进行复合,中温下(1 200℃)烧结获得了εr＞100的CNT-LNT微波介质陶瓷.该陶瓷为斜方结构的CaTiO3基固溶体单相.介电常数随x增加先增加后减小,在x＝0.5处最大.Q·f值和谐振频率温度系数随LNT含量增加而线性下降.中温下制备了性能良好的CNT-LNT系微波介质陶瓷,如x = 0.6时微波性能为:εr＝123.9,Q·f ＝1 500 GHz,τf＝12.0×10-6℃-1.

电子元件与材料杂志综合信息

第六届光华工程科技奖提名工作已经开始7-7

电子信息系统质量与可靠性学术研讨会于山西平遥召开7-7

电子元件与材料杂志研究与试制

sol—gel法制备BiLaFeO3薄膜及其电性能8-10

摘要：用sol-gel方法在LaNiO3包覆的Si衬底上制备了(010)择优取向的BiFeO3以及Bi0.95La0.05FeO3薄膜,XRD分析结果表明,通过La的掺杂BiFeO3的择优取向度由77.0%增加到96.6%;铁电性的测试表明,通过La掺杂,使薄膜的介电性和铁电性得到了增强,剩余极化强度由0.15×10-6 C/cm2增加到0.2×10-6 C/cm2.

电子元件与材料杂志综合信息

元器件业：升值是一把双刃剑10-10

摘要：相对于整机制造业而言，我国电子元器件行业发展较为滞后，可供给产品品种少，规格型号不全，尤其是国内终端厂家急需的高技术产品产量很小或不能生产，只能依赖大量进口。因此，在电子信息产业每年保持贸易顺差的局面下，电子元器件行业却年年逆差。在人民币升值前提下，我国的电子元器件行业的影响可能受到双重损害。

软件业：压力巨大10-10

摘要：对于国内软件行业来说。人民币升值对软件出口带来的影响是严重的。这主要是由于软件行业是人才密集型产业，劳动力成本上升对软件厂商带来的压力将是巨大的。目前，软件产业出口中70％左右的成本属于人员工资。如果人民币每升值1％。软件出13的利洞将降低0.7个百分点；如果人民币升值3％，软件出口的利洞率将降低到不足2％；如果人民币升值5％，整个软件出口几乎处于零利洞状态。这对利洞率不足4％的软件产业无疑会有极大的打击。对刚刚突破的软件外包业务的影响更加严重的。

电子元件与材料杂志研究与试制

镧掺杂钛酸铋钠钾系无铅压电陶瓷的制备工艺11-15

摘要：利用XRD、SEM等技术分析方法,研究了工艺条件对[(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18]1-xLaxTiO3(x=0 ～ 0.1)无铅压电陶瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响.结果表明:提高合成温度至870 ～ 900℃有利于主晶相的形成;在1 130℃下烧结可得到高致密样品.同时研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响:极化温度保持在80 ～ 100℃之间, 极化电场强度为4 MV/m可以得到较好的压电性能.

电子元件与材料杂志综合信息

人民币升值对家电业的影响15-15

摘要：人民币汇率进行调整显而易见地会对家电行业出口带来较大冲击。主要原因在于，我国主要家电出口企业和产品在世界市场上市场占有率不高，品牌效应弱，主要的竞争优势在于低劳动力成本带来的低价格。人民币汇率调整带来的成本上升几乎不可能通过出口价格调整予以转嫁，全行业的出口和利润水平明显会受到冲击。

电子元件与材料杂志研究与试制

片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究16-18

摘要：根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因.据此提出改进措施.通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右.

电子元件与材料杂志综合信息

信息技术高速发展形势下的电子元件发展研讨会将于2006年8月在西宁召开18-18

摘要：信息技术高速发展形势下的电子元件发展研讨会将于2006年8月在西宁召开。大会征集论文的内容主要包括：

电子元件与材料杂志研究与试制

单纯形法在电解液配方优化中的应用19-21

摘要：为了减少工作电解液的配方试验工作量,利用单纯形法对高含水率(48%,质量分数)电解液进行试验设计.选择己二酸(A)、磷酸二氢铵(B)、水合抑制剂(C)和吸氢剂(D)等四种溶质为考察因素,采用均匀设计法构成初始单纯形.结果表明,单纯形法能明显降低试验工作量,通过较少的试验即可获得最佳配方.所得到的优化电解液,可以通过105℃,1 500 h电容器储存寿命试验.

NiSnO3纳米粉体的常温固相合成及其气敏特性22-24

摘要：以镍盐、四氯化锡及NaOH为原料,在常温条件下采用固–固相化学反应法制备钙钛矿型复合氧化物NiSnO3粉体.并用X射线粉末衍射(XRD),透射电镜(TEM)等对其进行表征.结果表明:产物基本上是NiSnO3,平均晶粒为60 nm左右.将样品制成旁热式气敏元件测试其气敏特征,结果表明:在290℃时对乙醇有较高灵敏度,但对H2和LPG灵敏度较低,且其响应恢复特性较好.

钇掺杂纳米α-Fe2O3的合成及气敏性能研究25-27

摘要：采用柠檬酸sol-gel法制备了不同掺杂量的Y2O3-Fe2O3(w(Y2O3)=0～7%)纳米粉体材料,并用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,并进行了气敏性能测试.研究发现:掺杂适量Y2O3可抑制α-Fe2O3晶粒的生长,提高粉体材料的气敏性能,其中掺杂量为5%的烧结型气敏元件在160℃的较低温度条件下,对汽油有较高的灵敏度,较好的选择性及响应–恢复特性,且线性检测范围较宽.

片式ZnO压敏电阻烧端工艺对限制电压比的影响28-29

摘要：通过对烧端工艺中不同烧端温度以及保温时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器限制电压比的影响.结果表明:当烧端温度为850℃,保温时间15 min时,产品的限制电压比最小.

高磁导率800材料的研究30-32

摘要：高磁导率800铁氧体是制作高感量叠层片式电感器的关键材料,以NiCuZn体系为基础,通过选取缺铁量配方,调节n(Ni)∶n(Zn)及添加适量CuO、Bi203等方法,研制出了结构致密、晶粒大小在1-3 μm,烧结温区宽(865-895℃),起始磁导率μi达到800±10%,能与Ag内电极匹配共烧的高磁导率铁氧体材料.

智能微尘32-32

摘要：智能微尘(Smart Dust),是一种以无线方式传递信息的微型传感器,尺寸定位在mm3及以下.每一粒微尘都是由传感器、微处理器、通信系统和电池组成.智能微尘可以自由组网、相互定位、收集数据和传递信息.智能微尘的出现带来了一种新的信息获取和处理模式.

锑掺杂二氧化钛的制备及其可见光催化性能33-35

摘要：用草酸氧钛酸分解法制备了锑掺杂的二氧化钛光催化剂粉体.用XRD和TEM测定了样品的晶型、粒度等表征参数.结果表明:所制备的掺杂TiO2光催化剂为金红石型TiO2和锐钛矿型TiO2的混晶,颗粒直径在100 nm左右.在可见光下,用锑掺杂量为0.2%(摩尔分数)、900℃煅烧保温0.5 h后的TiO2降解6 h后,甲胺磷的无机磷回收率达到96.4%.