8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理

作者:汪波; 王立恒; 刘伟鑫; 孔泽斌; 李豫东; 李珍; 王昆黍; 祝伟明; 宣明

摘要:针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验。实验结果显示,不同功能模块寄存器发生单粒子翻转,导致输出图像出现不同的异常模式,主要表现为输出图像“卡零”、若干相邻列输出异常、整幅图像“花屏”等。结合器件的不同子电路功能、工艺结构和工作原理,分析重离子入射器件微观作用过程对宏观图像异常模式的影响,深入探讨器件不同功能模块单粒子翻转的敏感性和损伤机理。研究结果可为CMOS图像传感器加固设计、单粒子地面模拟实验方法及标准和评估技术的建立提供重要参考。

分类:
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关键词:
  • 探测器
  • 重离子辐照
  • 单粒子翻转
  • 损伤机理

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期刊名称:光学学报

期刊级别:北大期刊

期刊人气:4311

杂志介绍:
主管单位:中国科学技术协会
主办单位:中国光学学会;中国科学院上海光学精密机械研究所
出版地方:上海
快捷分类:科学
国际刊号:0253-2239
国内刊号:31-1252/O4
邮发代号:4-293
创刊时间:1981
发行周期:半月刊
期刊开本:A4
下单时间:1-3个月
复合影响因子:1.81
综合影响因子:2.27