深亚微米CMOS模拟集成电路设计

作者:

摘要:《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计,首先介绍双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体(MOS)晶体管的抽象模型.然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括:运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》对模拟设计概念的描述将诉诸更加直观的方法而不是繁琐的公式推导。

分类:
  • 期刊
  • >
  • 自然科学与工程技术
  • >
  • 基础科学
  • >
  • 基础科学综合
收录:
  • 万方收录(中)
  • 上海图书馆馆藏
  • 国家图书馆馆藏
  • 知网收录(中)
  • 维普收录(中)
关键词:
  • 模拟集成电路设计
  • 深亚微米cmos
  • 数据转换器
  • 金属氧化物半导体
  • 结型晶体管
  • 运算放大器
  • 抽象模型
  • 奈奎斯特

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

期刊名称:中国科技信息

期刊级别:部级期刊

期刊人气:17730

杂志介绍:
主管单位:中国科学技术协会
主办单位:中国科技新闻学会
出版地方:北京
快捷分类:科技
国际刊号:1001-8972
国内刊号:11-2739/N
邮发代号:82-415
创刊时间:1989
发行周期:半月刊
期刊开本:A4
下单时间:1个月内
复合影响因子:0.32
综合影响因子:0.31