摘要：通过控制氧化的方法对制备敷铜陶瓷基板（DBC基板）的铜层进行预氧化处理.研究了预氧化温度、氧分压对铜箔氧化层物相和厚度的影响,采用拉曼光谱仪测试铜箔氧化膜物相组成,采用紫外-可见分光光度计测试铜箔氧化膜的吸光度,确定了铜箔表面氧化物层吸光度与厚度的关系.结果表明：预氧化温度在400~800 ℃,氧分压控制在100×10–6~700×10–6,铜箔表面生成一层氧化亚铜（Cu2O）层;在过高的预氧化温度和氧分压条件下,铜箔表面就会生成 CuO物相,而且氧化膜层变厚,表面疏松、局部出现氧化膜脱落,不利于 DBC基板的制备.当氧分压为500×10–6,预氧化时间为1 h,温度为600 ℃时,铜箔表面可以获得均匀致密的Cu2O薄膜,并且氧化膜与基体Cu结合紧密,有效提高DBC基板的结合性能.