《Journal of Semiconductors》杂志的收稿方向主要包括:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
该杂志收稿方向广泛,涵盖了电力的多个重要领域和前沿话题,为电力工作者和研究者提供了一个交流和分享学术成果的重要平台。
《Journal of Semiconductors》杂志投稿要求
(1)摘要不应简单地重复题名中已出现过的信息,不需要背景或知识性的介绍,不要把引言和结论中叙述性的内容,以及学科领域内常识性的内容写入摘要,也不要有自我评价的语句。
(2)正文标题与层次:文内标题力求简洁、明确,层次一般不超过4级。论文各层次标题一律用阿拉伯数字连续编号,如“1”,“1.1”,“1.1.1”等。
(3)正文标题层次一级标题1,2,…,二级标题用1.1,1.2,…,三级标题用1.1.1,1.1.2,…,以此类推。标题层次一般不超过4级。
(4)来稿应注重学术性和理论性,并且要选题新颖、内容充实、论证严谨、条理清晰、文字简练。
(5)请在投稿时提供完整个人信息(姓名、职称、职务、工作单位、地址、邮编、电话、电子邮箱等)。
(6)来稿中的数学公式、曲线图、数据表格,务必字迹清楚、规范、图形清晰。数学公式、有关数据请核对准确。图表需有引文。
(7)注释:将注释按正文中出现的先后顺序排列编号,用数字加圆圈标注,并集中排列在正文后。
(8)评审与出版流程:了解学术期刊的评审流程、时间要求以及出版时间表是非常重要的。这会帮助您安排好稿件的提交时间,并了解可能的出版时间。
(9)参考文献的编号按正文中首次出现的次序连续排列,用阿拉伯数字加方括号标于上角,并按引用顺序排列于文末。
(10)获基金资助的论文,应注明基金项目名称及基金项目编号,且按有关部门规定的正式名称填写; 如获多项基金资助,应依次列出。
《Journal of Semiconductors》杂志是由中国科学院主管和中国科学院半导体研究所;中国电子学会主办的学术理论期刊,创刊于1980年,国内外公开发行,国际刊号ISSN为1674-4926,国内刊号CN为11-5781/TN,该杂志级别为CSCD期刊、统计源期刊,预计审稿周期为1-3个月。
该杂志在学术界具有较高的影响力,多次获得国内外权威奖项,如全国优秀科技期刊、中国科技期刊优秀期刊等。
在收录方面,《Journal of Semiconductors》杂志被多个知名数据库收录,包括:CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版)、统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)、万方收录(中)、EI 工程索引(美)、CA 化学文摘(美)、SA 科学文摘(英)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、Pж(AJ) 文摘杂志(俄)、剑桥科学文摘、国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏、文摘与引文数据库、文摘杂志等,在电力领域具有较高的学术价值和影响力,是电力研究者和实践者的重要参考刊物。