《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》杂志影响因子：2.9。
期刊Ieee Journal Of The Electron Devices Society近年评价数据趋势图
期刊影响因子趋势图
以下是一些常见的影响因子查询入口：
（1）Web of Science：是查询SCI期刊影响因子的权威平台，收录全球高质量学术期刊，提供详细的期刊引证报告，包括影响因子、分区、被引频次等关键指标。
（2）Journal Citation Reports (JCR)：JCR是科睿唯安旗下的一个网站，提供了期刊影响因子、引用数据和相关指标。用户可以在该网站上查找特定期刊的影响因子信息。
（3）中科院SCI期刊分区表：提供中科院分区的期刊数据查询，包括影响因子和分区信息。
《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》杂志是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主办的一本以Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology为研究方向，OA开放获取（Open Access）的国际优秀期刊。
该杂志出版语言为English，创刊于2013年。自创刊以来，已被SCI（科学引文索引）、SCIE（科学引文索引扩展版）等国内外知名检索系统收录。该杂志发表了高质量的论文，重点介绍了工程电子与电气在分析和实践中的理论、研究和应用。
学术地位：在JCR分区中位列Q2区，中科院分区为工程技术大类3区，ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：电子与电气小类3区。
期刊发文分析
机构发文量统计
| 机构 | 发文量 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 35 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... | 22 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 20 |
| ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE | 18 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 17 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOL... | 17 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 15 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 15 |
| SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 15 |
| PEKING UNIVERSITY | 14 |
国家 / 地区发文量统计
| 国家 / 地区 | 发文量 |
| CHINA MAINLAND | 168 |
| USA | 99 |
| Taiwan | 98 |
| South Korea | 74 |
| Japan | 61 |
| India | 40 |
| France | 29 |
| GERMANY (FED REP GER) | 27 |
| Switzerland | 23 |
| Belgium | 20 |
期刊引用数据次数统计
| 期刊引用数据 | 引用次数 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 499 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 445 |
| APPL PHYS LETT | 311 |
| J APPL PHYS | 180 |
| SOLID STATE ELECTRON | 105 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
| JPN J APPL PHYS | 73 |
| NANO LETT | 64 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 58 |
| NATURE | 53 |
期刊被引用数据次数统计
| 期刊被引用数据 | 引用次数 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 140 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 59 |
| SEMICOND SCI TECH | 36 |
| IEEE ACCESS | 29 |
| JPN J APPL PHYS | 27 |
| SOLID STATE ELECTRON | 22 |
| APPL PHYS LETT | 20 |
| MICROMACHINES-BASEL | 20 |
| J APPL PHYS | 18 |
文章引用数据次数统计
| 文章引用数据 | 引用次数 |
| FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET... | 21 |
| Characterization and Compact Modeling of N... | 19 |
| Characterization and Modeling of 28-nm Bul... | 14 |
| Cryogenic Temperature Characterization of ... | 11 |
| Hysteresis Reduction in Negative Capacitan... | 11 |
| Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe2 ... | 11 |
| Direct Correlation of Ferroelectric Proper... | 10 |
| Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory ... | 10 |
| Development and Fabrication of AlGaInP-Bas... | 10 |
| Experimental Investigations of State-of-th... | 10 |
