摘要：以SnCl2·2H20和SbCl3为原料，利用溶胶-凝胶法制备了SnO2：Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点，利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率，利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明，随着掺杂浓度的增大，薄膜的电阻率先降低而后略有升高，当掺杂浓度为5％时，薄膜电阻率达到最小，为8．7×10^-3Ω·cm；并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用：当掺杂浓度为5％时，随着缓冲层数的增加，薄膜方块电阻呈下降趋势，最小可达到95Ω／□，电阻率达到1.1×10^-3Ω·cm。