Ieee Transactions On Device And Materials Reliability杂志影响因子查询入口?

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》杂志影响因子:2.7。

期刊Ieee Transactions On Device And Materials Reliability近年评价数据趋势图

期刊影响因子趋势图

以下是一些常见的影响因子查询入口:

(1)Web of Science:是查询SCI期刊影响因子的权威平台,收录全球高质量学术期刊,提供详细的期刊引证报告,包括影响因子、分区、被引频次等关键指标。

(2)‌Journal Citation Reports (JCR):JCR是科睿唯安旗下的一个网站,提供了期刊影响因子、引用数据和相关指标。用户可以在该网站上查找特定期刊的影响因子信息。

(3)中科院SCI期刊分区表:提供中科院分区的期刊数据查询,包括影响因子和分区信息。

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》杂志是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主办的一本以工程技术-工程:电子与电气为研究方向,OA非开放(Not Open Access)的国际优秀期刊。

该杂志出版语言为English,创刊于2001年。自创刊以来,已被SCI(科学引文索引)、SCIE(科学引文索引扩展版)等国内外知名检索系统收录。该杂志发表了高质量的论文,重点介绍了工程电子与电气在分析和实践中的理论、研究和应用。

‌学术地位:在JCR分区中位列Q3区,中科院分区为工程技术大类3区,ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:电子与电气小类3区。

期刊发文分析

机构发文量统计
机构 发文量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... 23
IMEC 15
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQ... 14
STMICROELECTRONICS 10
TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 8
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 8
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 7
GLOBALFOUNDRIES 7
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6
国家 / 地区发文量统计
国家 / 地区 发文量
USA 52
CHINA MAINLAND 51
India 50
Taiwan 35
France 20
Italy 18
Belgium 15
Austria 14
Japan 13
GERMANY (FED REP GER) 12
期刊引用数据次数统计
期刊引用数据 引用次数
IEEE T ELECTRON DEV 167
IEEE T NUCL SCI 116
MICROELECTRON RELIAB 100
IEEE T DEVICE MAT RE 93
IEEE ELECTR DEVICE L 69
APPL PHYS LETT 59
J APPL PHYS 44
IEEE T COMP PACK MAN 24
IEEE J SOLID-ST CIRC 23
IEEE T POWER ELECTR 23
期刊被引用数据次数统计
期刊被引用数据 引用次数
IEEE T ELECTRON DEV 127
IEEE T DEVICE MAT RE 93
MICROELECTRON RELIAB 88
IEEE ACCESS 47
IEEE T NUCL SCI 37
IEEE ELECTR DEVICE L 36
IEICE ELECTRON EXPR 35
IEEE T POWER ELECTR 31
J MATER SCI-MATER EL 31
ELECTRONICS-SWITZ 30
文章引用数据次数统计
文章引用数据 引用次数
A First-Principles Study of the SF6 Decomp... 23
Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its I... 9
Comparative Thermal and Structural Charact... 9
Output-Power Enhancement for Hot Spotted P... 8
Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Tes... 7
Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide... 7
Impacts of Process and Temperature Variati... 6
Comparative Study of Reliability of Ferroe... 6
A Compact and Self-Isolated Dual-Direction... 6
A Review on Hot-Carrier-Induced Degradatio... 6
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability杂志

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

研究方向:工程技术-工程:电子与电气

中科院分区:3区,JCR分区:Q3

相关问题

相关期刊